半導體元器件制作方法|制作工藝（168元/全套）
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1 功能元件、半導體器件和電子機器
2 一種對氣體傳感器或半導體器件性能進行測試的系統
3 具有球型凹式柵極的半導體器件
4 半導體器件和IC卡
5 半導體器件數據鎖存電路
6 同步半導體存儲器件
7 用于形成半導體器件的細微圖案的方法
8 制造半導體器件的方法和設備
9 半導體器件的制造方法
10 用于制造半導體器件的方法
11 金屬氧化物半導體器件的制造方法
12 金屬氧化物半導體器件柵極結構的形成方法
13 半導體器件中金屬硅化物接觸的制造方法
14 半導體器件柵極的制造方法
15 半導體器件柵極的制造方法
16 形成半導體存儲器件位線的方法
17 半導體器件的制造方法
18 在半導體器件中形成金屬線的方法
19 半導體器件的制造方法
20 用于形成半導體器件的方法
21 半導體器件及其制造方法、條帶載體、半導體模塊裝置
22 半導體器件
23 沒有柵分隔件應力的半導體器件及其制造方法
24 半導體元件及其制造方法
25 具有拉應力膜和壓應力膜的CMOS半導體器件
26 半導體器件以及制造半導體器件的方法
27 半導體器件及其形成方法
28 使用填充四面體半導體的半導體器件
29 半導體器件
30 化合物半導體器件及其制造方法
31 一種半導體固態光源器件
32 氮化物半導體發光元件及其制造方法
33 具有改進性能的半導體器件及方法
34 半導體裝配用膠粘劑膜組合物、相關的切割晶片粘結膜以及半導體封裝件
35 微機電系統器件加工中絕緣層與半導體導電層圖形對準誤差電學測試結構
36 用于半導體器件的具有降低的電阻的電源電壓分配系統
37 輸出驅動器電路和具有該電路的半導體存儲器件
38 半導體存儲器件、存儲系統和測試存儲系統的方法
39 形成半導體器件的精細圖案的方法
40 用于形成半導體器件的精細圖案的方法
41 形成半導體器件的精細圖案的方法
42 制造包括栓塞的半導體器件的方法
43 用于形成半導體器件的方法
44 包括元件安裝表面被樹脂層涂覆的布線基板的半導體裝置
45 半導體器件及其制造方法
46 半導體器件以及使用該半導體器件的電子電路裝置
47 樹脂布線基板及使用它的半導體器件和層疊型半導體器件
48 半導體器件及其制造方法
49 半導體器件及其制造方法
50 半導體器件以及半導體器件的制造方法
51 半導體器件
52 半導體器件及其阻抗調整方法
53 自立式襯底、其制造方法及半導體發光元件
54 具有氮化層和氧化層的半導體器件的制造方法
55 存儲元件、存儲裝置以及半導體裝置
56 制造Ⅲ族氮化物半導體元件的方法
57 氧化鋅系化合物半導體元件
58 氧化鋅系化合物半導體發光元件
59 氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光元件
60 半導體存儲器件
61 半導體器件
62 半導體存儲器件中的電壓監視裝置
63 移除間隙壁的方法、金氧半導體晶體管元件及其制造方法
64 半導體器件的制造方法
65 半導體器件
66 半導體封裝件制法與半導體元件定位結構及方法
67 一種半導體元件芯片灌膠后的脫模方法及機構
68 半導體器件及其制造方法
69 半導體器件及其制造方法
70 半導體封裝件及其基板結構
71 半導體器件及其制造方法
72 半導體器件和提高電熔斷器的電阻值的方法
73 背面照明成像器件及其制造方法、半導體基片和成像設備
74 半導體器件及其制造方法
75 光半導體器件和光半導體器件的制造方法
76 半導體器件、其制造方法、及其測量方法
77 半導體發光元件以及半導體發光元件安裝完成基板
78 半導體激光器件
79 雜環的化合物,其用途、有機半導體材料和電子或光電元件
80 時鐘生成電路及具備該時鐘生成電路的半導體器件
81 半導體器件及其制造方法
82 半導體存儲器件
83 半導體器件的制造方法及顯示器件的制造方法
84 制造半導體器件的設備和使用其制造半導體器件的方法
85 制造半導體器件的裝置以及用其制造半導體器件的方法
86 用于制造半導體集成電路器件的方法
87 半導體器件的制造方法
88 半導體器件的柵極及其形成方法
89 半導體器件及其制造方法
90 制造半導體器件的方法、工具和裝置
91 元件隔離膜的形成方法以及非易失性半導體存儲器
92 銅互連的半導體器件的制造方法及其結構
93 制造半導體基片上晶體管元件之間連接的方法及半導體器件
94 半導體器件及其制造方法
95 半導體器件的制造方法
96 在隔離溝渠具有減少介電質耗損的半導體元件及其制造方法
97 半導體元件及其制造方法
98 形成半導體器件的方法
99 半導體器件及其制造方法
100 一種半導體器件及其封裝氣密性檢測方法及配氣裝置
