品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120ANTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) |
溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 |
封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 |
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT溝道IGBT結合最佳的抗雪崩能力和經優化的開關和導通損耗性能權衡,能為電磁加熱(IH)應用提高系統可靠性和效率。
FGA25N120ANTD專為微波爐、IH電飯煲和其它IH炊具而設計,與上一代器件相比,它的工作溫度可降低達10℃,因而能夠延長系統壽命。NPT溝道IGBT采用飛兆半導體的專利溝道技術和非穿通型(NPT)技術。這種優化的單元設計和薄型晶圓制造工藝使得FGA25N120ANTD能夠耐受最大450mJ的雪崩能量,確保在異常的雪崩模式情況下仍能進行無故障運作。
飛兆半導體功能功率部副總裁Taehoon Kim稱:“在電磁加熱設備中,不穩定的功率、AC線路浪湧和系統故障會引起雪崩模式情況,導致機器瞬間失效。為瞭解決IH應用中的這些可靠性問題,我們的新型1200V NPT溝道IGBT提供業界最佳的抗雪崩能力,還同時優化性能方麵的權衡,以降低工作溫度及提升總體系統效率。”
FGA25N120ANTD的其它特性和系統優勢包括:低飽和電壓 (VCE(sat), typ=2.0V IC=25A和TC=25°C)以限制導通損耗;低開關損耗(Eoff, typ = 0.96mJ IC=25A和TC=25°C)以減少系統功耗;以及內置FRD(快速恢復二極管)以簡化電路設計和減少元件數。
FGA25N120ANTD以TO-3P無鉛封裝形式供貨,能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求,並符合現已生效的歐盟標準
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