商品代碼:3635677

  • 供應HMDS預處理真空烘箱 適用於電子行業及半導體應用 廠傢直銷
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    商品詳細說明

    HMDS預處理

    真空烘箱

     

    備註一下:需要HMDS瓶子防護罩、波紋管需要加長到2米、備用的藍色蓋子的用戶請跟銷售人員說一下,這些都不是標準件,是需要另外定制的,因為有個別用戶需求不同,請根據需要選擇.

     

    適用於電子行業及半導體

     

    一.HMDS 預處理系統的必要性:
    在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,塗膠質量直接影響到光刻的質量,塗膠工藝顯得更為重要。光刻塗膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而矽片表麵的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和矽片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和矽片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二矽氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS塗到矽片表麵後,經烘箱加溫可反應生成以矽氧烷為主體的化合物。它成功地將矽片表麵由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。

     

    二.產品特點:
    1)
    設備外殼采用醫用級不銹鋼316L不銹鋼材質制作,內膽為不銹鋼316L材料制成;采用C型不銹鋼加熱管,均勻分佈在內膽外壁,內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置;采用鋼化、防彈雙層玻璃觀察窗,便於觀察工作室內物品實驗情況。
    2)箱門閉合松緊能調節,整體成型的矽橡膠門封圈,確保箱內保持高真空度。
    3)
    采用微電腦PID控制,系統具有自動控溫,定時,超溫報警等,采用LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩定.

    4)智能化觸摸屏控制系統配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據不同制程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時間。
    5)HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計,使真空箱密封性能極好,確保HMDS氣體無外漏顧慮。
    6)整個系統采用優質醫用級316L不銹鋼材料制作,無發塵材料,適用百級光刻間凈化環境。

     

    三.產品型號及參數:

     

    型號:PVD-090-HMDS
    容積:90L
    控溫范圍:R.T.+10~250℃
    溫度調節精度:0.1℃
    控溫精度:±0.5℃
    隔板數量:2PCS
    真空度:<133Pa
    真空泵:DM4
    電源:AC220/50HZ
    額定功率:3.0KW
    內膽尺寸mm:寬450*深450*高450
    外形尺寸mm:寬650*深640*高910

    木箱包裝尺寸mm:寬840*深750*高1100

    連接管:不銹鋼波紋管,完全密封將真空泵與烘箱連接

    四.PVD-090-HMDS系列預處理系統的原理:
    PVD-090-HMDS預處理系統通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在矽片、基片表麵均勻塗佈一層HMDS,降低瞭HMDS處理後的矽片接觸角,降低瞭光刻膠的用量,提高光刻膠與矽片的黏附性。

     

    五.PVD-090-HMDS系列預處理系統的一般工作流程:
    首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內真牢度達到某一高真空度後,開始充入氮氣,充到某低真空度後,再次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數後,開始保持一段時間,使矽片充分受熱,減少矽片表麵的水分。然後再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間後,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使矽片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間後,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業過程。HMDS與矽片反應機理如圖:首先加熱到100-200,去除矽片表麵的水分,然後HMDS與表麵的OH一反應,在矽片表而生成矽醚,消除氫鍵作,從而使極性表麵變成非極性表麵。整個反應持續到空間位阻(三甲基矽烷基較大)阻止其進一步反應。

     

    六.尾氣排放:

    多餘的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。

     

    七.產品操作控制系統平臺配置:

    1.采用DM4直聯旋片式真空泵

    2.采用AISET溫控器控制溫度,日本三菱可編程顯示屏操作模塊.

    3.固態繼電器

     



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