半導體元器件專利技術三（168元/全套）
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1200510097881.4光照設備、結晶設備、結晶方法、半導體器件及光調制元件
2200410088232.3半導體元件的制造方法
3200510113663.5用于大功率半導體模塊和圓片單元的接觸裝置
4200510112829.1半導體發光元件及其制造方法
5200480007918.3氮化物半導體元件及其制造方法
6200510103842.0保護元件及使用保護元件的半導體裝置
7200510118762.2半導體激光元件的制造方法
8200410086570.3半導體元件的封裝體及其封裝方法
9200510108525.8用于形成半導體元件的板狀基體及其制造方法
10200410087174.2半導體構裝元件的測試方法
11200510093507.7半導體元件及其制造方法
12200510114141.7半導體元件的連接結構、布線襯底及半導體裝置
13200510108523.9半導體發光元件及其制造方法
14200510118739.3半導體發光元件的制造方法
15200510120114.0Ⅲ-V族化合物半導體發光元件及其制造方法
16200480007437.2銅合金濺射靶、其制造方法以及半導體元件布線
17200480009473.2半導體元件及其制造方法
18200480009511.4制造雙極型半導體元件的方法和相應的雙極型半導體元件
19200410092365.8制作半導體晶體管元件的方法
20200510103409.7記憶胞及其制造方法、半導體元件與記憶胞陣列
21200410094674.9具有金屬硅化物的金屬氧化物半導體晶體管元件與其工藝
22200510119489.5半導體發光元件
23200480010244.2基質材料和能夠發光的有機半導體的混合物、其用途和含有所述混合物的電子元件
24200480010276.2可在基材上直接形成納米結構的材料沉積的電化學方法以及由此方法所制的半導體元件
25200480010018.4線路元件和使用線路元件的半導體電路
26200510131574.3半導體發光元件
27200480010414.7喹喔啉衍生物以及使用它的有機半導體元件、電致發光元件以及電子儀器
28200410095437.4使用致密加工流體和超音波能處理半導體元件的方法
29200510113698.9電容絕緣膜及其制造方法、電容元件及其制造方法和半導體存儲裝置及其制造方法
30200410090459.1半導體發光元件及其制作方法
31200510118766.0制造具有外部接觸連接的半導體元件的方法
32200510088729.X改善電子遷移的半導體元件與半導體元件的形成方法
33200510118514.8半導體元件以及半導體元件的制造方法
34200510120219.6半導體激光元件及其制造方法
35200480012649.X用于半導體工業中的三元材料的無電沉積用組合物
36200480012603.8能夠補償納米形貌效應的化學機械拋光用漿液組合物、以及利用其的半導體元件的表面平坦化方法
37200580000359.8碳化硅半導體元件及其制造方法
38200510115960.3半導體元件及制造銅導線的方法
39200510125404.4氮化物半導體元件
40200480013991.1半導體結構中元件間的空隙作為隔離的用途
41200510098325.9自動摻雜使N井及N+埋藏層隔離的半導體元件
42200510118089.2用于半導體元件的電容器及其制造方法
43200510132639.6單元、標準單元、標準單元庫、使用標準單元的布局方法和半導體集成電路
44200510030868.7含有金屬鉻基板的銦鎵鋁氮半導體發光元件及其制造方法
45200510030874.2含有金鍺鎳的歐姆電極、銦鎵鋁氮半導體發光元件及制造方法
46200480001693.0半導體存儲器單元、陣列、體系結構和器件及其操作方法
47200510109275.X具有紫外光保護層的半導體元件及其制造方法
48200510124242.2半導體元件及其制造方法
49200510128698.6氮化物系半導體元件
50200410102757.8氫半導體傳感器氣敏元件及其制作方法
51200480015512.X氮化物類半導體元件及其制造方法
52200510119461.1半導體存儲元件及半導體存儲器件
53200510071397.4具有MIM元件的半導體器件
54200510075664.5半導體元件、半導體納米線元件及其制作方法
55200510127426.4半導體集成電路及其布局方法、以及標準單元
56200480015846.7半導體元件
57200480015634.9有機半導體元件及其制造方法
58200610004826.0氧化物材料、其制造方法以及使用該氧化物材料的半導體元件
59200510071982.4保護電路、半導體元件或集成電路以及記憶體元件
60200510136195.3氮化物半導體發光元件及其制造方法
61200510090673.1光半導體元件
62200510084136.6橫向雙擴散金氧半導體元件及其制造方法
63200610002365.3半導體元件之制造方法
64200610001667.9半導體元件的多層內介電層及其制造方法
65200610001671.5存儲器元件,半導體元件及其制造方法
66200510092986.0半導體元件
67200610001673.4半導體元件及形成半導體元件的方法
68200510099611.7半導體發光元件組成
