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    供應錳酸鑭技術專題,方法錳,制備固體,法制備類技術資料(168元/全套)貨到付款
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    錳酸鑭技術專題,方法錳,制備固體,法制備類技術資料(168元/全套)貨到付款

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    [22076-0002-0001] 注漿法制備固體氧化物燃料電池錳酸鑭鍶自支撐管方法
    [摘要] 本發明屬固體氧化物燃料電池(SOFC)陰極自支撐管的注漿法制備工藝。工藝包括:模型制備-調漿料-球磨混料-注漿-脫膜-燒結等過程。漿料由錳酸鑭鍶(LSM)按一定配比加入水和分散劑、增塑劑制成。料漿中LSM占20-35wt%,水占65-80wt%。分散劑為阿拉伯樹膠粉、羧甲基纖維素,兩者各占LSM干粉量的0.2-0.4wt%,經球磨混合分散后形成懸浮性能良好的料漿。料漿注入石膏模經3至15分鐘后,可形成厚度均勻的管狀坯體。坯體在石膏模中靜置3-15個小時之后再脫模,脫膜后陳放10至20小時,坯體經1000℃至1200℃溫度下預燒,最后在1300℃至1400℃溫度下燒結而成制品。本發明工藝簡單,濕坯脫模性好,制品壁薄而厚度均勻、收縮率低、孔隙率適當且孔隙分布均勻,強度高,適合實驗室或小批量化生產。
    [22076-0001-0002] 半導體和錳酸鑭p-n結
    [摘要] 本發明涉及電子學領域,特別是涉及一系列新型p-n結。本發明將p型錳酸鑭La1-xAxMnO3薄膜材料(其中A是Ca或Sr或Ba或Pb或Sn)或n型錳酸鑭La1-xBxMnO3(其中B是Te或Nb或Sb或Ta),所有x的取值范圍為0.005~0.5,與n型或p型半導體材料(選擇摻雜的硅或鍺或砷化鎵)進行疊層生長,制備成半導體和錳酸鑭的p-n結、p-p結、n-n結、p-n-p結、n-p-n結等結構。本發明的制作工藝簡單,穩定性好,可廣泛應用于電子器件。
    [22076-0003-0003] 在硅片上外延生長摻雜錳酸鑭薄膜異質結材料及制備方法
    本發明涉及在硅片上外延生長摻雜錳酸鑭薄膜和異質結材料及制備方法,該材料包括在n型硅片上生長一層p型的摻雜錳酸鑭La1-xAxMnO3薄膜,形成p-n異質結材料;其中A為:Ca、Sr、Ba、Pb或Sn,所有x的取值范圍為0.05~0.5;或在p型硅片上生長一層n型的摻雜錳酸鑭La1-xBxMnO3薄膜,形成p-n異質結材料;其中B為:Ce、Pr、Te、Nb、Sb或Ta,所有x的取值范圍為0.05~0.5。制備方法采用兩步法,將錳酸鑭或摻雜的錳酸鑭材料直接外延生長在硅襯底上,或把在硅片上生長的錳酸鑭或摻雜錳酸鑭作為緩沖層,然后再外延生長其它鈣鈦礦氧化物薄膜,或多層膜。
    [22076-0004-0004] 錳酸鑭系負溫度系數半導體陶瓷及其制備方法
    [摘要] 本發明公開了一種錳酸鑭系負溫度系數半導體陶瓷及其制備方法,其組分和含量為LaMnO3基礎上添加10-70mol%TiO2,同時添加0-60mol%的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制備步驟包括(1)配料,(2)造粒,(3)成型,(4)燒成,(5)電極制備。本發明克服了NTCR陶瓷材料室溫電阻較大的缺點,提供了一種具有良好的導電性能和高溫穩定性、實現了室溫電阻率為182Ω.cm,而溫度系數B值為3268K的錳酸鑭為基的鈣鈦礦型NTCR半導體陶瓷。本發明在溫度測量、抑制浪涌電流和溫度補償方面得到廣泛應用。
    [22076-K0003-0005] 納米錳酸鑭酒石酸凝膠法制備與表征-----[來源:無機鹽工業 日期:2001年4期] [摘要] 用酒石酸溶膠-凝膠法制備出了納米材料錳酸鑭,研究了燒結條件的改變對材料的物相結構、粒徑大小的影響,并用X-ray和TEM對材料進行了表征。
    [22076-K0001-0006] 錳酸鑭電極滲透鈷改性的機制研究-----[來源:中國稀土學報 日期:2007年2期] [摘要] 通過熱重分析和電化學阻抗譜研究相結合,研究了Co滲透對鍶摻雜錳酸鑭-釔穩定氧化鋯(LSM-YSZ)復合電極性能影響的機制.Co滲透用前驅硝酸鹽的熱分析表明,Co(NO3)2的分解產物在600~750 ℃溫度范圍內有一個明顯的失重過程,該失重過程對應Co2O3分解為Co3O4,在高于900 ℃的失重對應Co3O4分解為CoO,降溫過程中850 ℃附近的增重對應CoO吸氧成Co3O4,電化學阻抗譜的結果與熱分析結果對應,表現為在有Co的氧化物變相時非歐姆阻抗有明顯降低,沒有氧化物變化時非歐姆阻抗無降低,這種對應關系表明,Co滲透對LSM-YSZ電極的改善作用主要來自于在溫度變化過程中Co氧化物的分解和氧化帶來的LSM-YSZ電極體系內氧的變化.
    [22076-K0002-0007] 錳酸鑭和氧化釔穩定的氧化鋯復合陰極的研究-----[來源:高等學校化學學報 日期:2001年5期] [摘要] 用交流阻抗,強極化和電導測量等方法考察了一系列不同氧化釔穩定氧化鋯(YSZ)含量的鍶摻雜錳酸鑭(LSM)復合陰極的電化學性能,發現隨著摻入YSZ量的增大,陰極性能大幅度提高,當YSZ質量分數為40%時,電極性能最好,電化學極化電阻約為1.18Ω/cm^2。通過分析發現,YSZ的摻雜使電極反應過程的控制步驟發生了變化。同時發現,隨著YSZ含量的增加,電極的接觸電阻增大,以Pt為電流收集層和40%的YSZ+LSM的復合電極形成的二層電極可有效地消除接觸電阻,進一步提高了復合電極的性能。在1223K極化電阻從1.18Ω/cm^2。
    [22076-K0004-0008] 用反向膠束輔助法分散氧化還原陰極用碳載體上的亞錳酸鑭-----[來源:炭黑工業 日期:2005年4期] [摘要] 通過反向膠束法(RM),用聚(氧乙烯)5壬苯基醚(表面活性劑)和環己胺(溶劑)將LaMnO(3+3),氧化物均勻分散在炭黑載體上。將含金屬[RM(A)]硝酸鹽的RM分散體和另一種含N(CH3)4OH.的分散體混合,可制備含納米級氧化物[RM(C)]前驅體的RM分散體。在加入乙醇后,RM(C)的穩定性降低,前驅體沉淀下來,通過在空氣或N2中煅燒,分別轉化成六角氧化物(LaMnO3.15)或正交氧化物(LaMnO3.00)。

     


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