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1、半導體裝置及其制法、電路基板、電光學裝置和電子儀器
[技術摘要]本發明提供可以謀求凸起電極厚膜化和制造成本降低化的半導體裝置的制造方法。上述凸起電極以樹脂材料作為芯，至少由導電膜覆蓋其頂部。具有由噴墨法將樹脂材料配置在形成電極端子的基板P上的工序和形成連接電極端子和樹脂材料的頂部的金屬配線的工序。
2、半導體裝置及其制法、集成電路、電光學裝置、電子儀器
[技術摘要]在薄膜晶體管等半導體裝置中，提供一種能避免在半導體膜邊緣部分中電場集中，并提高可靠性的技術。本發明半導體裝置的制造方法，包括：第一工序，在絕緣基板上形成島狀半導體膜；第二工序，將包括半導體膜邊緣部分在內的半導體膜，用第1絕緣膜覆蓋；第三工序：將半導體膜上部的第1絕緣膜避開該半導體膜的邊緣部形成開口；第四工序，至少在絕緣膜開口部的半導體膜上形成比第1絕緣膜厚度相對薄的第2絕緣膜；和第五工序，在第2絕緣膜上形成電極配線膜。
3、布線圖案及膜圖案形成方法、半導體裝置、電光學裝置及電子機器
[技術摘要]一種布線圖案形成方法，包括：在基板上的所定區域形成圍堰的步驟；向用圍堰包圍的區域，噴出包含布線圖案的材料的功能液，使功能液干燥后，形成布線圖案的步驟；去除一部分圍堰，以便使圍堰的高度與布線圖案的厚度大致相同的步驟。半導體裝置的布線圖案，采用上述布線圖案形成方法形成，電光學裝置具有該半導體裝置，電子機器具有上述電光學裝置。實現能夠抑制起因于布線材料向絕緣膜等處擴散的半導體裝置等的性能的劣化、能夠抑制電路布線與其它電路布線及半導體裝置的導體層短路的布線圖案形成方法、膜圖案形成方法、半導體裝置、電光學裝置及電子機器。
4、半導體基板的制造方法和電光學裝置的制造方法
[技術摘要]提供一種不會使*件破損和損傷，能夠確實使夜間與配線基板導通的半導體基板的制造方法。本發明的半導體基板的制造方法，其特征在于其中包括：將配線基板與*件基板粘合后，將*件基板的第二基板從半導體*件剝離，通過無電解電鍍法將該經剝離剝下的*件側端子，與位于半導體*件外側的配線側端子進行電連接的工序。
5、用于制造光學半導體模塊的方法和模具
7、圖案及配線形成方法、半導體裝置、TFT器件、電光學裝置
8、用于產生均勻光強分布的半導體激光光束線的光學器件
9、用化學機械拋光的平整步驟制造半導體器件的方法
10、半導體或絕緣材料層的機械-化學新拋光方法
11、半導體激光器及其控制方法、光學器件以及激光器裝置
12、光學半導體封止用透明環氧樹脂組合物和使用該組合物的光學半導體集成電路器件
13、半導體裝置、半導體裝置的制造方法以及電光學裝置
14、制備光學半導體裝置的方法
*、半導體光學放大器
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16、化學機械拋光以及利用其制造半導體器件的方法
17、能夠補償納米形貌效應的化學機械拋光用漿液組合物、以及利用其的半導體*件的表面平坦化方法
18、使用半導體光學透鏡的*檢測單*
19、用于制備可分離半導體組件的工藝、特別是制成電子器件、光電器件和光學器件用的襯底
20、半導體光電化學電池單*的制造方法及該電池單*
21、半導體晶片，固態成像器件和光學器件模塊及二者的制造方法
22、半導體裝置、電路基板、電光學裝置以及電子機器
23、化學機械拋光頭、設備和方法以及由此制造的平面化半導體晶片
24、半導體薄膜及半導體裝置的制造方法、半導體裝置、集成電路、電光學裝置及電子機器
25、半導體裝置及其制造方法、電光學裝置和電子儀器
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26、用于拋光和研磨光學和半導體表面的流體動力學徑向流設備
27、用于密封光學設備的樹脂組合物，及其固化產物和密封半導體*件的方法
28、用于半導體晶片的化學機械拋光設備的裝載裝置
29、半導體光學傳感裝置及信息設備
30、半導體光學*件的制造方法
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31、半導體裝置以及其制造方法、電光學裝置和電子機器
32、用于將半導體晶片固定在化學-機械拋光設備中的固定環
33、包含光學半導體波導器件的系統
34、適用于半導體化學機械拋光的金屬氧化物漿料的制備方法
35、化合物半導體集成光學光纖陀螺芯片
36、半導體激光裝置和光學拾取裝置
37、偏振不靈敏半導體光學放大器的制備方法
38、提高靈敏度的光學半導體器件
39、半導體裝置以及具有該裝置的光學裝置用模塊
40、半導體晶片拋光過程中的光學終點檢測裝置和方法
41、光學半導體模塊和受光組件
42、半導體激光裝置及采用該半導體激光裝置的光學拾取裝置
43、用于光學半導體封裝的環氧樹脂組合物
44、半導體裝置以及其制造方法、集成電路、電光學裝置、電子設備
45、生產高分子量有機聚硅氧烷的方法，包含該高分子量有機聚硅氧烷的組合物，和用其固化產物密封的光學半導體器件
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46、半導體激光器單*和光學頭裝置
47、半導體器件光學檢測裝置及檢測方法
48、光學半導體器件