69200610008808.X半導體發光元件
70200480021000.4用于具有最小圖案密度要求的半導體技術的電感和電容元件
71200480021364.2埋設球狀半導體元件的布線板
72200610057843.0制造半導體元件的方法
73200510071922.2半導體元件及其制造方法與記憶體元件及其操作方法
74200610002787.0單一金屬閘極互補式金氧半導體元件
75200610056768.6半導體發光元件
76200610004718.3半導體元件的處理方法以及半導體元件的形成方法
77200510112677.5半導體元件
78200610004484.2氮化物半導體元器件
79200610004485.7氮化物半導體元器件
80200610004486.1氮化物半導體元器件
81200480007426.4發光元件安裝用構件以及使用該構件的半導體裝置
82200510055445.0半導體元件的清洗方法
83200510108290.2半導體發光元件
84200480023475.7半導體光檢測元件和放射線檢測裝置
85200510059272.X半導體單元布局結構
86200610058186.1半導體元件及其形成方法
87200610001563.8半導體元件,儲存元件,儲存單元與儲存元件的操作方法
88200480024913.1氮化物半導體元件及其制造方法
89200480025324.5半導體受光元件及其制造方法
90200480024933.9發射輻射的半導體元件
91200610057344.1在半導體元件中蝕刻介電材料的方法
92200510125803.0半導體元件封裝結構
93200610066495.3半導體激光元件及其制造方法
94200480024805.4氮化物類半導體元件
95200510066335.4包含被動元件的半導體封裝構造
96200610077761.2半導體元件,有機晶體管,發光器件,和電子器件
97200480027030.6具有三元化合物溝道層的半導體器件
98200480026849.0ⅠB-ⅢA-ⅥA族四元或更多元合金半導體薄膜的制備方法
99200510065609.8防止擊穿的半導體元件的制造方法
100200510065580.3具有自行對準接觸窗的半導體元件及其制造方法
101200510065576.7接觸窗開口的形成方法與半導體元件的制造方法
102200510065590.7半導體元件的制造方法
103200510067250.8半導體元件的制造方法及調整元件溝道區晶格距離的方法
104200510065597.9半導體元件的制造方法以及插塞的制造方法
105200510088877.1儲存元件的形成方法、半導體元件及其形成方法
106200610073342.1半導體元件的錫焊方法與半導體裝置
107200510075665.X半導體裝置以及用于形成SRAM單元的方法
108200610065350.1多層金屬層半導體元件及其制造方法
109200610078986.X整合性單晶片單元上的半導體電路及其可調性方法與系統
110200610051517.9具有電荷捕獲存儲單元的半導體存儲器及其制造方法
111200610001683.8半導體元件及其制造方法
112200480027245.8場效應半導體器件中電容元件的動態控制
113200480027878.9氮化物半導體元件和其制造方法
114200610058366.X一種半導體元件與在其導電部間建立電性聯系的方法
115200480024673.5用于評估半導體元件與晶片制造的技術
116200480028377.2一種用于太陽能電池的球形或顆粒形半導體元件以及生產所述半導體元件和太陽能電池的方法
117200580000457.1半導體發光元件
118200610039918.2半導體元器件平面凸點式超薄封裝基板及其制作方法
11902804691.9半導體晶體的制造方法和半導體發光元件
120200480026850.3Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族四元或更多元合金半導體薄膜
121200610082714.7氮化物半導體元件
122200610084057.X半導體發光元件
123200610082463.2半導體裝置及其制作方法和用于寫入存儲元件的方法
124200480030531.X含有電路元件和絕緣膜的半導體模塊及其制造方法以及其應用
125200510023088.X形成多層半導體元件的方法
126200510083343.X具有瓶狀深溝槽電容的半導體元件及其制造方法
127200610073508.X具有材料結合設置的接線元件的功率半導體模塊
128200610074303.3氮化鎵類半導體元件及其制造方法
129200510064320.4一種具多層保護層的有機半導體元件及其制作方法
130200510064321.9一種具多重保護層的有機半導體元件及其制作方法
131200610077337.8發光元件的制造方法、半導體激光器及其制造方法
132200610077174.3用于半導體存儲單元的有隔離環的溝槽電容器的制造方法
133200610089841.X具有凹溝道結構單元晶體管的半導體器件及其制造方法
134200480031089.2半導體元件中的電容器裝置和驅動裝置
135200610084424.6圖案形成方法、裝置及半導體器件、電路、顯示體模件和發光元件
136200610003147.1半導體元件制造方法及電容器的制造方法
