| 加工定制：是 | 種類：化合物半導體 | 特性：透光性好 耐磨損 耐腐蝕 耐高溫 物理化學性能穩定 |
| 用途：藍寶石襯底外延基片 | 工藝：泡生法 |
在中國大陸地區以 最新的LED PSS乾蝕刻法生產良品率最高、亮度最高、生產成本最低的高亮LED襯底產品。可代工，歡迎垂詢。
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| 材料 Material | 高純度單晶Al2O3 |
| 晶向 Orientation | C麵（0001）±0.3° |
| 對M軸偏離角度 | 0.20 ± 0.05° |
| 對A軸偏離角度 | 0.0 ± 0.1° |
| 直徑 Dismeter | 50.8±0.15mm |
| 厚度 Thickness | 330μm/430μm±25μm |
| 總厚度偏差TTV | ＜10μm |
| 表麵總平整度TIR | ≦10μm |
| 彎曲度 WARP | ≦15μm |
| 翹曲度 BOW | -10 ~ 0μm |
| 定位麵方向 Primary Flat Location | A麵（11-20） |
| 定位麵偏離角度Flat Off-set Angle | 0.0 ± 0.2° |
| 定位邊長Primary Flat Length | 16±0.5mm |
| 表麵粗糙度Frontside Surface Roughness | RA≦3Å（即Ra≦0.3nm） |
| 背麵粗糙度 Backside Surface Roughness (Ra) | Ra=0.5~1.0μm |
| 包裝 Package | 潔凈室內真空沖氮包裝 |
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