| 品牌：先童 | 型號：G40N60 | 種類：絕緣柵(MOSFET) |
| 溝道類型：N溝道 | 導電方式：耗盡型 | 用途：L/功率放大 |
| 封裝外形：CHIP/小型片狀 | 材料：GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流：, |
| 跨導：, | 開啟電壓：, | 夾斷電壓：,, |
| 低頻噪聲系數：, | 極間電容：, | 最大耗散功率：, |
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| 品牌：先童 | 型號：G40N60 | 種類：絕緣柵(MOSFET) |
| 溝道類型：N溝道 | 導電方式：耗盡型 | 用途：L/功率放大 |
| 封裝外形：CHIP/小型片狀 | 材料：GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流：, |
| 跨導：, | 開啟電壓：, | 夾斷電壓：,, |
| 低頻噪聲系數：, | 極間電容：, | 最大耗散功率：, |