137200510074787.7高壓金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法
138200510074789.6高壓金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法
139200610088529.9半導體元件及其制造方法
140200510074788.1半導體元件及其制造方法
141200510099898.3半導體元件及其制造方法
142200610061225.3一種大功率半導體發光元件的封袋
143200510074731.1半導體發光元件封裝結構
144200610085073.0半導體發光元件和半導體發光裝置
145200610073905.7比較器電路裝置,特別是半導體元件的比較器電路裝置
146200610084005.2用于封裝光學半導體元件的環氧樹脂組合物及使用該組合物的光學半導體器件
147200610092395.8半導體元件的制造方法
148200610095832.1半導體激光元件的制造方法
149200510078931.4雷文生相轉移掩模及其制備方法與制備半導體元件的方法
150200510022960.9高壓金屬氧化物半導體元件
151200610095845.9氮化物半導體元件
152200610101657.2具有發光變換元件的發光半導體器件
153200480033959.X金剛石n型半導體及其制造方法、半導體元件及電子發射元件
154200480034097.2半導體元件及其制造方法
155200510132490.1半導體元件及形成半導體元件的方法
156200480034979.9具備靜電破壞保護元件的半導體裝置
157200510080742.0半導體存儲元件及其制作方法
158200480034807.1電子半導體元器件在用于采用液態介質處理半導體元器件的載體系統上的布局
159200480036901.0帶有增強內連接金屬化部的引線接合的半導體元件
160200510137097.1包含存儲單元與限流器的半導體元件
161200510083340.6制作半導體元件的方法和選擇性蝕刻氮化硅層的方法
162200610067317.2一半導體元件以及該半導體元件的制造方法與制造裝置
163200610101777.2半導體元件及其制造方法
164200580001302.X半導體光元件及其制造方法
165200610114823.2半導體元件及其制造方法、多層印刷布線板及其制造方法
166200610114824.7半導體元件及其制造方法、多層印刷布線板及其制造方法
167200610114825.1半導體元件及其制造方法、多層印刷布線板及其制造方法
168200510135709.3具有高發光效率的光電半導體元件
169200610059808.2半導體元件及其形成方法
170200510084863.2半導體元件及其制造方法
171200480040292.6碳化硅半導體元件及其制造方法
172200480040079.5半導體發光元件及其制造方法
173200480039145.7有機半導體發光元件
174200510081923.5含有低聚噻吩和n-型雜芳族單元的有機半導體共聚物
175200610088716.7用于非易失性半導體存儲單元的檢測方案
176200610100148.8設有以不同閾值電壓存數據的存儲單元的半導體存儲裝置
177200510136575.7形成半導體結構或元件的方法
178200610100122.3內裝有光半導體元件的設備的制造方法
179200610068049.6半導體元件的制作方法
180200610075259.8防止半導體元件中金屬線短路的方法
181200610098478.8具有低熱膨脹系數基材的半導體元件及其應用
182200610100502.7半導體集成電路、標準單元、標準單元庫、設計方法及設計裝置
183200610095956.X氮化物類半導體元件
184200610003114.7半導體元件與其制作方法
185200510081902.3半導體發光元件
186200610081984.6半導體激光單元及光拾取裝置
187200480037613.7半導體發光元件及其制造方法
188200610103903.8降低元件效能不匹配的方法及半導體電路
189200610126581.9電路基板、帶凸塊的半導體元件的安裝結構和電光裝置
190200610001959.2半導體元件中內連線結構的制造方法
191200510091053.X互補式金屬氧化物半導體晶體管元件及其制作方法
192200610093746.7有著一ONO上介電層的非易失性存儲器半導體元件
193200610057016.1半導體發光元件
194200610159385.1半導體發光元件及其制造方法
195200610032127.7大功率半導體元件脈沖觸發裝置
196200580002392.4具有光觸發的功率半導體元件的火花隙
197200610104214.9半導體光電化學電池單元的制造方法及該電池單元
198200610095905.7氮化物系半導體元件的制造方法
199200610007819.6半導體元件及其形成方法
200200610008692.X半導體元件的制造方法
201200610094197.5半導體元件及其形成方法
202200610101650.0具有發光變換元件的發光半導體器件
203200480040428.3半導體元件及其制造方法和液晶顯示器及其制造方法
204200580003728.9金屬絡合物作為n-摻雜物用于有機半導體基質材料中的用途,有機半導體材料和電子元件以及摻雜物和配......
