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本套《金氧半導體晶體管制造方法,金屬氧化物晶體管生產工藝專利技術》均為專利原版全文說明書；資料含詳細的材料配方、加工方法、制作步驟、說明書附圖等，國家所有專利均為電子文檔。權威可靠，假一賠十！【業務咨詢QQ:478224130 15023180499 ,】
一、專利目錄
1 01124119.5 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
2 02151469.0 超薄絕緣體基外延硅金屬氧化物半導體晶體管的閾值電壓調節方法
3 01140867.7 電流控制的金屬氧化物半導體晶體管放大電路
版 4 02141154.9 金氧半導體晶體管的制造方法
權 5 01129648.8 金氧半導體晶體管的制造方法
所 6 01129649.6 金氧半導體晶體管的制造工藝
有 7 01129650.X 金氧半導體晶體管的制造方法
8 01806740.9 具有雙柵極結構的溝槽型雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
* 9 02156454.X 制作金氧半導體晶體管的方法
* 10 01812833.5 功率金屬氧化物半導體晶體管的配置
* 11 03108679.9 金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
專 12 02146952.0 形成具有自我對準的金屬氧化物半導體晶體管的方法
利 13 86101350 帶有埋置絕緣氧化物區的金屬氧化物半導體晶體管制作方法
網 14 88100546 雙極型和互補金屬氧化物半導體晶體管的集成制造工藝
w 15 90108153.1 雙極型和互補金屬氧化物半導體晶體管
w 16 91104429.9 雙極型和互補金屬氧化物半導體晶體管的集成制造工藝
w 17 98108029.4 高速/高性能金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
. 18 98105351.3 制作雙電壓金屬氧化物半導體晶體管的方法
w 19 99101709.9 具有浮動柵極的金屬氧化物半導體晶體管的參考電壓發生電路
o 20 99105495.4 金屬氧化物半導體晶體管對裝置
l 21 97120453.5 具有P<sup>＋</sup>多晶硅柵極的金屬氧化物半導體晶體管的制作方法
o 22 99109412.3 制造金屬氧化物半導體晶體管的方法
n 23 00131772.5 垂直型金屬氧化物半導體晶體管
g 24 01111690.0 垂直金屬－氧化物－半導體晶體管及其制造方法
g 25 01111691.9 垂直金屬－氧化物－半導體晶體管
a 26 00804475.9 具有到上表面上漏極觸點的低電阻通路的溝槽式雙擴散金屬氧化物半導體晶體管結構
n 27 00812811.1 具有減輕的擊穿現象的溝道型雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
g 28 200680009257.7 金屬氧化物半導體晶體管控制
. 29 200610138918.8 移除間隙壁的方法、金氧半導體晶體管元件及其制造方法
c 30 200610143397.5 制作金屬氧化物半導體晶體管的方法
o 31 200610143398.X 金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法
m 32 200710005358.3 互補式金屬氧化物半導體晶體管的制作方法及其結構
33 200710005947.1 互補式金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法
電 34 200610135985.4 高壓應力薄膜與應變硅金屬氧化物半導體晶體管及其制法
話 35 03137771.8 一種雙柵金屬氧化物半導體晶體管及其制備方法
： 36 200410061688.0 垂直金屬氧化物半導體晶體管
1 37 200410067218.5 三維互補金屬氧化物半導體晶體管結構及其制備方法
5 38 200410071086.3 金屬氧化半導體晶體管的制造方法與縮小柵極線寬的方法
0 39 02825738.3 電性程序化的金屬氧化半導體晶體管源極/漏極串聯電阻
1 40 200410067219.X 一種雙柵金屬氧化物半導體晶體管的結構及其制備方法
5 41 03811420.8 以減少遠處散射的柵極氧化制造高性能金屬氧化物半導體晶體管的方法
8 42 200410028380.6 金屬氧化物半導體晶體管的結構以及其形成方法
0 43 200410039633.X 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
5 44 200410031528.1 金屬氧化物半導體晶體管元件的制造方法
9 45 02129830.0 雙功函數互補金氧半導體晶體管及其制法
資 9 46 01818142.2 雙擴散型金氧半導體晶體管的制造方法
料 8 47 02145725.5 靜電放電防護電路與相關的金屬氧化半導體晶體管結構
來 48 03123843.2 使用多柵極晶體管的互補金屬氧化物半導體晶體管反向器
源 QQ 49 03100978.6 穿隧偏壓金屬氧化物半導體晶體管
： 1 50 03106302.0 制作柵極和金屬氧化物半導體晶體管的方法
科 1 51 03119110.X 側面擴散金屬氧化半導體晶體管的結構及其制作方法
創 3 52 02140138.1 金氧半導體晶體管的制造方法
技 4 53 03122440.7 測量金屬氧化半導體晶體管的柵極通道長度的方法
術 2 54 200380102528.X 具源極穿孔絕緣體硅基板上金氧半導體晶體管
資 6 55 200510070731.4 金屬氧化物半導體晶體管和其制造方法
料 8 56 200510120416.8 金屬氧化物半導體晶體管電路
3 57 200410094674.9 具有金屬硅化物的金屬氧化物半導體晶體管元件與其工藝
網 9 58 200510087320.6 金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
5 59 200480016271.0 金屬絕緣體半導體晶體管和互補金屬氧化物半導體晶體管
C 60 200510008283.5 間隙壁的移除方法及金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
C 61 200510063833.3 制作金屬氧化物半導體晶體管的方法
C 62 200510074787.7 高壓金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法
． 63 200510074789.6 高壓金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法
C 64 200480042015.9 具有均化電容的高壓和低導通電阻橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管
ｏ 65 200510091053.X 互補式金屬氧化物半導體晶體管元件及其制作方法
ｌ 66 200510092414.2 互補式金屬氧化物半導體晶體管影像感測器及其制造方法
ｏ 67 200610110850.2 金屬氧化物半導體晶體管單元及半導體裝置
ｎ 68 200510099536.4 高壓金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
ｇ 69 200510103766.3 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
ｇ 70 200510109796.5 超高壓金屬氧化物半導體晶體管元件
ａ 71 200510108839.8 金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
ｎ 72 200510118120.2 金屬氧化物半導體晶體管元件
ｇ 73 200610084436.9 柵極、包含此柵極的金屬氧化物半導體晶體管及制造方法
． 74 200510120486.3 制作高張力薄膜及應變硅金屬氧化物半導體晶體管的方法
