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[8104-0108-0001] 半導體器件的制造方法
[摘要] 本發明公開了一種半導體器件的制造方法，在襯底上的絕緣膜形成布線溝后，以在絕緣膜上將布線溝埋起的方式形成銅膜。接著，研磨存在于布線溝外部的銅膜部分形成布線后，對襯底進行清洗處理。其后，在真空狀態下除去露出在布線之間的絕緣膜部分附近的殘留水分。這樣，通過除去對銅膜進行化學機械研磨后殘留在絕緣膜上的水分，便防止銅遷移到絕緣膜上，并防止布線之間的短路。
[8104-0176-0002] 具有碳化硅襯底的發光二極管
[摘要] 基于未摻雜的內稟SiC襯底(101)的發光二極管(100)，在該SiC襯底上生長有：絕緣緩沖結構或岢珊私峁?102)；發光結構(112)；窗口層(107，108)；半透明的導電層(119)；結合焊盤粘結層(109)；p-型電極結合焊盤(110)；以及n-型電極結合焊盤(115)。在一個實施例中，襯底(101)的發光表面(130)被粗糙處理，以使光發射最大化。
[8104-0191-0003] 用于電化學機械拋光的拋光墊
本發明提供了一種用于電化學機械拋光導電襯底的拋光墊。該墊包括多個形成在拋光墊的拋光面上的凹槽，該凹槽適于使拋光液在拋光墊上流動。在該凹槽上分別形成導電層，而且各導電層互相電連通。
[8104-0059-0004] 帶高容量散熱器的電子組件及其制作方法
[摘要] 一種電子組件，其包括一個或多個高性能集成電路，后者包括至少一個高容量散熱器。包括許多從一個芯子向外徑向突出的翼片的這一散熱器用來俘獲來自風扇的空氣，并引導空氣改善散熱器的熱傳導。散熱器翼片可以按不同形狀構成。一個實施例中的翼片是彎曲的。另一實施例中的翼片是彎折的。再一實施例中的翼片是彎曲和彎折的。本發明還公開了制作散熱器和電子組件的方法，以及散熱器在電子組件和電子系統中的應用。
[8104-0024-0005] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種半導體器件，包括：半導體膜；形成在半導體膜中的一對第一雜質區；形成在一對第一雜質區之間的第一溝道區；形成在半導體膜中的一對第二雜質區；形成在一對第二雜質區之間的第二溝道區；形成在半導體膜上的柵絕緣膜；第一柵電極，形成為與第一溝道區相鄰，并且柵絕緣膜夾在其間；第二柵電極，形成為與第二溝道區相鄰，并且柵絕緣膜夾在其間；形成在第一柵電極和第二柵電極上的絕緣膜；形成在絕緣膜中的接觸孔；以及形成在絕緣膜上的連線，其中一對第一雜質區中的一個第一雜質區與一對第二雜質區中的一個第二雜質區接觸；其中連線電連接到一對第一雜質區中的一個第一雜質區和一對第二雜質區中的一個第二雜質區。
[8104-0130-0006] 具有支撐體的感光半導體封裝件及其制法
[摘要] 一種具有支撐體的感光半導體封裝件及其制法，該封裝件包括：基板、具有收納空間的支撐體、封裝膠體、至少一個芯片以及蓋件；該制法首先在基板的上表面上設置具有收納空間的支撐體，再于該基板上形成與該支撐體的外壁結合的封裝膠體，然后，在該基板外露于該支撐體的收納空間中的預定部分上粘接至少一個芯片，并使該芯片與基板電性連接，接著，將透光蓋片粘設至該支撐體及封裝膠體上，再于該基板的底面上形成焊球或接觸墊，即完成該感光半導體封裝件；由于基板上預設有支撐體，所以封裝膠體能以單一模具適用于不同尺寸的封裝件的封裝工序，因而能降低生產成本，并能避免基板被插入式模具壓損以及避免基板上的焊指被該模具污染。
[8104-0194-0007] 等離子體處理方法和等離子體處理裝置
[摘要] 本發明提供在將形成有有機類低介電常數膜和保護膜的被灰化基板的保護膜利用等離子體灰化去除時，與現在相比，可以減輕對有機類低介電常數膜造成的損傷的等離子體處理方法和等離子體處理裝置。使等離子體處理室(102)內部的壓力在4Pa以下，從第一高頻電源(140)用第一頻率的高頻功率將施加功率為0.81W/cm2以下的功率提供給上部電極(121)，生成O2等離子體，從第二高頻電源(150)將具有比第一頻率低的第二頻率的第二高頻功率施加在基座(下部電極)(105)上，生成自身偏置電壓。
[8104-0161-0008] 層組合及制造層組合之方法