205200610103932.4用以制造半導體元件的最佳化模組的近接校正
206200610071156.4用于點對點數據交換的半導體存儲器模塊單元
207200510092046.1自行對準接觸窗開口的制作方法與半導體元件
208200510092045.7半導體元件及具有金屬硅化物的導線的制造方法
209200510089499.9防止擊穿的半導體元件及其制造方法
210200510092039.1半導體元件的制造方法
211200510092040.4半導體元件的制造方法
212200510092105.5半導體元件與非揮發性存儲器的制作方法
213200610111088.X具有線路元件的功率半導體模塊
214200610159240.1具有MOS晶體管的半導體存儲單元陣列及其制造方法
215200610101860.X具有發光變換元件的發光半導體器件
216200610151704.4帶有熒光變換元件的輻射半導體組件
217200480036161.0小表面有源半導體元件
218200580004088.3半導體材料以及采用該半導體材料的半導體元件
219200610115099.5氮化物半導體元件
220,氮化物半導體元,2.0061E+11
221200610121831.X有機半導體材料和有機半導體元件以及場效應晶體管
222200610121688.4氮化物半導體激光元件及其制造方法
223200580005360.X制備用于半導體元件的互連的方法
224200610003590.9半導體元件及其形成方法
225200510099629.7半導體發光器件、其結構單元及制造方法
226200610115969.9半導體發光元件用外延晶片、其制造方法及半導體發光元件
227200480039492.X用于通過改變衍射光柵分割基片上形成的半導體元件的方法,裝置和所述衍射光柵
228200580006548.6半導體激光元件及其制造方法
229200610006392.8具有統一的存儲單元操作特性的非易失性半導體存儲器件
230200610110850.2金屬氧化物半導體晶體管單元及半導體裝置
231200610107798.5半導體激光元件
232200580007514.9包括抗疲勞三元焊接合金的半導體裝置的組裝方法
233200580008032.5集合基板、半導體元件搭載部件、半導體裝置及攝像裝置、發光二極管構成部件、發光二極管
234200580008214.2錐形單元的金屬氧化物半導體高電壓器件結構
235200580007977.5具有包含二元氧化物的混合物的溝道的半導體器件
236200610064873.4半導體薄膜結晶及半導體元件制造的方法
237200510103863.2間隙壁的制造方法及其蝕刻后的清洗方法與半導體元件
238200510099537.9半導體元件的熔絲
239200610127222.5半導體元件及制造鑲嵌結構中的金屬絕緣金屬電容的方法
240200610132272.2氮化物半導體元件
241200610132273.7氮化物半導體元件
242200610132281.1氮化物半導體元件
243200610136532.3發光半導體元件的制造方法
244200610127408.0半導體激光單元及制造光反射膜的方法
245200580009355.6有機半導體元件和使用它的有機EL顯示裝置
246200580008768.2半導體發光元件及照明裝置
247200510109673.1具有鎳硅化物的半導體元件與制作鎳硅化物的方法
248200510109652.X半導體元件的熔絲結構及其控制方法
249200510109796.5超高壓金屬氧化物半導體晶體管元件
250200610154363.6氮化物類半導體元件的制造方法
251200580010595.8制造第III族元素氮化物晶體的方法、其中所用的制造裝置以及由此制造的半導體元件
252200580010081.2半導體光檢測元件及其制造方法
253200580009774.X氮化物半導體發光元件
254200580010101.6包括在其中具有光學元件的柔性膜的半導體發光器件及其裝配方法
255200610093748.6用于檢查半導體元件上的標記的方法和設備
256200610127080.2含有Ⅲ族元素基氮化物半導體的電子器件
257200610128862.8半導體元件
258200610154050.0存儲單元以及具有該存儲單元的半導體非易失性存儲器的結構
259200610132274.1氮化物半導體元件
260200610141243.2半導體發光元件及其制造方法
261200610159353.1半導體發光元件
262200610159934.5半導體發光元件
263200610159993.2半導體發光元件
264200610159972.0半導體激光元件和其制造方法
265200680000155.9半導體氧化設備和制造半導體元件的方法
266200680000077.2半導體元件
267200580011105.6半導體發光元件安裝件以及使用它的半導體發光裝置
268200580011789.X發光元件驅動用半導體芯片、發光裝置以及照明裝置
269200580011771.X氮化物半導體元件及其制造方法
