| 品牌：FUJI/富士通 | 型號：2SK1082 | 種類：絕緣柵(MOSFET) |
| 溝道類型：N溝道 | 導電方式：增強型 | 用途：MOS-INM/獨立組件 |
| 封裝外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：N-FET矽N溝道 | 最大漏極電流：1 |
| 低頻噪聲系數：1 | 極間電容：1 |
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| 品牌：FUJI/富士通 | 型號：2SK1082 | 種類：絕緣柵(MOSFET) |
| 溝道類型：N溝道 | 導電方式：增強型 | 用途：MOS-INM/獨立組件 |
| 封裝外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：N-FET矽N溝道 | 最大漏極電流：1 |
| 低頻噪聲系數：1 | 極間電容：1 |
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