101 電子元件、使用其的半導體器件以及制造電子元件的方法
102 半導體器件及其制造方法
103 半導體器件及其制造方法
104 半導體封裝件及其方法
105 包括兩片帶有多個半導體芯片和電子元件的襯底的功率電子封裝件
106 半導體器件及其制造方法
107 具有橫向MOS晶體管和齊納二極管的半導體器件
108 雙柵CMOS半導體器件及其制造方法
109 半導體器件及其制造方法
110 金屬氧化物半導體器件及其制造方法
111 半導體器件及其制造方法
112 半導體器件及其制造方法
113 半導體發光器件
114 集成散熱片式大功率半導體熱電芯片組件
115 大功率半導體熱電芯片組件
116 有機半導體元件及其制造方法
117 元件基板、檢查方法及半導體裝置制造方法
118 氮化物半導體發光器件及其制造方法
119 用于半導體集成電路測試的器件接口板
120 形成半導體器件的硬掩模圖案的方法
121 半導體存儲器件及其操作方法
122 半導體器件的高電壓發生器件
123 半導體存儲器器件及控制時序的方法
124 包括高電壓產生電路的半導體器件及產生高電壓的方法
125 包括高電壓產生電路的半導體器件及產生高電壓的方法
126 半導體器件
127 形成具有槽電荷補償區的半導體器件的方法
128 在半導體器件中制造電容器的方法
129 半導體器件的制造方法
130 半導體器件的柵極制造方法
131 制造含有凹陷柵極的半導體器件的方法
132 具有球型凹陷溝道的半導體器件及其制造方法
133 半導體器件的制造方法、濕式蝕刻處理裝置及濕式蝕刻方法
134 蝕刻方法以及半導體器件的制造方法
135 半導體器件圖案的形成方法
136 制造半導體器件的方法
137 防止銅擴散的方法及半導體器件的制造方法
138 半導體元件、互補金屬氧化物半導體元件及其形成方法
139 半導體器件中凹陷柵極的制造方法
140 制造具有FINFET的半導體器件的方法
141 半導體元件的散熱座的制造方法
142 半導體器件以及半導體器件的制造方法
143 半導體器件焊盤形成方法
144 半導體器件的制造方法
145 半導體器件的制造方法
146 形成半導體器件的金屬線的方法
147 在半導體器件中制造存儲節點接觸的方法
148 半導體器件及其制造方法
149 環形熱管散熱半導體功率組件
150 半導體元件的嵌入式金屬散熱座及其制造方法
151 半導體器件及其制造方法
152 半導體器件及其制造方法
153 半導體器件內的金屬線及其形成方法
154 半導體器件的金屬層結構
155 半導體器件、半導體集成電路以及凸點電阻測定方法
156 防止相鄰柵極相互影響的半導體器件及其制造方法
157 半導體器件及其制造方法
158 半導體存儲器件及其制造方法
159 半導體器件
160 具有非對稱球型凹進柵極的半導體器件及其制造方法
161 金屬氧化物半導體器件及其制造方法
162 非易失性半導體存儲元件以及非易失性半導體存儲器件
163 聲子調控間接帶隙半導體材料橫向電注入發光器件
164 有機半導體元件及其制造方法、有機晶體管陣列及顯示器
165 有機半導體元件及其制造方法、有機晶體管陣列及顯示器
166 有機半導體元件的制造方法
167 半導體發光元件
168 用于半導體器件的光刻膠的去除劑組合物
169 半導體元件及其制造方法
170 半導體發光元件
171 一種半導體氧化物氣敏元件制備方法
172 包括多位存儲單元和溫度收支傳感器的半導體器件
173 半導體存儲器件及其操作方法
174 半導體器件和形成半導體器件的方法
175 半導體器件及其制造方法
176 圖像感應元件及其系統芯片半導體結構
177 半導體攝像元件及其制法、半導體攝像元件模塊及裝置
178 一種半導體發光器件及其制造方法
179 半導體集成電路器件和使用該器件的調節器
180 電元件、存儲裝置和半導體集成電路
181 用于形成鎢圖案的漿料組合物以及使用其制造半導體器件的方法
182 半導體元件的制造方法
183 平面型半導體器件及其制造方法
184 半導體器件結構及基于晶體管密度的應力層的形成方法
185 實現多位單元的非易失性半導體存儲元件及其制造方法
186 半導體器件及其制造方法
187 半導體器件中的有效載流子注入
188 半導體器件和制造半導體器件的方法
189 大功率半導體激光器耦合封裝組件
190 從半導體器件的金屬部分清除或減少泛溢樹脂的設備
191 電路部件、電路部件的制造方法、半導體器件及電路部件表面的疊層結構
192 電氣元件、存儲裝置、及半導體集成電路
193 半導體存儲器件
194 順序輸出熔絲切斷信息的半導體器件和測試系統
195 具有深槽電荷補償區的半導體器件及方法
196 制造半導體器件的方法
197 半導體器件及其形成方法
198 可供半導體器件堆棧其上的半導體封裝件及其制法