270200580011309.X半導體發光元件及其制造方法
271200610142049.6標準單元、半導體集成電路及其設計方法、設計裝置及標準單元庫
272200610117889.7半導體無像元遠紅外上轉換成像裝置制造方法
273200610138809.6半導體發光元件
274200580010332.7包括發光變換元件的半導體發光器件和用于封裝該器件的方法
275200580012681.2發光元件驅動用半導體芯片、發光裝置以及照明裝置
276200510113716.3氮化硅層的制造方法及半導體元件的制造方法
277200510113378.3半導體元件
278200610162516.1半導體元件
279200610135515.8高耐壓半導體開關元件及使用其的開關電源裝置
280200510118120.2金屬氧化物半導體晶體管元件
281200510118496.3高壓金屬氧化物半導體元件及其制造方法
282200580016841.0半導體元件的外部鈀鍍敷結構以及半導體器件制造方法
283200680000256.6可變波長半導體激光元件及其制造方法，使用該元件的氣體檢測器
284200510119308.9相移式掩模及其制備方法與制備半導體元件的方法
285200610140406.5微影光罩及其制造方法與使用上述兩者制造的半導體元件
286200510119319.7柵介電層及半導體元件的制造方法
287200510119329.0光致抗蝕劑的去除方法以及半導體元件的制造方法
288200610003186.1半導體元件及其形成方法
289200610136622.2氮化物半導體發光元件及其制造方法
290200580013357.2氮化物半導體元件及其制造方法
291200610022335.9清除半導體元器件上殘膠的方法及其專用設備
292200610099188.5高功率金屬氧化物半導體元件
293200610163959.2氮化物半導體元器件
294200610163962.4氮化物半導體元器件
295200610136631.1表面發光半導體激光元件53B
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297200610144792.5半導體攝像元件及半導體攝像裝置以及它們的制造方法
298200580020010.0EUV光源、EUV曝光裝置及半導體元件的制造方法
299200610149501.1用于密封光學設備的樹脂組合物,及其固化產物和密封半導體元件的方法
300200610140698.2半導體元件的制造方法
301200610138269.1半導體元件與其制造方法
302200510126732.6高壓金屬氧化物半導體元件
303200610160578.9半導體元件以及半導體元件的制造方法
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306200510126854.5半導體元件與內連線結構及各自的制作方法
307200610171853.7半導體激光裝置及半導體激光元件
308200580020481.1裝配半導體元件的方法及其裝置
309200580020398.4EUV光源、EVU曝光裝置、及半導體元件的制造方法
310200580018825.5有機半導體元件
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312200610144662.1半導體結構和形成電容電路元件的方法
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314200610139303.7具有透明導電膜的半導體發光元件
315200610125744.1半導體激光元件
316200610150367.7半導體光通信元件
317200510122765.3氮化物半導體元件制造方法
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320200610164025.0半導體電容器元件
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322200510129765.6半導體元件及靜電放電保護元件
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324200610153128.7半導體激光元件及其制造方法
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328200610162260.4半導體元件及其制造方法
329200610150368.1半導體元件的歐姆接觸構造
330200610171711.0氮化物半導體發光元件及氮化物半導體激光元件的制造方法
331200610163101.6氮化物半導體激光元件及其制造方法
332200510022959.6超高壓金屬氧化物半導體晶體管元件及其制造方法
333200610137536.3半導體發光元件
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