49、半導體基片制造方法、半導體基片、電光學裝置及電子設備
50、接觸孔洞光學鄰近效應修正和掩模及半導體裝置制造方法
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51、光學半導體和光學半導體模塊的密封封裝
52、光學半導體封裝用的環氧樹脂組成物
53、薄膜半導體裝置及其制造方法、電光學裝置、電子機器
54、用于金屬的化學機械拋光漿液及利用該漿液制備半導體裝置的金屬線接觸插頭的方法
55、半導體裝置、半導體裝置的制造方法及電光學裝置
56、光接收半導體器件和光學拾取設備
57、光學透鏡及半導體激光裝置
58、半導體裝置、電光學裝置和電子儀器
59、具有大的光學超晶格波導的高功率半導體激光器
60、超平坦化學機械拋光技術之方法及使用該方法制造的半導體組件
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61、制造半導體*件的方法及其化學機械拋光系統
62、用于電子光學器件的半導體電路及其制造方法
63、半導體激光裝置和光學拾取裝置
64、化學機械拋光用淤漿及其形成方法和半導體器件制造方法
*、電學法測量結型半導體發光管或激光器熱阻前遮光方法
66、半導體器件及其制作方法和光學器件模塊
67、半導體激光驅動裝置、光學頭裝置、光信息處理裝置及光記錄介質
68、半導體光學設備組件
69、利用光脈沖對形成在半導體晶片上的結構進行的光學度量
70、用于光電子學的半導體芯片及其制造方法
71、用于半導體器件與光纖的無源光學對準的集成平臺
72、表面發光半導體激光器及其制造方法和光學裝置
73、光學膜厚測量方法、成膜方法和半導體激光器制造方法
74、一種采用雙波長集成半導體激光器的光學頭裝置
75、一種半導體激光器及其光學集成半導體器件的制造方法
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76、光學半導體器件
77、包封光學半導體*件的環氧樹脂組合物和光學半導體器件
78、半導體器件及包括該半導體器件的光學器件
79、有機膜的化學機械拋光及制造半導體器件的方法
80、確定半導體晶片的光學屬性的方法與系統
81、具有包括半導體源的發射器和光纖結構的光學單*及其制造方法
82、半導體基板的化學機械拋光方法和化學機械拋光用水分散液
83、用于半導體淺溝隔離加工的化學機械拋光漿料組合物
84、半導體裝置及其制造方法、電光學裝置、電子機器
*、制造光學*件和半導體*件的方法
86、使用通過加熱的化學反應和擴散制造化合物半導體和化合物絕緣體的方法、使用該方法制造的化合物半導體和化合物絕緣體、以及使用該化合物半導體和化合物絕緣體的光電池、電子電路、晶體管和儲存器
87、封裝光學半導體*件的樹脂，含該封裝*件的設備及其制法
88、半導體激光裝置、其制造方法以及使用該裝置的光學拾取頭裝置
89、光學研磨機及用其加工半導體用蘭寶石晶體基片的方法
90、光學半導體器件、光連接器以及電子設備
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91、發光的光學半導體主體
92、將半導體發光器件光學耦合到光纖上的半導體器件
93、光學半導體器件及其制造方法和電子器件
94、包括多個光學有源區的半導體激光器
95、光學半導體模塊和制造該模塊的方法
96、工作臺裝置、成膜裝置、光學*件、半導體*件及電子設備
97、半導體激光器輸出的光學耦合裝置
98、光學半導體封裝用組合物、光學半導體封裝材料以及光學半導體封裝用組合物的制備方法
99、用于封裝光學半導體*件的環氧樹脂組合物及使用該組合物的光學半導體器件
100、半導體激光裝置及其制造方法和光學拾波裝置
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101、用于增強半導體化學－機械拋光過程中金屬去除率的方法
102、半導體裝置和電光學裝置
103、防止化學機械拋光中的凹陷和侵蝕的半導體器件制造方法
104、半導體發光器件及使用半導體發光器件的光學裝置
105、降低厚度變化的化學機械拋光方法及半導體器件制備方法
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106、衍射*光學*件實現半導體激光器面陣的光束整形方法
107、光學半導體器件
108、半導體器件、光學器件模塊以及半導體器件的制造方法
109、使用機器學習系統的對在半導體晶片上形成的結構的光學計量
110、半導體激光裝置和光學讀寫裝置
111、反波導大光學腔半導體激光器
112、半導體光學裝置，在半導體光學裝置中形成接觸的方法
113、光學泵浦的半導體激光器設備
114、光學*件及其制作方法以及光刻設備和半導體器件的制造方法
1*、用弧光放電等離子體化學氣相沉淀法在金剛石表面制備半導體材料的方法
116、布線圖形形成方法、半導體裝置制造方法以及電光學裝置
117、半導體裝置、電光學裝置、集成電路及電子設備
118、光學半導體器件
119、用于化學機械拋光的水分散體和半導體設備的生產方法
120、半導體裝置、電光學裝置、集成電路和電子儀器
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121、光學半導體器件及其制造方法