199 半導體器件及其制造方法
200 半導體器件及其制造方法
201 光耦合型半導體器件及其制造方法和電子器件
202 多重反射層電極以及含有該電極的化合物半導體發光器件
203 光半導體器件及光半導體器件的制造方法
204 半導體發光元件
205 半導體發光元件
206 半導體發光元件
207 半導體光電器件
208 半導體器件及其制造方法
209 高密度半導體器件
210 半導體器件的制造方法
211 半導體元件及其制造方法
212 半導體器件及其制造方法
213 高壓半導體器件的制造方法
214 半導體器件、半導體器件的布線和形成布線的方法
215 半導體封裝件和疊層式半導體封裝件
216 半導體器件及其制造方法
217 半導體器件及其制造方法
218 單壁碳納米管異質結及制造方法、半導體器件及制造方法
219 摻雜層中按設定圖形嵌入金屬層的半導體電致發光器件
220 具有插口功能的半導體插件、半導體組件、電子電路組件以及帶插口的電路基板
221 具有圖像傳感器的半導體器件和這種器件的制造方法
222 氮化物半導體元件及其制法
223 電壓驅動型半導體元件的驅動裝置
224 制造具有凹陷柵極的半導體器件的方法
225 具有凹槽柵極的半導體器件的制造方法
226 制造半導體器件的方法
227 一種制作縱向雙柵金屬-氧化物-半導體器件的方法
228 碳化硅半導體器件的制造方法
229 制造碳化硅半導體器件的方法
230 形成半導體器件的隔離層的方法
231 制造半導體器件的方法
232 具有鑲嵌式MIM型電容的半導體器件的制造方法
233 具有電容器的半導體器件的制造方法
234 存儲器的制造方法及半導體元件的制造方法
235 半導體器件和半導體器件的制造方法
236 具有互連結構的半導體器件及其制造方法
237 半導體器件、半導體器件的制作方法及電氣設備系統
238 具有電容器的半導體器件及其制造方法
239 半導體器件
240 半導體元件及其操作方法
241 半導體器件
242 半導體存儲器件和字線接觸部的布局結構
243 半導體集成器件和該半導體集成器件的制造方法
244 一種電壓驅動型功率半導體器件關斷過電壓保護電路
245 數字視頻數據測試系統及半導體器件
246 用于半導體器件的消反射涂層及其方法
247 對物品進行處理尤其對半導體元件進行清潔的方法和裝置
248 半導體器件及其制造方法
249 波長轉換的半導體發光器件
250 氮化物半導體元件的制造方法
251 半導體器件和存儲器
252 半導體存儲器件
253 半導體存儲器件
254 制造具有凹槽柵極的半導體器件的方法
255 半導體器件的制造方法
256 集成半導體器件及其形成方法
257 高耐壓半導體器件及高耐壓半導體器件的制造方法
258 半導體發光器件及其制造方法
259 半導體器件及其制造方法
260 焊料補片形成方法及半導體元件的安裝方法
261 半導體器件及其制造方法
262 半導體器件及其制造方法
263 用于半導體器件的邊緣末端
264 氮化物半導體發光元件
265 半導體發光元件
266 一種測量半導體器件內部芯片熱接觸面積的方法
267 制造含有凹陷柵極的半導體器件的方法
268 半導體器件的制造方法
269 半導體器件及其制造方法
270 半導體器件及其制造方法
271 具有溝槽晶體管的半導體器件以及制造這種器件的方法
272 在半導體器件中形成MIM的方法
273 具有一對鰭的半導體器件及其制造方法
274 半導體發光元件及其制造方法
275 半導體發光組件的省電型驅動裝置
276 測量半導體發光器件用的溫控座
277 用于制造半導體器件的方法
278 制造半導體器件的方法以及利用該方法制造的產品
279 半導體器件及其制造方法
280 布線基板和采用該布線基板的半導體器件
281 半導體元件
282 半導體器件及其形成方法
283 包括場效應晶體管的半導體器件及其形成方法
284 氮化物半導體發光器件
285 氮化物半導體發光器件的制造方法
286 氮化物半導體發光器件
287 半導體發光元件及其制造方法
288 一種改進的半導體溫差電致冷致熱組件
289 半導體發光器件、光學拾取單元及信息記錄/再現裝置
290 半導體器件及其制造方法以及天線的制造方法
291 內裝半導體元件的印刷布線板及其制造方法
292 包括具有限定半導體結的區域的超晶格的半導體器件
293 氮化物系半導體元件及其制造方法
294 一種半導體器件模擬仿真中的預設模式建立方法
295 用于顯示控制的半導體集成電路器件
296 半導體器件及其制造方法
297 形成半導體器件的圖案的方法
298 半導體元件及其制作方法
299 半導體器件及其制造方法
300 半導體器件的柵極制造方法和半導體器件
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