柵極,柵極通道,到柵極,柵極晶體管類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8128-0008-0001] 拋光包括銅和鎢的半導體器件結構中使用的漿液與固定磨料型拋光墊以及拋光方法
[摘要] 一種基本同時拋光半導體器件結構的銅導電結構和相鄰屏蔽層的方法。該方法包括使用固定磨料拋光墊與基本沒有磨料的漿料，在所述漿料中銅的除去速度與除去屏蔽層材料如鎢的速度基本相同或快于該速度。配制漿料，使它能以和屏蔽材料基本相同的速度或快于該速度使銅氧化。因此，在漿料中銅和屏蔽層材料具有基本相同的氧化能，或者屏蔽材料氧化能大于銅的氧化能。還公開了拋光半導體器件結構上銅導電結構和相鄰屏蔽結構的系統。
[8128-0151-0002] 一種制作雙鑲嵌結構的方法
[摘要] 本發明提供一種制作雙鑲嵌結構(dual damascene structure)的方法。首先于一半導體晶片表面依序形成一第一介電層、一第二介電層、一第一硬罩幕層以及一第二硬罩幕層，接著于該第二硬罩幕層表面形成一用來定義一上層溝槽圖案的第一光阻層。隨后去除未被該第一光阻層覆蓋的該第二硬罩幕層，直至該第一硬罩幕層表面，然后再于該半導體晶片表面形成一用來定義一下層接觸洞圖案的第二光阻層。接著去除未被該第二光阻層覆蓋的該第一硬罩幕層以及該第二介電層，直至該第一介電層表面，然后蝕刻未被該第二硬罩幕層所覆蓋的該第一硬罩幕層，并去除未被該第一硬罩幕層所覆蓋的該第二介電層至一預定深度，最后再去除該第二硬罩幕層以及未被該第一硬罩幕層所覆蓋的該第一介電層。
[8128-0102-0003] 具有有源溝槽角落和厚底部氧化物的溝槽型MIS器件及其制造方法
一種溝槽型MOSFET(40)，包括有源角落區域(25)和居中位于溝槽(19)底部的厚絕緣層(33)。薄的柵極絕緣層(15)襯在溝槽(19)的側壁和底表面周邊部分上。柵極(14)填充該溝槽，鄰近該薄絕緣層(15)。柵極(14)鄰近厚絕緣層(33)的側面和頂部。厚絕緣層(33)將柵極(14)與溝槽(19)底部的漏極導電區(13)隔開，形成減小的柵極對漏極電容，并使MOSFET(40)尤其適用于高頻應用。
[8128-0189-0004] 光電元件的制造方法
[摘要] 本發明提供以具有至少用電解析出法在基片上形成氧化鋅層103的工序、用稀有氣體或氮氣對該躉坎閌凳┑壤胱猶宕懟⒗胱誘丈浯懟⒐庹丈浯懟⒌绱挪ㄕ丈浯碇械娜魏我恢執?04的工序、和在該氧化鋅層上形成具有由含有氫的非單晶硅系材料構成的至少一個的p-i-n結的半導體層的工序為特征的光電元件的制造方法。
[8128-0147-0005] 于間距縮小工藝中整合存儲單元數組區與周邊電路區的方法
[摘要] 一種于間距縮小工藝中整合存儲單元數組區與周邊電路區的方法，此方法于間距縮小工藝中的第二次形成高分子層的步驟之前，形成罩幕層以覆蓋基底并暴露出存儲單元數組區，并且，此罩幕層重疊覆蓋于存儲單元數組區的邊緣區域上，使得此存儲單元數組區被罩幕層覆蓋區域下方的導體層能夠通過此罩幕層的遮蔽而不被蝕刻，因而能夠于后續的工藝中使存儲單元數組區與周邊電路區確實的電性連接。
[8128-0004-0006] 制造微電子電路的方法和微電子電路
[摘要] 本發明涉及制造微電子電路的方法及微電子電路。本發明提供一種制造微電子電路的方法，其具有至少一種單芯片集成線圈做為電傳導組件。根據該方法，提供一種具有該電傳導組件及位于該電傳導組件上的保護層之已完成制造的微電子電路；在該電傳導組件上的保護層的至少一部份被移除；以及一個金屬層，以該金屬層被電耦合至該電傳導組件的方式被涂布在該電傳導組件頂部上。
[8128-0063-0007] 一種變相轉換導熱膠材
[摘要] 本發明涉及一種變相轉換導熱膠材，有助于將電子組件產生的熱傳送至散熱器，該變相轉換導熱膠材主要系由次微米或納米的粉末導熱基材與蠟混合制成的膠材，可直接采用噴涂或網印方法使其附著在散熱器表面上，或者可將其裝入針管筒中注入散熱器表面上，使其由固態變相轉換成液態時，能完全填補于散熱器表層組織空洞內，不增加導熱介質的厚度，得以提高熱傳導的材料系數，達到散熱器與發熱電子組件接觸面的熱傳材料完全密實導熱，使其具有最佳熱傳導效率。
[8128-0106-0008] 發射輻射的芯片和發射輻射的元件
[摘要] 本發明涉及一個發射輻射的芯片(2)，該芯片具有：一個輻射能穿透的窗口(5)，該窗口具有一個折射率nF和一個主面(19)；一個多層結構(9)，該多層結構含有一層產生輻射的有源層(10)并鄰接窗口(5)的主面(19)；和一種包圍窗口(5)的、具有折射率n0的、輻射能穿透的介質。窗口(5)具有至少兩個界定面(6，7)，這兩個界定面夾成一個β角，該角滿足不等式：90°-αt＜β＜2αt 式中 αt＝arcsin(n0/nF)；此外，本發明涉及一種發射輻射的元件，該元件含有這樣一個芯片(2)。
