機器簡介:
納米粒度測量——最新動態光背散射技術
隨著顆粒粒徑的減小,例如分子級別的大小,顆粒對光的散射效率急劇降低,使得經典動態光散射技術的自相關檢測(PCS)變得更加不確定。40多年來,Microtrac公司一直致力於激光散射技術在顆粒粒度測量中的應用。作為行業的先鋒,早在1990年,超細顆粒分析機器 UPA(Ultrafine Particle Analyzer)研發成功,首次引入由於顆粒在懸浮體系中的佈朗運動而產生頻率變化的能譜概念,快速準確地得到被測體系的納米粒度分佈。2001年,利用背散射(Back-scattered)和異相多譜勒頻移(Heterodyne Doppler Frequency Shifts)技術,結合動態光散射理論和先進的數學處理模型,NPA150/250將分析范圍延伸至0.8nm-6.5μm,樣品濃度更可高達百分之四十,基本實現樣品的原位檢測。異相多普勒頻移技術采用可控參考穩定頻率,直接比照因顆粒的佈朗運動而產生的頻率漂移,綜合考慮被測體系的實時溫度和粘度,較之於傳統的自相關技術,信號強度高出幾個數量級。另外,新型“Y”型梯度光纖探針的使用,實現瞭對樣品的直接測量,極大的減少瞭背景噪音,提高瞭機器的分辨率。
Zeta電位測量:
美國麥奇克有限公司(Microtrac Inc.)以其在激光衍射/散射技術和顆粒表征方麵的獨到見解,經過多年的市場調研和潛心研究,開發出最新一代Nanotrac wave微電場分析技術,融納米顆粒粒度分佈與Zeta電位測量於一體,無需傳統的比色皿,一次進樣即可得到準確的粒度分佈和Zeta電位分析數據。與傳統的Zeta電位分析技術相比,Nanotrac wave采用先進的“Y”型光纖探針光路設計,配置膜電療產生微電場,操作簡單,測量迅速,無需精確定位由於電泳和電滲等效應導致的靜止層,無需外加大功率電場,無需更換分別用於測量粒度和Zeta電位的樣品池,完全消除由於空間位阻(不同光學元器件間的傳輸損失,比色皿器壁的折射和污染,比色皿位置的差異,分散介質的影響,顆粒間多重散射等)帶來的光學信號的損失,結果準確可靠,重現性好。
技術參數:
粒度分析范圍: | 0.8nm-6.5µm |
重現性: | 誤差≤1% |
Zeta電位測量范圍: | -200mV~200mV |
電導率: | 0-200ms/cm |
濃度范圍: | ppb-40% |
檢測角度: | 180° |
分析時間: | 30-120秒 |
準確性: | 全量程米氏理論及非球形顆粒校正因子 |
測量精度: | 無需預選,依據實際測量結果,自動生成單峰/多峰分佈結果 |
理論設計溫度: | 0-90℃,可以進行程序升溫或降溫 |
兼容性: | 兼容任何有機溶劑及大多數酸性或堿性溶液 |
測量原理: | 粒度測量:動態光背散射技術和全量程米氏理論處理 Zeta電位測量:膜電療設計與“Y”型探頭形成微電場測量電泳遷移率 分子量測量:水力直徑或德拜曲線 專利技術:膜電療,微電場電勢測量,“Y”型光纖探針設計,異相多普勒頻移,可控參比方法,快速傅立葉轉換算法,非球形顆粒校正因子 |
光學系統: | 3mW780nm半導體固定位置激光器,通過梯度步進光纖直接照射樣品,在固定位置用矽光二極管接受背散射光信號,無需校正光路 |
軟件系統: | 先進的Microtrac FLEX軟件提供強大的數據處理能力,包括圖形,數據輸出/輸入,個性化輸出報告,及各種文字處理功能,如PDF格式輸出, Internet共享數據,Microsoft Access格式(OLE)等。體積,數量,麵積及光強分佈,包括積分/微分百分比和其他分析統計數據。數據的完整性符合21 CFR PART 11安全要求,包括口令保護,電子簽名和指定授權等。 |
外部環境: | 電源要求:90-240VAC,5A,50/60Hz 環境要求:溫度,10-40°C 相對濕度:小於95% |
配置: | 有內置和外置光纖測量探頭可選 |
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