核心柵極技術 分離柵極工藝制造半導體器件技術工藝匯編
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核心柵極技術 分離柵極工藝 制造半導體器件技術工藝匯編部分目錄如下:
[ [0001] 低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
[0002] 電鍍電極的制作方法
[0003] 薄膜晶體管的制造方法及其結構本發明提供了一種位于基板上的薄膜晶體管。薄膜晶體管至少包含：緩沖層，位于基板上；第一多晶硅層和第二多晶硅層，位于緩沖層上，其中第一多晶硅層具有第一柵極區域、輕摻雜區域和第一重摻雜區域，第二多晶硅層具有第二柵極區域和第二重摻雜區域，第一柵極區域外部依序圍繞輕摻雜區域和第一重摻雜區域，而第二柵極區域外部圍繞第二重摻雜區域；漏極/源極，位于第一重摻雜區域和第二重摻雜區域中；輕摻雜，位于輕摻雜區域中；柵極氧化層，位于第一多晶硅層、第二多晶硅層和緩沖層上；第一柵極和第二柵極，位于柵極氧化層上，并分別位于第一柵極區域和第二柵極區域的上方。
[0004] 太陽能模件的連接器
[0005] 真空容器
[0006] 半導體器件制造方法以及激光輻照設備
[0007] 多重曲率透鏡及其具有多重曲率透鏡的發光二極管的封裝結構
[0008] 液體供給裝置及基板處理裝置
[0009] 集成的場效應晶體管和肖特基器件
[0010] 多批晶圓修改屬性編號的方法
[0011] 不對稱晶體結構存儲單元
[0012] 圖案形成方法
[0013] 固態成像裝置的制造方法
[0014] 用聚硅氮烷基材料填充高深寬比隔離結構
[0015] 半導體集成電路裝置
[0016] 一種用于半導體裝置的設備 [0017] 非易失存儲器及其制造和編程方法
[0018] 半導體器件以及用于制造半導體器件的方法
[0019] 具有控制電路的ESD保護電路
[0020] 用于真空處理裝置的真空室
[0021] 用于晶片烘焙盤的冷卻裝置
[0022] 布線結構
[0023] 多位元堆疊式非易失性存儲器及其制造方法
[0024] 基板運送裝置和基板運送方法以及真空處理裝置
[0025] 表面處理方法、硅外延片的制造方法以及硅外延片
[0026] 高K介電薄膜及其制造方法
[0027] 晶片加工方法
[0028] 波長變換型發光二極管
[0029] 圖案形成方法、器件及制造方法、電光學裝置和電子儀器
[0030] 制造半導體器件的方法
[0031] 圖案的形成方法及其裝置、器件的制造方法、電光學裝置
[0032] NAND型雙位氮化物只讀存儲器及制造方法
[0033] 基于雙目機器視覺的球柵陣列半導體器件品質檢測系統
[0034] 半導體裝置的制造方法
[0035] 浪涌保護半導體裝置
[0036] 半導體模塊及其制造方法、電子設備、電子儀器 [0037] 有機膜的化學機械拋光及制造半導體器件的方法
[0038] 用于制造半導體器件的方法
[0039] 高介電常數膜的精確圖案化
[0040] 靜電卡盤裝置用電極片、靜電卡盤裝置及吸附方法
[0041] 半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子機器
[0042] 半導體裝置的制造方法
[0043] 具有超晶格半導體層的半導體器件及其制造方法
[0044] 集成電路器件和布線板
[0045] 晶片背表面處理方法以及切割片粘附裝置
[0046] 加工方法和半導體器件的制造方法
[0047] 用于摘取電子元件的設備和方法
[0048] 處理設備、處理方法、壓力控制方法、傳送方法以及傳送設備
[0049] 終點檢測方法及終點檢測裝置
[0050] 圖形形成方法
[0051] 一種用于半導體裝置的設備
[0052] 復合低介電常數的介電結構
[0053] 基板輸送裝置和基板輸送方法及真空處理裝置
[0054] 半導體器件及其制造方法
[0055] 用于制造布線的方法和用于制造半導體器件的方法
[0056] 減少漏損的半導體二極管 [0057] 利用犧牲掩模層形成自對準接觸結構的方法
[0058] 具有硅氧烷聚合物界面的有機薄膜晶體管
[0059] 制備場效應晶體管橫向溝道的方法及場效應晶體管
[0060] 半導體裝置及其制造方法
[0061] 集成電路、存儲單元及制造方法、存儲單元的程序化方法
[0062] 縱型半導體器件及其制造方法
[0063] 光掩膜、制造圖形的方法以及制造半導體器件的方法
[0064] 引線框架及其制造方法以及半導體器件
[0065] 一種清潔半導體裝置的方法和設備
