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.以下為光盤目錄：
1、用于步驟Ⅱ的銅襯里和其他相關材料的化學機械拋光組合物及其使用方法
[技術摘要]本發明公開了一種用于平坦化具有銅阻擋層部分的半導體晶片表面的CMP組合物和方法，所述組合物包括氧化劑、硼酸組分和研磨劑。

2、一種p型半導體摻鎳氧化銅靶材及其制備方法
[技術摘要]本發明屬于半導體氧化物材料領域，具體為一種P型半導體摻鎳氧化銅 形成覆蓋層于含銅金屬內連線上的方法及多層半導體裝置
[技術摘要]本發明揭示一種形成覆蓋層于含銅金屬內連線上的方法及多層半導體裝置，所述形成覆蓋層于含銅金屬內連線上的方法，該方法包括下列步驟：提供半導體基板，包括具有含銅金屬內連線的介電絕緣層，其中介電絕緣層以及含銅金屬內連線具有一露出的表面；形成第一覆蓋層于該露出的表面上；于第一覆蓋層上進行處理以增加覆蓋層以及介電絕緣層的層間附著力。以及，形成第二覆蓋層于第一覆蓋層上。本發明可降低金屬線間的漏電流，以及增加依時介電層崩潰測試以及改善銅電子遷移阻抗。

3、含有銅特異的防腐劑、用于清洗半導體襯底上的無機殘余物的水性清洗組合物
[技術摘要]半導體晶片清洗劑，含有1-21重量％氟化物源，20-55重量％有機胺，0.5-40重量％含氮成分如含氮羧酸或亞胺，23-50重量％水，以及0-21重量％金屬螯合劑。該清洗劑用于從抗蝕劑的等離子體灰化步驟后的晶片上除去殘余物，例如從含有精細的銅互連結構的半導體晶片上除去無機殘余物。

4、太陽能硅單晶爐的組合銅排
[技
5、形成覆蓋層于含銅金屬內連線上的方法及多層半導體裝置
6、在半導體應用的電沉積銅中缺陷的降低
7、用于在半導體芯片上電鍍精細電路的改進的銅電鍍浴
8、鍵合銅線制造方法
9、具防止銅擴散阻障效果之介電質
10、銅鋅錫硫化合物半導體薄膜太陽能電池及制備方法
11、柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池及其吸收層的制備方法
12、在半導體器件中形成銅配線的方法
13、銅和阻障層之整合化學機械拋光的方法和設備
14、一種應用于銅互連擴散阻擋層的制作方法
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15、銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池
16、一種用于銅互連的導電阻擋層材料及制備方法
17、半導體裝置及內聯機結構的形成方法及銅制程整合方法
18、具有金 銀 銅合金的填充金屬的半導體封裝
19、銅電鍍液、銅電鍍用前處理液以及銅電鍍方法
20、在半導體器件中實施銅連線的空隙工藝方法
21、改進聚合材料對銅或銅合金表面的粘著力的方法
22、硫化銅納米顆粒的制備方法
23、從半導體及印刷電路板加工的廢水流中*測及除銅
24、一種集成電路或半導體器件銅金屬化阻擋層結構及其制備方法
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25、超高純度銅及其制造方法以及含有超高純度銅的焊線
26、p型銅鐵礦基氧化物臭氧氣敏半導體材料及其制備方法
27、具有銅金屬布線的半導體器件及其形成方法
28、研磨用組合物、研磨方法及半導體集成電路用銅配線的制造方法
29、拋光混合物和減少硅晶片中的銅混入的方法
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30、用銅線形成半導體器件內引線的方法
31、一種賤金屬銅電極漿料及所得電容器的制備方法
32、在半導體組件上形成銅線的方法
33、生產集成電路時由高純銅電鍍形成導體結構的方法
34、一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池及其制備方法
35、用于銅的低下壓力拋光的組合物和方法
36、降低大馬士革銅工藝中表面反射率的方法
37、具有銅 金剛石復合材料的半導體襯底及其制造方法
38、用于銅和銅 鎳層的穩定化的蝕刻溶液
39、銅制程焊墊結構及其制造方法
40、一種脈沖電沉積銅銦鎵硒半導體薄膜材料的方法
41、在鋁 銅金屬線路上除去活性離子蝕刻后的聚合物
42、晶片級無電鍍銅法和凸塊制備方法，以及用于半導體晶片和*芯片的渡液
43、電鍍銅方法、電鍍銅用純銅陽極以及使用該方法和陽極進行電鍍而得到的粒子附著少的半導體晶片
44、使用無機氧化物磨料提高銅的平面化的組合物和方法
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45、研磨無機氧化物顆粒的漿液以及含銅表面的拋光方法
46、用于制造具有界面帽結構的末層銅到C4連接的方法
