“動力星”DRT803/301A
IGBT驅動變壓器
DRT系列IGBT驅動變壓器系我公司為驅動IGBT和MOSFET而專門研制的最新產品，以非晶合金和納米晶合金作為磁芯，可滿足多項應用要求。
一．產品特點：
①耦合電容低，使之具有很高的抗乾擾能力；
②漏感小，保證瞭更好的輸出脈沖波形；
③無開關延時、瞬時傳輸功率高；
④抗電強度高，安全可靠；
⑤全封閉，機械和耐環境性能好；
⑥體積小巧，結構緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。
二．使用條件：
①環境溫度：-40℃~+85℃
②相對濕度：溫度為40℃時不大於90%
③大氣壓力：860~1060mbar（約為650~800mmHg）
三．絕緣耐熱等級：F級（155℃）
四．安全特性：
①絕緣電阻：常態時大於1000MΩ
②阻燃性：符合UL94-V0級
五．各參數意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術參數（典型值）
①各參數的意義：
u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。
VP—各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值，持續時間60s。
∫udt—額定伏微秒積≈V1·tn（在一定頻率范圍內其值基本不變）。
V1—輸入脈沖幅度（初級脈沖電壓）。
tn—在相應的V1和FP下驅動變壓器的額定傳輸脈寬。
V2—輸出脈沖幅度（次級脈沖幅度）。
RL—IGBT模塊或MOSFET控制級等效電阻。
LP—線圈初級電感量 f=1000Hz V=0.3V
LS—漏感（將次級繞組短路後測量）f=1000Hz V=1V
CK—分佈電容 f=1000Hz V=1V
②外形圖、安裝尺寸、線圈圖及主要技術參數
u | Vp （kV） | 初級電感 LP | 漏感 LS | 分佈電容 CK | ∫udt （μV S） | V1 （V） | tn （μS） | V2 （V） | RL （Ω） | 使用頻率范圍 |
3:1 | 6.0 | 3.5mH | 12μH | 32pF | ≥1000 | 30 | 33.3 | 9 | 100 | 100Hz~50 kHz |
新手教學
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
