一種新型光激發場尋址半導體傳感器，依次包括ｐ型Ｓｉ襯底、襯底上的ｎ↑［－］－Ｓｉ外延層、二氧化硅柵氧層、Ａｌ柵極，在與二氧化硅柵氧層接觸面附近的 ｎ↑［－］－Ｓｉ外延層上設有兩處磷摻雜，該磷摻雜通過歐姆接觸與穿過二氧化硅柵氧層引線孔的電極引線連接，其特征是在與ｎ↑［－］－Ｓｉ外延層接觸面附 近的ｐ型Ｓｉ襯底的上表面附近設有摻硼的ｐ↑［＋］－Ｓｉ層，在ｐ型Ｓｉ襯底上表面外周和ｎ－Ｓｉ外延層上部外周分別設有局部場氧化層，在二氧化硅柵氧層 中部兩個Ａｌ柵極之間設有多晶硅柵極，在ｐ型Ｓｉ襯底下表面的中部與多晶硅柵極對應位置直至摻硼的ｐ↑［＋］－Ｓｉ層為腐蝕區，在腐蝕區底部設有敏感膜。

用碎硅片制備的太陽電池及其制備方法
本發明涉及一種用碎硅片或集成電路邊角料制作的太陽電池及其制備方法。首先將硅片擴散ＰＮ結和Ｐ－Ｐ↑［＋］背場，制成基本的電池單元。再將許多電池單元 鋪成一個平面，每一個電池單元的ＰＮ結方向排列一致，用絕緣樹脂將這些電池單元粘接成大的平面，夠成大的電池基片。用數碼相機對硅片的分布進行拍攝，根據 拍攝的圖像，控制激光刻蝕機將覆蓋在硅片表面的樹脂層剝離，露出潔凈的硅片表面。在硅片的Ｐ型面沉積金屬層，構成電池的下電極。在硅片的Ｎ型面沉積透明導 電層，構成太陽電池的上表面電極。在透明導電層上面沉積柵狀金屬引http://www.aptchina.com/supply/ 供求信息
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