47、用于BEOL的同質銅互連
48、一種降低半導體大馬士革銅工藝中表面反射率的方法
49、鑲嵌式內連導線上形成選擇性銅膜的制造方法
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50、用于銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的銅鎵合金靶及其制備方法
51、半導體元件及制造銅導線的方法
52、敷銅型陶瓷散熱基片的制造工藝
53、一種制備銅銦硒薄膜太陽能電池富銦光吸收層的方法
54、用于蝕刻銅表面的溶液和在銅表面上沉積金屬的方法
55、用于銅互連的犧牲金屬襯層
56、用銅布線膜生產半導體器件的方法
57、銅 鉬 銅電子封裝復合材料的制備方法
58、一種雙大馬士革結構中銅阻擋層的淀積方法
59、墊重分布層與銅墊重分布層的制造方法
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60、復合半絕緣銅、鋁管母線橋
61、一種合成氧化亞銅納米球的方法及氧化亞銅納米球的應用
62、使用直接銅接合的電 光集成方案
63、光電半導體銀銅復合氧化物薄膜材料
64、制造銅鑲嵌結構的方法
65、具有銅背部金屬結構的薄CaAs管芯
66、拋光銅膜后清潔處理半導體襯底的方法和設備
67、半導體銅加工用水相清洗組合物
68、具有銅布線的半導體器件及其制造方法
69、具有高強度和高抗軟化性的銅合金
70、銅互連的半導體器件的制造方法及其結構
71、半導體器件內形成銅引線的方法
72、半導體連接基板用帶粘合劑的帶及使用了其的銅膜疊層板
73、拋光包括銅和鎢的半導體器件結構中使用的漿液與固定磨料型拋光墊以及拋光方法
74、抑制銅遷移的半導體器件
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75、銅源試劑組合物，及其制造和用于*電子設備結構的方法
76、紫銅鍍鐵管座
77、可去除半導體晶圓表面銅氧化物及水氣的系統與工藝流程
78、*電子中的銅電沉積
79、離子束增強沉積制備氮化銅薄膜的方法
80、拋光銅膜后清潔處理半導體襯底的方法和設備
81、在銅金屬圖案表面形成密封層的方法
82、銅合金濺射靶、其制造方法以及半導體元件布線
83、在半導體器件中形成銅配線的方法
84、半導體裝置用粘結劑組合物及使用它的覆蓋層薄膜、粘結劑片材、覆銅聚酰亞胺膜
85、降低銅雙鑲嵌工藝線間漏電流的方法
86、差異摻雜的銅鑲嵌結構與其制造方法
87、鋁 銅金屬連線上反應離子蝕刻后聚合物的清除方法
88、制造銅-炭纖維復合材料及功率半導體器件中支撐電極的方法
89、用于半導體銅制程的水相清洗組合物
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90、用于銅化學機械平整化加工的組合物及方法
91、防止半導體器件中的銅脫層
92、銅電鍍薄膜方法
93、*電子中的銅電沉積
94、一種單分散硫化銅半導體納米顆粒的制備方法
95、用于清洗半導體基質上無機殘渣含有銅特效**抑制劑的含水清洗組合物
96、用于具有增加可靠度之銅金屬化的焊墊結構以及其制造方法
97、提高半導體金屬布線過程中鋁銅互連的方法
98、銅銦硫半導體納米粒子的制備方法
99、在化學機械拋光期間調節低k對銅除去速率的方法和漿料
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100、半導體活化材料化學鍍銅鎳技術
101、具有涂有聚合物的銅線的半導體封裝及其制造方法
102、半導體銅鍵合焊點表面保護
103、一種鎢銅功能復合材料及其制備工藝
104、具有內在銅離子遷移勢壘的低介電常數的介電材料
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105、銅制程焊墊結構
106、用于拋光銅的組合物和方法
107、電解鍍銅法、電解鍍銅的磷銅陽極和利用所述方法及陽極鍍銅的并且具有低*粒附著的半導體晶片
108、用銅制造高電容量電容器的方法及其結構
109、具銅線的半導體封裝件及其打線方法
110、銅互連結構及其制作方法
111、增強無機介質與銅的粘附性的等離子體處理
112、用于銅和相關材料的改進的化學機械拋光組合物及其使用方法
113、具有銅熔絲的半導體結構及其形成方法
114、銅化學機械研磨的方法
115、銅內連線的制作方法
116、覆銅、抑制晶須生成的方法、印刷電路板以及半導體裝置
117、形成銅線的方法
118、具有銅布線的半導體器件
119、用于改善銅金屬層對勢壘層的粘附性的半導體器件制造方法
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120、形成黏性強化層于銅層與蝕刻停止層間的方法