[摘要] 本發明系相關于一層組合以及產生一層組合之方法。該層組合系具有配置于一基板上并且包括一第一次區域以及一第二次區域的一層，其中，該第一次區域系包括可分解材質，以及該第二次區域系緊接于該第一次區域而配置，且系具有包括一非可分解材質的一有用結構(useful structure)，再者，該層組合系亦具有一覆蓋層，位在包括可分解材質以及該有用結構之該層上，而該層組合系以該可分解材質可以自該層組合被移除的方式而加以設計。
[8104-0094-0009] 半導體器件的制造方法
[摘要] 以效率高的工序相互結合良好的方式提供具有淺的雜質區域的精細化的半導體器件的制造方法。該方法包括對于p阱層(2)、n阱層(3)進行雜質離子的注入的工序；以及對于p阱層(2)、n阱層(3)照射從上升開始到達峰值能量值的時間大于等于0.3毫秒的脈沖光的工序。此外，該方法包括在小于等于600℃的成膜溫度下在形成了柵電極(6)的硅襯底(1)上形成氮化硅膜(10)的工序；對于氮化硅膜(10)邊實施輔助加熱邊照射閃光燈光的工序；以及進行各向異性蝕刻使照射了閃光燈光的氮化硅膜(10)僅殘留配置在柵側壁上的工序。
[8104-0019-0010] 高頻布線結構和高頻布線結構的制造方法
[摘要] 提供一種高頻布線結構，在防止高頻電流的部分集中而引起的損耗低下的同時，能確保較大的傳輸導體的截面面積，降低高頻電流的損耗。采用高頻布線結構(1)，該頻布線結構具有微波傳輸帶線路(6)，微波傳輸帶線路(6)包括接地導體(3)、配置在該接地導體(3)上的電介質(4)和至少一部分配置在電介質(4)內的傳輸導體(5)，上述傳輸導體(5)由平行于接地導體(3)的平面底部、垂直于接地導體(3)且位于平面底部的布線寬度方向兩側的一對平面側部、連續地連結平面底部和一對平面側部的曲面部劃分，將曲面部的曲率半徑設定在傳輸導體厚度的5％以上且50％以下的范圍內。
[8104-0204-0011] 半導體晶片封裝體及其封裝方法
[8104-0071-0012] 用于HBT中的發射極鎮流電阻器的結構和方法
[8104-0189-0013] 形成多晶硅鍺層的方法
[8104-0211-0014] 用于處理電子器件的系統
[8104-0049-0015] 處理裝置的多變量解析模型式作成方法、處理裝置用的多變量解析方法、處理裝置...
[8104-0092-0016] 阻擋膜形成用材料及使用它的圖案形成方法
[8104-0179-0017] 壓電元件及液體噴頭及其制造方法
[8104-0018-0018] 使用具電化學蝕刻停止的電化學蝕刻制造瓶溝電容器方法
[8104-0182-0019] 一種有機電子部件功能層的材料及其制造方法和應用
[8104-0125-0020] 半導體裝置及其制造方法
[8104-0023-0021] 靜電放電保護電路
[8104-0116-0022] 在無線頻率集成電路中提供護罩用以降低噪聲耦合的一種裝置及方法
[8104-0110-0023] 控制氮化物只讀存儲單元的啟始電壓的方法
[8104-0010-0024] 改進的用于雙金屬鑲嵌方法中的填充物料
[8104-0150-0025] 磁控等離子體處理裝置
[8104-0006-0026] 用于氮化物基半導體裝置的低摻雜層
[8104-0164-0027] 雙側除熱系統
[8104-0181-0028] 具有有機層的熒光發射元件
[8104-0073-0029] 氮化物半導體及其制備方法
[8104-0184-0030] 具有防止制程污染的制造系統與處理方法
[8104-0013-0031] 檢測安裝電子元件的薄膜載帶和半導體裝置的設備和方法
[8104-0206-0032] 晶圓級封裝方法及由該方法所封裝出來的半導體晶片封裝體
[8104-0064-0033] 半導體濾波器電路和方法
[8104-0052-0034] 制造異質雙極型晶體管的方法和異質雙極型晶體管
[8104-0144-0035] 用于盤狀物的液體處理的裝置
[8104-0025-0036] 半導體器件
[8104-0123-0037] 半導體裝置
[8104-0089-0038] 掩膜數據的修正方法、光掩膜和光學像的預測方法
[8104-0076-0039] 可人工操作的電子設備
[8104-0122-0040] 固體攝像元件和固體攝像元件的制造方法
[8104-0196-0041] 具有多層互連結構的半導體器件
[8104-0039-0042] 發光二極管
[8104-0129-0043] 薄膜晶體管、顯示器及其制造方法、及施主薄片制造方法
[8104-0078-0044] 制造單片多層執行器的方法 ,由壓電陶瓷或電致伸縮材料制成的單片多層執行器...