[0066] 用離子束改性技術控制半金屬場效應管溝道材料的載流子密度
[0067] 用于安裝半導體的裝置
[0068] 發光半導體器件及其制造方法
[0069] 使用IR和/或NIR輻射干燥有機半導體層、導體層或濾色器層的方法
[0070] 強電介質存儲元件及其制造方法
[0071] 低成本微電子電路封裝
[0072] 設計圖形、光掩模、光刻膠圖形及半導體器件的制造方法
[0073] 改良的半導體芯片與引出線焊接模
[0074] 不需要單獨溶劑沖冼步驟的脫除側壁聚合物和蝕刻劑殘余物的組合物
[0075] 掩埋布線的形成方法及半導體器件
[0076] 以部分空乏與完全空乏晶體管建構的靜態存儲元件 [0077] 半導體測試處理器中放置半導體器件的裝置
[0078] 在腐蝕過程中保護微機械器件金屬連線的密封方法
[0079] 無引線型半導體封裝及其制造方法
[0080] 有溝槽隔離的半導體裝置
[0081] 基于區熔硅單晶的雙極光晶體管及其探測方法
[0082] 半導體集成電路器件的制造方法
[0083] 發光二極管燈
[0084] 圖案形成方法
[0085] 形成結晶半導體層的方法和裝置，以及制造半導體裝置的方法
[0086] 具犧牲層的嵌入式非揮發性存儲器的制造方法
[0087] 半導體集成電路裝置操作分析方法和系統及最優設計方法
[0088] 電阻型隨機存取內存的結構及其制造方法
[0089] 一種氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物發光二極管的制造方法
[0090] 銅金屬鑲嵌工藝及其結構
[0091] 半導體器件和半導體存儲器件
[0092] 氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
[0093] 包括輔助支架鍵合修正的發光二極管及其制造方法
[0094] 光電元件及其制造方法
[0095] 一種氮化物器件倒裝的方法
[0096] 使用于雙鑲嵌蝕刻方法的雙層金屬硬屏蔽 [0097] 蝕刻中止層的重作方法
[0098] 一種用于光電器件封裝的半導體載體
[0099] 利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體元件制成方法
[0100] 半導體器件
[0101] 降低集成電路制程的對準準確度要求的方法
[0102] 一種制備大面積鐵電薄膜的方法
[0103] 襯底定位的方法和裝置
[0104] 切割芯片焊接薄膜固定碎片工件的方法及半導體器件
[0105] 含多個部件傳送器件的半導體裝置
[0106] 半導體裝置
[0107] 半導體裝置及其制造方法
[0108] 具納米晶體或納米點之存儲單元
[0109] 半導體電容器結構及其制造方法
[0110] 電子部件的安裝方法、電子部件的安裝結構、電子部件模塊和電子設備
[0111] 電子元件安裝設備及電子元件安裝方法
[0112] 充當多層鏡面的封裝結構
[0113] 半導體裝置及其制造方法
[0114] 半導體集成電路裝置
[0115] 固態圖像傳感器件及其制造方法
[0116] 從一基底移除殘余物的方法 [0117] 取代并五苯半導體
[0118] 用于制造電子器件的基于熔化的圖案化工藝
[0119] 多區域垂直配向薄膜晶體管陣列基板的制造方法
[0120] 具有微米級熱電臂的微型熱電元件的微加工方法
[0121] 具對稱性選擇晶體管的快閃存儲器的布局
[0122] 無孔隙金屬互連結構及其形成方法
[0123] 有源矩陣襯底的制造方法及使用所述襯底的圖象顯示設備
[0124] 覆晶封裝制程及其所使用的基材及不沾焊料的印刷網版
[0125] 多晶硅薄膜的制造方法
[0126] 質量流控制流量檢定和校準的方法
[0127] 基板的蝕刻處理方法及蝕刻處理裝置
[0128] 導線結合結構和連接到微電子電路小片的方法
[0129] 柵體短路的薄膜晶體管、其制造方法及相關顯示器
[0130] 采用晶片鍵合和SIMOX工藝的不同晶體取向自對準SOI
[0131] 不合格檢測方法和不合格檢測裝置
[0132] 內連線錯誤的改善圖案
[0133] 半導體裝置及其制造方法
[0134] 制造半導體元件的方法
[0135] 多結構的硅鰭形及制造方法
[0136] 具有二極管存儲胞光罩式只讀存儲器的制作方法 [0137] 多晶硅層的結晶方法
[0138] 半導體器件及其制造方法
[0139] 抗蝕劑圖案及配線圖案的形成方法、半導體裝置的制造法
[0140] 用來將多個錫球黏著于芯片的植球裝置
[0141] 硅晶圓及其制造方法
[0142] 氣壓差吸引裝置