121、用作銅薄膜沉積前體的銅（I）化合物
122、銅鍍液及用其鍍覆基板的方法
123、無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池緩沖層薄膜的制備方法
124、一種用于銅互連的導電阻擋層材料及制備方法
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125、晶片級涂覆的銅柱狀凸起
126、在半導體元件中形成銅接觸的方法
127、制作銅雙鑲嵌結構的方法
128、在半導體器件中形成銅布線的方法
129、在銅鑲嵌制程中制作MIM電容器的方法
130、具有多層銅線路層的半導體器件及其制造方法
131、有機夾層介電材料中的銅通路的剪切應力的減小
132、用于銅的受控拋光的組合物和方法
133、在半導體器件中形成銅引線的方法
134、包含金屬襯底的基于黃銅礦半導體的光伏太陽能電池、用于光伏太陽能電池的被涂敷的金屬襯底及其制造方法
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135、高強度高導電性銅合金
136、側壁具有緩沖層的銅雙鑲嵌結構的制造方法
137、一種芯片銅互聯高純硫酸銅電鍍液的生產方法
138、去除光阻殘留的清洗方法以及銅制程的雙鑲嵌工藝
139、*粒發生少的含Mn銅合金濺射靶
140、一種具有特殊層厚比例的銅 鉬 銅電子封裝復合材料的制備方法
141、用于在非銅可鍍層上直接電鍍銅的方法
142、具有非氧化銅線的半導體封裝
143、無電鍍銅溶液和無電鍍銅方法
144、用于銅膜平面化的鈍化化學機械拋光組合物
145、空白區具有銅圖案的半導體封裝板
146、使用磺化兩性試劑的銅化學機械拋光溶液
147、銅摻雜磁半導體
148、銅電鍍溶液及銅電鍍方法
149、具有改良的接合和**特性的銅制接合線或超細線
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150、銅配線的形成方法
151、含有銅特異的防腐劑、用于清洗半導體襯底上的無機殘余物的水性清洗組合物
152、一種四氯苯醌 三苯基磷可控摻雜四取代酞菁銅薄膜及其制備方法
153、一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導體封裝件
154、具有低電阻值的銅-阻障層鑲嵌內連線結構及其制作方法
155、一種用于分析酸性銅電鍍液中三種有機添加劑的改進方法
156、抑制半導體制造過程中鍍銅或鍍金屬表面和電路的**的方法
157、水冷卻導電銅排
158、銅鐵礦結構的鋁酸亞銅多晶材料的制備方法及其制備的材料
159、防止銅擴散的方法及半導體器件的制造方法
160、銅導線在下層之內連線的雙鑲嵌的制造方法
161、電鍍銅方法、用于電鍍銅方法的含磷銅陽極、及用所述方法和陽極電鍍的粒子附著少的半導體晶片
162、具有超疏水性能的多孔導電納米銅薄膜材料的制備方法
163、通過提供補強層以形成埋置于低K電介質中的含銅線的技術
164、鑲嵌式銅金屬內聯機的制作方法
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165、用于銅膜平面化的鈍化化學機械拋光組合物
166、無銀合金焊料封接陶瓷和柯瓦，陶瓷和銅的固態壓力擴散焊
167、一種星形硫化銅的制備方法
168、半導體器件中銅的電鍍方法
169、銅內連線的制作方法
170、復合屏蔽銅、鋁管母線橋
171、與半導體上絕緣通孔中的銅金屬化層接觸的方法和結構
172、半導體器件銅電極的圖形化方法
173、可改善銅金屬層結構的表面處理方法
174、可去除半導體晶片表面銅氧化物及水氣的系統
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175、銅銦鎵的硒或硫化物半導體薄膜材料的制備方法
176、銅沉淀方法
177、多孔電介質中嵌刻銅結構的制成方法
178、由含硼的金剛石-銅復合材料制成的散熱器
179、一種高取向溴化亞銅半導體薄膜的電化學制備方法
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180、用于清洗半導體基質上無機殘渣含有銅特效**抑制劑的含水清洗組合物
181、半導體銅鍵合焊點表面保護
182、形成銅金屬線的方法
183、化學機械拋光銅表面用的**延遲拋光漿液
184、具有改善構形的銅內連線結構以及制造內連線結構的方法
185、摻雜碳和硅的銅互連
186、半導體激光器列陣銅鎢合金熱沉及其制備方法

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