ｃ 75 200510126971.1 橫向雙重擴散式金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
ｏ 76 200610168436.7 制作應變硅互補式金屬氧化物半導體晶體管的方法
ｍ 77 200610063940.0 橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
78 200510022959.6 超高壓金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法
咨 79 200610170193.0 窄寬度金屬氧化物半導體晶體管
詢 80 200610004618.0 金氧半導體晶體管及其間的自我對準接觸以及其制造方法
QQ 81 200610103999.8 半導體結構及N型金屬氧化物半導體晶體管的形成方法
： 82 200610084223.6 金屬氧化物半導體晶體管的制作方法
4 83 200610084227.4 形成金屬氧化物半導體晶體管的方法
4 84 200610084285.7 自動對準凹入式柵極金氧半導體晶體管元件的制作方法
7 85 200610100969.1 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
４ 86 200610108174.5 金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法與改善方法
２ 87 200610121572.0 金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
６ 88 200710005880.1 制作應變硅互補金屬氧化物半導體晶體管的方法
８ 89 200710193994.3 金屬氧化物半導體晶體管及高壓金屬氧化物半導體晶體管
7 90 200710088542.9 應變硅互補型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法
９ 91 200710088451.5 金屬氧化物半導體晶體管的金屬硅化工藝及晶體管結構
５ 92 200710089856.0 復合硬掩模層、金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法
93 200710109981.3 凹入式柵極金屬氧化物半導體晶體管裝置及其制作方法
94 200710091742.X 制作金屬氧化物半導體晶體管元件的方法
95 200710096511.8 互補式金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
96 200710102132.5 具有Y型金屬柵極的金屬氧化物半導體晶體管及其工藝
97 200710110249.8 金屬氧化物半導體晶體管及其形成方法
98 200710108878.7 制造金屬氧化物半導體晶體管的方法
99 200710108879.1 金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法
100 200710128367.1 非對稱金屬氧化物半導體晶體管及制造方法及用其的元件
101 200710128375.6 高壓金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
102 200710138321.8 互補式金屬氧化物半導體晶體管的制作方法
103 200710140931.1 高壓金屬氧化物半導體晶體管
104 200810169121.3 金屬氧化物半導體晶體管及相關制造方法
105 200710171663.X 雙應力膜互補金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
106 200810188831.0 橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
107 200910024962.X P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
108 200910024963.4 N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
109 200810074311.7 功率金屬氧化物半導體晶體管元件與布局
110 200810081284.6 金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法
111 200810081285.0 金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法
112 200910132147.5 雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
113 200910134316.9 形成金屬氧化物半導體晶體管的方法
114 200810212848.5 金屬氧化物半導體晶體管
115 200910032751.0 P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
116 200910032752.5 N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
117 200910032304.5 P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
118 200910032305.X N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
119 200910149277.X 超自對準溝槽型雙擴散金屬氧化物半導體晶體管結構及其制造方法
120 200910159413.3 橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
121 200910199442.2 橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管結構
122 200910198558.4 避免雙峰效應的橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管結構
123 200810227483.3 互補型金屬氧化物半導體晶體管器件及其制作方法
124 200910224796.8 非對稱金屬-氧化物-半導體晶體管
125 201010022706.X 高壓橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管結構的制作方法
126 200810190539.2 具靜電放電保護的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件
127 200910131089.4 金屬氧化物半導體晶體管結構
128 201010154520.X 橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
129 201010153755.7 溝槽式金屬氧化物半導體晶體管
130 200910203089.0 具有雙柵極結構的溝槽型雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
131 200420059368.7 使用多柵極晶體管的互補金屬氧化物半導體晶體管反向器
132 200620122164.2 電壓控制晶體管和橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管
133 200620121379.2 金屬氧化物半導體晶體管元件
二、專利購買說明
全套資料僅售 125 元，可通過QQ或郵箱在線傳送，網傳免郵費。如需郵寄光盤（即將以上電子文檔刻錄到光盤中），郵費另計。
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三、專利購買方式
第一種：可以通過銀行轉賬，即時傳送；
第二種：可使用支付寶、百付寶、財付通擔保交易
第三種：本套《金氧半導體晶體管制造方法,金屬氧化物晶體管生產工藝專利技術》支持全國800多個城市貨到付款（貨到付款郵費另計20元）
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