[0143] 半導體設計布圖形成方法和圖形圖案形成單元
[0144] 藥液處理裝置、藥液處理方法及電路基板的制造方法
[0145] 半導體裝置及其制造方法
[0146] 薄膜電晶體及具有此種薄膜電晶體的畫素結構
[0147] 硅絕緣體晶片及其制造方法
[0148] 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的開關器件
[0149] 用于記憶體積體電路的晶圓等級燒錄
[0150] 避免1 SRAM加工中上電極層因應力導致縫隙產生的方法
[0151] 電路模塊
[0152] 覆晶封裝制程
[0153] 更換等離子體反應室的電極組合的方法
[0154] 半導體裝置的制造方法
[0155] 用于化學機械拋光的漿料、拋光方法及半導體器件的制造方法
[0156] 具有三維溝道的金屬氧化物半導體（MOS）晶體管及其制造方法 [0157] 固體攝像裝置的制造方法
[0158] 半導體裝置
[0159] 蝕刻量檢測方法、蝕刻方法和蝕刻裝置
[0160] 半導體元件
[0161] 柵極結構及包含此結構的金氧半晶體管結構及其制造方法
[0162] 形成絕緣體上硅鍺襯底材料的方法、襯底材料及異質結構
[0163] 圖案形成方法
[0164] 靜電放電保護電路的結構
[0165] 薄膜裝置的制造方法、電光學裝置和電子設備
[0166] 受光或發光用半導體裝置
[0167] 多晶硅薄膜的制造方法
[0168] 等離子體蝕刻方法和等離子體處理裝置
[0169] 半導體器件
[0170] 高密度等離子體加工設備
[0171] 摻雜裝置和摻雜方法以及薄膜晶體管的制作方法
[0172] 控制存儲器電阻性質的氧含量系統及方法
[0173] 不同隔離溝槽深度的存儲器制法及裝置
[0174] 噴淋頭組合和具有噴淋頭組合用于制造半導體裝置的設備
[0175] 半導體器件及其制造方法和半導體器件制造工藝評價方法
[0176] 發光二極管 [0177] 半導體裝置的制造方法
[0178] 分離柵極快閃內存單元的字符線結構及其制造方法
[0179] 用于RRAM的旋轉涂布Pr1-xCx<...
[0180] 超音波振動裝置及采用該裝置的濕式處理裝置
[0181] 用于雙極集成電路的單元結構及其方法
[0182] 形成金屬硅化物的方法
[0183] 測試襯底的回收方法和裝置
[0184] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置制造系統
[0185] 低泄漏異質結垂直晶體管及其高性能器件
[0186] 處理方法和處理系統
[0187] 一種表面增透發光二極管
[0188] 用于制造半導體芯片的方法
[0189] 光掩模、使用該光掩模的圖案形成方法及該光掩模的掩模數據編制方法
[0190] 半導體存儲裝置及其制造方法
[0191] 具有改良的漏極觸點的溝槽雙擴散金屬氧化半導體器件
[0192] 半導體組件測試方法及測試半導體組件之系統
[0193] 基板支承用槽棒及使用該槽棒的基板載具
[0194] 一種集成電路用熱管散熱器及其制造方法
[0195] 連接裝置
[0196] 在導熱散熱器上具有潤濕層的電子組件 [0197] 半導體元件及其制造方法
[0198] 半導體封裝及其制造方法
[0199] 半導體器件及其制造方法
[0200] 電容器的制造方法
[0201] 結晶裝置，結晶方法，薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管和顯示裝置
[0202] 半導體制造裝置
[0203] 固態成像器件及其制造方法
[0204] 在SONOS閃存中的雙倍密度核心柵極
[0205] 用于熱處理室的圓筒
[0206] 制造具有絕緣性能提高的氮化膜的半導體器件的方法
[0207] 用于改良晶片可靠性的密封針腳結構
[0208] 安裝半導體的裝置
[0209] 制備硫化鎘-二氧化硅核殼結構三維光子晶體的方法
[0210] 基板處理裝置和基板搬送裝置的位置對準方法
[0211] 一種發光芯片及發光二極管
[0212] 感光性板狀構件吸附機構和圖像記錄裝置
[0213] 薄膜涂布單元和薄膜涂布方法
[0214] 器件測試設備和測試方法
[0215] 固態成像裝置及其制造方法
[0216] 電子元件安裝用薄膜載帶的檢測裝置及檢測方法 [0217] 布線板及其制造方法、半導體器件及其制造方法
[0218] 一種集成電路結構與設計方法
[0219] 半導體裝置及其制造方法
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