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.以下為光盤目錄：
1、非揮發性半導體存儲器*件及其制造方法
[技術摘要]本發明是一種非揮發性半導體存儲器*件以及其制造方法。存儲器*件包含：襯底、襯底上的穿隧介電膜、形成在襯底中的源極區以及漏極區，以及在每一對源極區與漏極區之間的多個分離的儲存塊。每一儲存線塊包括儲存數據以及二氧化硅層。兩個儲存塊分離至少100的間距。

2、形成非揮發性記憶胞的方法及用這方法形成的半導體結構
[技術摘要]本發明是關于一種形成非揮發性記憶胞的方法及用這方法形成的半導體結構。該形成非揮發性記憶胞的方法，包括在一組成疊層上沉積一氧化層，且組成疊層具有一介電層、介電層上有一第一導電層。之后，去除部分氧化層的上部以*露介電層，再去除介電層以及剩余的氧化層的上部，以使氧化層與第一導電層的上表面幾乎是平的。接著，在第一導電層及氧化層的上表面上形成一第二導電層。在一基底表面中形成包含間隔且平行的多個位*線的一非揮發性記憶陣列。在位*線上的基底表面上有包含一電子捕捉層的數個堆疊層。在堆疊層上有數個間隔的字*線。而字*線是互相平行且垂直于位*線。

3、非揮發性半導體存儲器及其制作方法
[技術摘要]本發明提供一種非揮發性半導體存儲器及其制作方法，這種非揮發性半導體存儲器采用納米單晶硅浮柵、實現了單電子存儲，而且納米單晶硅浮柵中的納米單晶硅離子的密度高，存儲能力強。所述非揮發性半導體存儲器的制作方法包括：在半導體基體形成隧道氧化層；在隧道氧化層上形成納米單晶硅層，所述納米單晶硅層為小丘狀的納米單晶硅顆粒；形成覆蓋納米單晶硅層的層間介電層；在層間介電層上形成多晶硅層；圖案化多晶硅層，形成控制柵；圖案化層間介電層，形成阻擋氧化層；圖案化所述納米單晶硅層，形成浮柵；摻雜半導體基板形成分離的源極和漏極；圖案化隧道氧化層，形成柵氧化層。

4、半導體結構與非揮發性存儲器的結構及制造方法
[技術摘要]一種半導體結構的制造方法，適用于非揮發性存儲器的工藝中。首先提供基底，基底中已形成有溝槽，且溝槽的側壁已形成有浮置柵極。然后，在溝槽中形成導體材料層，并對導體材料層進行表面活化工藝。接著，在導體材料層上形成保護層，此表面活化工藝加快了保護層的形成速率。

5、向半導體非揮發性存儲器的信息的記錄方法<
6、平坦型非揮發性半導體存儲*件
7、分離式位線結構的非揮發性半導體存儲單*
8、非揮發性半導體存儲器件
9、形成納米單晶硅的方法和非揮發性半導體存儲器制造方法
10、非揮發性存儲器及其相關臨限電壓驗*方法與半導體裝置
11、非揮發性半導體存儲裝置
12、半導體*件與非揮發性存儲器的制作方法
13、非揮發性半導體存儲器件
14、不揮發性半導體存儲裝置
*、非揮發性半導體存儲器及其制作方法
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16、非揮發性半導體記憶胞及其制造方法
17、高速可編程不揮發性半導體存儲裝置
18、非揮發性半導體存儲器件
19、非揮發性半導體存儲單*結構及其制作方法

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三、購買方式（三種）
第一種：可以通過銀行轉賬，即時傳送；
第二種：可使用支付寶、百付寶、財付通擔保交易
第三種：本套支持全國800多個城市貨到付款（貨到付款郵費另計20元）