| 品牌：IXYS/艾賽斯 | 型號：IXFB70N60Q2 | 種類：結型(JFET) |
| 溝道類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式：耗盡型 | 用途：MOS-HBM/半橋組件 |
| 封裝外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：GaAS-FET砷化鎵 |
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| 品牌：IXYS/艾賽斯 | 型號：IXFB70N60Q2 | 種類：結型(JFET) |
| 溝道類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式：耗盡型 | 用途：MOS-HBM/半橋組件 |
| 封裝外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：GaAS-FET砷化鎵 |