122、光學半導體*件密封用環氧樹脂組合物和使用它的光學半導體裝置
123、光學*件用組件及使用該組件的光學半導體器件
124、半導體硅片化學機械拋光用清洗液
*、發射輻射的半導體器件，其制造方法及發射輻射的光學器件
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126、具有光學組件的半導體封裝結構及其封裝方法
127、光學半導體*件封裝的片和制造光學半導體器件的方法
128、半導體裝置安裝方法、電路基板、電光學裝置和電子儀器
129、具有可見光響應的多孔薄膜半導體光電極及光電化學反應裝置及制備
130、半導體激光裝置及光學拾取裝置
131、發光二極管、光學半導體*件及適用的環氧樹脂組合物及其制造方法
132、半導體激光器部件、用于該半導體激光器部件的光學裝置以及用于制造該光學裝置的方法
133、用于波長**的半導體光學放大器的制備方法
134、薄膜圖案形成方法、半導體器件、電光學裝置、電子儀器
135、半導體銻化銦化學機械拋光液
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136、制造半導體光學透鏡的方法和由其制造的半導體光學透鏡
137、用于將半導體晶片固定在化學-機械拋光設備中的固定環
138、布線圖形的布局方法、半導體器件及圖形的光學修正方法
139、半導體激光線陣及迭陣的*通道熱沉化學清洗裝置
140、半導體器件和光學裝置
141、形成封裝的具有多個光學*件的半導體發光器件的方法
142、包封光學半導體*件的環氧樹脂組合物和光學半導體器件
143、光學半導體器件的制造方法
144、一種采用半導體激光器的光學拾取頭裝置
145、分層半導體襯底和光學半導體*件
146、使用包括衍射光學*件的照明系統制造半導體器件的方法
147、半導體激光器裝置及使用該激光器裝置的光學拾取裝置
148、環氧樹脂粘結組合物以及采用它的光學半導體用粘結劑
149、光學半導體模塊和制造該模塊的方法
*0、光學半導體器件及其制造方法
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*1、光學指向裝置及其電源半導體裝置
*2、適用于半導體化學機械拋光的金屬氧化物漿料的制備方法
*3、光波導、半導體光學集成*件及其制造方法
*4、光學半導體*件及適用的環氧樹脂組合物及其制造方法
*5、用于半導體晶圓的化學機械拋光機的裝載裝置
*6、用于化學機械拋光的漿料、拋光方法及半導體器件的制造方法
*7、有內置光接收*件的半導體器件、制造方法及光學拾波器
*8、半導體光接收*件、和具有該半導體光接收*件的光學拾波器件
*9、半導體激光器驅動電路和光學頭
160、薄膜半導體裝置、電光學裝置、以及電子儀器
161、半導體光學測量真空輔助低溫裝置
162、半導體發光器件、光學拾取單*及信息記錄/再現裝置
163、化學機械拋光后半導體表面的清洗溶液
164、噴出方法、透鏡及其制造方法、半導體激光器及其制造方法、光學裝置以及噴出裝置
1*、半導體激光器單*和光學頭裝置
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166、光學耦合半導體裝置和電子裝置
167、一種化學機械拋光半導體晶片用的拋光液
*、集成半導體光學設備以及制造該設備的方法和裝置
169、在半導體晶片化學機械拋光時輸送拋光液的系統
170、半導體裝置及制造方法、電路基板、電光學裝置、電子機器
171、半導體裝置和電光學裝置
172、包括在其中具有光學*件的柔性膜的半導體發光器件及其裝配方法
173、用于電子光學器件的半導體電路及其制造方法
174、電壓供給裝置和半導體裝置、電光學裝置和電子機器
175、半導體光學*件及其制造方法
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176、可光學配置的納米管或納米線半導體器件
177、具有半導體主體的發光光學*件
178、具有光學組件的半導體封裝結構及其制造方法
179、光學半導體裝置與封裝制模具的制造方法以及封裝制模具及其制造設備
180、光學*件、光半導體裝置及使用它們的光學式信息處理裝置
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181、半導體光學器件頂部金屬層表面介質層的移除方法
182、用于光電子學的半導體芯片及其制造方法
183、具有小尺寸光學黑區的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器
184、半導體晶片精密化學機械拋光劑
1*、化合物半導體化學拋光**液
186、以光學方式測量半導體器件的電介質厚度的系統和方法
187、電流產生電路、半導體集成電路、電光學裝置以及電子設備
188、半導體激光器件、其制造方法以及使用其的光學拾取器件
189、利用化學機械拋光工藝的半導體器件制造方法
190、半導體器件和一種使用該半導體器件的光學器件
191、用于電子光學器件的半導體電路及其制造方法
192、半導體裝置及具備該半導體裝置的光學裝置用組件
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