[8104-0115-0045] 半導體器件
[8104-0022-0046] 半導體裝置及其制造方法
[8104-0218-0047] 操作電可寫和可擦除存儲單元的方法及用于電存儲的存儲裝置
[8104-0124-0048] 半導體裝置
[8104-0134-0049] 發光二極管結構
[8104-0050-0050] 微米結構和納米結構的復制和轉移
[8104-0137-0051] 發光二極管晶片封裝體及其封裝方法
[8104-0156-0052] 無電鍍敷槽的溫度控制順序
[8104-0192-0053] 晶片的磨削裝置及磨削方法
[8104-0146-0054] 間隙結構制造方法
[8104-0060-0055] 直接應用的壓變材料及使用該材料的裝置
[8104-0097-0056] 非晶電介質薄膜及其制造方法
[8104-0100-0057] 自對準分裂柵非易失存儲器結構及其制造方法
[8104-0091-0058] 具有膜圖案的基板及其制造方法以及半導體器件制造方法
[8104-0113-0059] 可嵌埋電子組件的半導體構裝散熱件結構
[8104-0213-0060] 一種快速重復定位裝置
[8104-0026-0061] 縱向雙極型晶體管及其制造方法
[8104-0053-0062] 定位方法及使用該方法的安裝方法
[8104-0178-0063] 近共振機電電動機
[8104-0015-0064] 裝載上鎖技術
[8104-0012-0065] 填充通路的方法和設備
[8104-0081-0066] 半導體基片
[8104-0098-0067] 用以在半導體器件中形成氧化膜的方法
[8104-0107-0068] 半導體裝置及其制造方法
[8104-0072-0069] 氮化鎵(GaN)類化合物半導體裝置及其制造方法
[8104-0175-0070] 用于將連接片附于太陽能電池的方法和連接片固定站、以及用于制造太陽能電池板...
[8104-0029-0071] 圖像傳感器模塊及其照相機模塊封裝
[8104-0210-0072] 多功能探針卡
[8104-0147-0073] 導電間隔物延伸的浮柵
[8104-0067-0074] 單元群組中記憶單元的可變電容
[8104-0079-0075] 有機電光元件的氣密封裝
[8104-0165-0076] 燈和制燈方法
[8104-0063-0077] 包括具有ESD保護電路的集成電路的數據載體
[8104-0085-0078] 微開關元件的制備方法及微開關元件
[8104-0145-0079] 從晶片上取下IC的裝置
[8104-0132-0080] 氮化鎵系發光組件及其制造方法
[8104-0054-0081] 晶片預對準裝置和方法
[8104-0114-0082] 散熱模組及其制備方法
[8104-0174-0083] 碳化硅肖特基器件的外延邊端及制造組合該邊端的碳化硅器件的方法
[8104-0173-0084] 具有重組區域的絕緣體上硅場效應晶體管及形成該場效應晶體管的方法
[8104-0069-0085] 在絕緣層上覆硅基板中的摻雜區域
[8104-0106-0086] 基板加工設備的微粒去除部件
[8104-0160-0087] 在熱處理室中用于校準溫度測量裝置的系統和方法
[8104-0056-0088] 半導體器件及其制造方法
[8104-0143-0089] 壓電元件及其制造方法、以及噴墨頭和噴墨式記錄裝置
[8104-0047-0090] 研磨液及研磨方法
[8104-0158-0091] COF薄膜輸送帶及其制造方法
[8104-0009-0092] 臺面型半導體裝置的制造方法
[8104-0126-0093] 具有最小寄生現象的晶體管結構及其制造方法
[8104-0014-0094] 封裝后強化測試的結構與方法
[8104-0058-0095] 具有向下引腳附著特征的熱擴散器
[8104-0036-0096] 柵極結構、具有柵極結構的半導體器件及形成柵極結構和半導體器件的方法
[8104-0118-0097] 半導體元件及其制造方法
[8104-0041-0098] GaP外延片及GaP發光元件
[8104-0142-0099] 半導體發光元件及其制造方法
[8104-0070-0100] 半導體器件以及制造這種半導體器件的方法
[8104-0119-0101] 光電池及其增益控制方法
[8104-0149-0102] 拋光體、拋光裝置、半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8104-0131-0103] 光收發器模塊
[8104-0180-0104] 單體壓電電動機
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[8104-0043-0110] 在晶片襯底上沉積、釋放和封裝微機電器件的方法
[8104-0021-0111] 一種集成電路芯片的散熱裝置
[8104-0157-0112] 電拋光具有帶虛設結構的溝槽或者通路的晶片上的金屬層
[8104-0166-0113] 半導體器件及其制造方法
[8104-0075-0114] 半導體設備、半導體電路及制造半導體設備的方法
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[8104-0193-0116] 蝕刻系統及其純水添加裝置
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[8104-0205-0121] 形成導電凸塊的方法及具有如此形成的導電凸塊的裝置
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[8104-0168-0129] 薄膜光電晶體管,應用該光電晶體管的有源矩陣襯底以及應用該襯底的圖象掃描裝...
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[8104-0167-0133] 用以屏蔽成比例的NAND相鄰單元間的交叉耦合的深字線槽
[8104-0046-0134] 在體硅襯底具有增強自對準介電區域的SOI半導體器件的制造方法
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