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.以下為光盤目錄：
1、圖案化并排列半導體納米粒子
[技術摘要]本發明提供一種制造包括排列的半導體納米粒子和受體基材的器件的方法，包括以下步驟：a排列多個第一半導體納米粒子；b將排列的第一半導體納米粒子沉積到第一給體片材上；和c通過使用激光照射，將至少一部分排列的第一半導體納米粒子轉移到受體基材。通常，所述半導體納米粒子是無機的半導體納米粒子。排列步驟可以通過任何適當的方法實現，通常包括：1通過可以織構的或*孔道的表面中或其上的毛細流動排列：2通過可以自組裝單層上模板化而排列：3通過可以織構聚合物表面上模板化而排列：或4通過混入包括向列型液晶的組合物中隨后剪切取向向列型液晶而排列。在一些實施方式中，所述方法另外包括以下步驟：d排列第二多個第二納米粒子；e將排列的第二納米粒子沉積到相同的給體片材或第二給體片材

2、納米半導體粒子增強蠶絲纖維基復合材料的制備方法
[技術摘要]本發明涉及一種納米半導體粒子增強蠶絲纖維基復合材料的制備方法，屬于先進復合材料技術領域。選用來源廣泛，生物相容性好的天然蠶絲纖維作為基體材料，先后將其在一定濃度的金屬鹽溶液和硫源溶液中進行浸漬處理，通過對浸漬液濃度，反應時間的調節來控制半導體納米顆粒的形貌，大小及在基體上的分布情況，得到納米半導體粒子增強蠶絲纖維基復合材料。本發明所得復合材料在光化學催化、光致發光、生物檢測和標記等領域具有重大的應用價值。由于天然蠶絲纖維與納米半導體增強材料的有機結合，使得這種復合材料應用方便且容易回收再利用，從而避免了納米半導體粒子可能對環境產生的二次污染，也節約了材料的使用成本。

3、利用空氣環境用冶金級硅粒子生產半導體級硅球產品
[技術摘要]本發明涉及到一種由冶金級硅制造用于太陽電池的太陽電池級的單晶硅球的方法.該方法包括將冶金級硅粒子篩分到所需范圍及在空氣中將粒子外表面進行氧化從而在其上形成氧化表面層.然后粒子在空氣中被加熱并使在表面層內的硅熔化從而使雜質移向表面層.然后將其中的表面層和雜質**掉對剩下的粒子再次重復該循環直到硅純度達到所需級別.可采用一中間粒化步驟來產生用于重復循環中的加工原料的基本上直徑均勻的球體.

4、具有減少外部能量粒子沖擊的半導體裝置
[技術摘要]本發明是有關于一種具有減少外部能量粒子沖擊的半導體裝置。其主要包括NMOS晶體管、PMOS晶體管、第一電壓以及第二電壓。NMOS晶體管位于深N型井區的P型井區上。PMOS晶體管位于該深N型井區的N型井區上。第一電壓耦合至PMOS晶體管的源極節點。第二電壓高于第一電壓，且第二電壓耦合至N型井區，其中第二電壓用以擴展PMOS與NMOS晶體管的空乏區，以吸收外部的能量粒子所形成的電子及電洞。

5、固定金屬粒子的方法和采用這種固定方法制造
6、二維半導體和金屬納米粒子陣列的全濕法合成方法
7、表面改性的半導體納米粒子
8、多級半導體致冷粒子
9、電鍍銅方法、用于電鍍銅方法的含磷銅陽極、及用所述方法和陽極電鍍的粒子附著少的半導體晶片
10、使用樹脂粒子的半導體襯底上的有機膜的研磨方法和料漿
11、硫化鎘半導體納米粒子的界面化學制備方法
12、納米半導體粒子增強蛋膜纖維基復合材料的制備方法
13、剛性基質中的小粒子半導體
14、粒子半導體材料的摻雜
15、金屬納米粒子-半導體介質復合薄膜及制法和全光克爾開關
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16、帶電粒子束裝置、控制方法、基板檢查方法及半導體器件制造方法
17、一種制備單分散半導體硒化物納米粒子的方法
18、小型半導體激光塵埃粒子計數器
19、銅銦硫半導體納米粒子的制備方法
20、電鍍銅方法、電鍍銅用純銅陽極以及使用該方法和陽極進行電鍍而得到的粒子附著少的半導體晶片
21、作為改善有機半導體中電荷載子移動性添加劑之硅粒子
22、膠體金和半導體熒光納米粒子雙標記快速免疫****

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三、購買方式（三種）
第一種：可以通過銀行轉賬，即時傳送；
第二種：可使用支付寶、百付寶、財付通擔保交易
第三種：本套支持全國800多個城市貨到付款（貨到付款郵費另計20元）