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[26217-0006-0001] 具有浮動阻隔環的化學機械研磨頭
[摘要] 一種具有浮動阻隔環的化學機械研磨頭，包括有一基座、一晶圓邊緣壓覆環以及一下部組件；該晶圓邊緣壓覆環固定于該基座上，且于該基座正下方定義出一口袋區域，用來容納一晶圓，該下部組件經由一隔膜浮動于該口袋區域內。該下部組件包括有一圓形背板，具有復數個開孔分布于該背板的一中心區域內、一箝制環，用來將該隔膜緊鎖于該背板的一邊緣區域，以及一浮動阻隔環機構，嵌于該背板的該中心區域以及該邊緣區域之間，通過一獨立的氣囊控制；利用本發明可在研磨時提供平整的背板底部，以大幅改善研磨均勻度。
[26217-0003-0002] 晶圓的化學機械研磨裝置
[摘要] 一種晶圓的化學機械研磨裝置，其特征是：它的研磨平臺具有發射特定光線的光源發射器及偵測經由晶圓所反射的特定光線的光線偵測器；設置于研磨平臺上的研磨墊具有第一開口；透光構件拆裝式地設置于該第一開口；研漿供應系統供應研漿至研磨墊表面；旋轉載具固持并旋轉晶圓，晶圓表面與研漿和研磨墊接觸進行化學機械研磨制程。具有簡化更換研磨墊的步驟、降低生產成本及有效解決因為滲水而造成研磨終點誤判的功效。
[26217-0007-0003] 化學機械研磨組合物及方法
本發明是提供一種用于半導體加工的化學機械研磨組成物，其包含水性介質、研磨顆粒及研磨促進劑，其中該研磨促進劑選自右式所示結構的化合物或其酸加成鹽。其中Ｘ及Ｙ是含有未鍵結孤對電子的原子或原子團；Ｒ1及R2各自獨立代表Ｈ、烷基、氨基、氨基烷基或烷氧基。本發明的化學機械研磨組成物可視需要包含酸性介質或其鹽類，以進一步促進研磨速率。本發明亦提供一種使用上述化學機械研磨組合物以研磨半導體晶圓表面的方法。
[26217-0017-0004] 晶圓研磨用定位環
[摘要] 一種晶圓研磨用定位環，包括有一環體，為正圓形無端環，內徑配合待研磨晶圓的外徑，用以套合待研磨晶圓，帶動晶圓同心旋轉；所述環體外周壁頂緣有同體適當寬度與高度的環形凸緣，所述環形凸緣上有復數個等距離環形排列的凹孔，用以分別壓嵌入配合的螺護套；還有一螺護套，配合所述環體環形凸緣上復數個凹孔數量，用以分別壓嵌入所述凹孔定位；及復數個出水孔，設於所述環體周壁上并貫穿周壁，用以出水；其改進部分在於所述環體下緣有復數個凹入環體的廢物槽，該廢物槽是內端封閉漸趨擴大至外周緣而呈斜錐狀，用以利用所述晶圓研磨定位環旋轉時離心力，將研磨所產生廢物經該廢物槽甩出。
[26217-0015-0005] 一種晶圓研磨定位環
[摘要] 本實用新型涉及研磨晶圓的定位環，使晶圓中心與旋轉中心保持一致。一種晶圓研磨定位環，其包括：環體、出水孔，環體為正圓形無端環；其特征是：該環體設有與待研磨晶圓外徑相配合的內徑，環體外周緣頂緣設有環形凸緣。環體周壁上設有貫穿周壁等角度排列的一個以上的出水孔。用于研磨半導體晶片。
[26217-0010-0006] 具有溫度控制研磨頭的化學機械研磨系統
[摘要] 本發明有關于一種具有溫度控制研磨頭的化學機械研磨系統，用于研磨晶圓，其包括一研磨頭；一連接研磨頭的內管，其中內管內填充有熱媒介物；一連接內管的媒介物加熱器；以及一連接內管的壓力控制器。本發明的本發明化學機械研磨系統不會在晶圓上形成不需要復雜度，且能增加化學機械研磨率并能改進化學機械研磨均一性。
[26217-0018-0007] 晶圓研磨定位環
[摘要] 一種晶圓研磨定位環，包括有一環體，為正圓形無端環，內徑配合待研磨晶圓的外徑，用以套合待研磨晶圓，帶動晶圓同心旋轉；前述環體外周壁頂緣有同體適當寬度與高度的環形凸緣，前述環形凸緣上有復數個等距離環形排列的凹孔，用以分別壓嵌入配合之螺護套；一螺護套，配合前述環體環形凸緣上復數個凹孔數量，用以分別壓嵌入前述凹孔定位；還具有復數個出水孔，設於前述環體周壁上并貫穿周壁，用以出水；其改進處在于：前述環體下緣有復數條凹入環體的廢物槽，該廢物槽系貫穿前述環體內外周緣間，用以利用前述晶圓研磨定位環旋轉時的離心力，將研磨所產生廢物經過廢物槽甩出其構造的改進部分是在晶圓研磨定位環的環體下緣，有復數條環形排列凹入環體的廢物槽，用以利用研磨定位環旋轉時的離心力，甩出研磨所產生的廢物。
[26217-0012-0008] 晶圓研磨定位環
[摘要] 一種晶圓研磨定位環，包括：一環體，由具有極佳承載性、耐磨性及耐腐蝕性的晶狀塑膠一體成形，其內徑與所套合并帶動同軸旋轉的待研磨晶圓的外徑相配合；環體周壁頂緣設有同體適當寬度與高度的環形凸緣，凸緣上設有若干等距離環形排列的凹孔，復數個螺護套與凹孔相配合并壓嵌在凹孔內定位，若干出水孔設于環體周壁，并貫穿環體周壁向外排水；其環體下緣設有若干個凹入環體的廢物槽，該廢物槽內、外兩端開口呈斜錐狀凹槽，用以降低研磨所產生廢物的摔出速度。
[26217-0011-0009] 防止晶圓表面氧化層研磨厚度不均的方法
[摘要] 本發明提供了一種防止晶圓表面氧化層研磨厚度不均的方法，涉及化學機械研磨工藝。在現有的研磨過程中，由于研磨墊的反復使用，使得研磨墊上研磨液的殘留物逐漸增加，導致晶圓表面氧化層研磨厚度的不均勻。本發明的方法在兩片晶圓的研磨間隙，執行一研磨墊沖洗步驟，且沖洗時間大于10秒。采用該方法可有效去除研磨墊上殘留的研磨液，避免在后續的研磨過程中因研磨液濃度過高而導致晶圓表面研磨厚度不均，從而提高產品的良率。
[26217-0014-0010] 改進的晶圓研磨定位環結構
[摘要] 一種改進的晶圓研磨定位環結構，其環體由非金屬本體環上部左旋螺紋螺合金屬環所構成。其中本體環下緣有復數個環形等距離排列的廢物摔出槽；環體內外有貫穿本體環與金屬環的復數個出水孔。本實用新型克服了公知技術的缺點，其環體由本體環與金屬環結合而成，其上緣環形排列結合驅動件的復數個螺孔可直接制作于金屬環上，可避免公知技術中有二次誤差的缺陷，并提高其合格率降低生產成本；且本體環下緣設復數個廢物摔出槽，其兩側壁為弧形壁或斜直壁構成，可減緩研磨時廢物摔出的速度。
[26217-0027-0011] 晶圓研磨環及其制造方法
[26217-0048-0012] 用于研磨半導體晶圓的研磨頭
[26217-0031-0013] 研磨漿臂自動控制裝置及方法
[26217-0001-0014] 可即時補償研磨曲面的控制系統
[26217-0050-0015] 一種晶圓控片的研磨方法
[26217-0033-0016] 化學研磨墊、其制造方法及半導體晶圓的化學機械研磨方法
[26217-0038-0017] 研磨墊和利用該研磨墊制造半導體器件的方法
[26217-0056-0018] 晶圓研磨環結構
[26217-0009-0019] 化學機械研磨漿液與化學機械平坦化方法
[26217-0053-0020] 晶圓研磨環專用研磨加工機
[26217-0035-0021] 研磨半導體晶圓的設備及方法
[26217-0029-0022] 化學機械研磨漿液組合物及其使用方法
[26217-0030-0023] 一體成型PU研磨墊的制造方法
[26217-0026-0024] 晶圓上的校正符號的清潔方法以及化學機械研磨制程后續再清潔制程的方法
[26217-0036-0025] 研磨墊
[26217-0019-0026] 研磨墊
[26217-0005-0027] 化學機械研磨漿液組合物及其使用方法
[26217-0021-0028] 研磨墊以及研磨晶圓的方法
[26217-0049-0029] 一種防止研磨機臺上研磨料聚合的噴水裝置及其使用方法
[26217-0024-0030] 化學機械研磨裝置以及研磨方法
[26217-0002-0031] 晶圓的化學機械研磨方法及其裝置
[26217-0028-0032] 化學機械研磨設備
[26217-0037-0033] 修整晶圓研磨墊的修整器及其制造方法
[26217-0040-0034] 化學機械研磨組合物
[26217-0025-0035] 化學機械研磨制程控制方法
[26217-0051-0036] 研磨漿臂自動控制裝置
[26217-0032-0037] 用于研磨機臺的晶圓壓力調整系統
[26217-0055-0038] 化學機械研磨機臺的改良型噴頭結構
[26217-0043-0039] 晶圓研磨用清洗劑
[26217-0041-0040] 化學機械研磨時間控制方法
[26217-0022-0041] 化學機械研磨裝置及其研磨墊輪廓的控制系統與調節方法
[26217-0046-0042] 晶圓背面研磨方法
[26217-0042-0043] 一種化學機械研磨機臺化學液供給裝置
[26217-0023-0044] 研磨晶圓的材料層的方法
[26217-0045-0045] 研磨機臺反應系統的預熱方法
[26217-0052-0046] 化學機械研磨裝置
[26217-0034-0047] 研磨墊及其制造方法
[26217-0020-0048] 晶圓背面研磨制程
[26217-0013-0049] 改良的晶圓研磨定位環
[26217-0057-0050] 晶圓研磨定位環
[26217-0039-0051] 一種自動加工研磨墊工藝方法
[26217-0054-0052] 晶圓研磨環構造
[26217-0004-0053] 化學機械研磨裝置的晶圓載具結構
[26217-0016-0054] 晶圓研磨定位環
[26217-0008-0055] 一種改善研磨時間控制的方法
[26217-0044-0056] 研磨墊的清洗方法
[26217-0047-0057] 研磨墊及研磨裝置
[26217-0058-0058] 晶圓切割研磨排放水的粉末回收裝置

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