[8128-0034-0009] 一種半導體器件含氮雙柵氧化硅層的制備方法
[摘要] 雙柵氧化硅層的制備工藝是深亞微米集成電路制造工藝中的關鍵工藝技術，直接影響和決定了器件的電學特性和可靠性。本發明在采用比較常規的“ETCH-BACK”雙柵氧制備方法時，在第一層氧化硅生長后，馬上進行氨氣或NO的氮元素摻雜，從而使得在薄柵氧區的氧化硅漂掉后，硅表面留有少量氮元素，這樣在接下去的薄柵氧化硅生長過程中，薄柵氧化硅自然含有少量氮元素，并主要分布在柵氧化硅表面。與此同時，也把厚柵氧化硅中的氮元素濃度分布峰推離硅表面，避免影響厚柵晶體管的溝道載流子遷移率。因此，本發明方法同時獲得了較為理想的雙柵氧化硅層。
[8128-0033-0010] 一種用于制造閃爍存儲器控制柵堆積結構形成工藝的改進方法
[摘要] 本發明屬于集成電路制造工藝技術領域，具體涉及一種制造閃爍存儲器(FLASH)控制柵堆積結構的改進工藝。在部分重疊雙柵閃爍存儲器制造工藝中，控制柵堆積結構形成步驟：在浮柵形成之后進行第二次隧道柵氧化，接著分別淀積一層多晶硅和硅化鎢，再淀積一層氧化膜。這種工藝存在許多缺點。本發明提出了一種新的控制柵堆積結構形成的改進工藝，即在多晶硅和硅化鎢薄膜淀積之后不再淀積一層氧化膜；只要一步干法刻蝕工序，降低了工藝復雜性和生產成本；為了提高第二次隧道柵氧化質量，用NO氣體進行高溫退火，提高了成品率和具有更高的可靠性。
[8128-0198-0011] 一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底及其制備方法
[8128-0197-0012] 一種具有AlAs氧化層的半導體材料
[8128-0093-0013] 形成低表層電阻的超淺結的方法
[8128-0129-0014] 半導體器件及半導體器件的制造方法
[8128-0181-0015] 固體攝像裝置
[8128-0081-0016] 半導體器件及其制造方法
[8128-0164-0017] 散熱片的裝配
[8128-0076-0018] 半導體器件及其制造方法
[8128-0177-0019] 浮置柵極存儲單元及其制造方法
[8128-0036-0020] 半導體處理裝置的藥液濃度控制裝置
[8128-0157-0021] 只讀存儲器的制造方法
[8128-0108-0022] 自供電開關啟動系統
[8128-0096-0023] 到柵極的自對準接觸
[8128-0070-0024] 包括每個有浮動柵和控制柵極的MOS晶體管的半導體存儲器
[8128-0148-0025] 半導體器件的制造方法
[8128-0135-0026] 多柵極晶體管的結構及其制造方法
[8128-0013-0027] 具有超薄磁性層的TMR材料
[8128-0163-0028] 散熱片的制造方法
[8128-0209-0029] 一種制備絕緣體上硅結構的方法
[8128-0015-0030] 基底及其制造方法,以及薄膜結構體
[8128-0216-0031] 自動對準接觸插塞的制造方法
[8128-0047-0032] 故障解析裝置
[8128-0118-0033] 制造對象物的搬送裝置和制造對象物的搬送方法
[8128-0122-0034] 電子束處理方法及電子束處理裝置
[8128-0212-0035] 制造半導體器件的等離子體刻蝕方法和設備
[8128-0218-0036] 半導體封裝基板的電性連接墊電鍍金屬層結構及其制法
[8128-0040-0037] 低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
[8128-0138-0038] 一種薄型集成電路的封裝方法
[8128-0058-0039] 應用于罩幕式只讀存儲器編碼布植的微影工藝
[8128-0182-0040] 固態成像裝置
[8128-0029-0041] 色心藍寶石襯底的制備方法
[8128-0167-0042] 具有保護環的半導體器件
[8128-0192-0043] 具有發光變換元件的發光半導體器件
[8128-0055-0044] 改善蝕刻中止層與金屬層間的粘著性的工藝與結構
[8128-0088-0045] 低K金屬前電介質半導體結構
[8128-0046-0046] 太陽電池少數載流子壽命分析儀
[8128-0176-0047] 半導體存儲裝置
[8128-0156-0048] 半導體器件
[8128-0159-0049] 利用反向自對準過程制造雙ONO式SONOS存儲器的方法
[8128-0149-0050] 防止微影工藝對準失誤的結構與方法
[8128-0173-0051] 半導體存儲裝置
[8128-0109-0052] 大量生產多個磁傳感器的方法
[8128-0079-0053] 一種源漏下陷型超薄體SOIMOS晶體管及其集成電路的制作方法
[8128-0111-0054] 溶液影響的取向
[8128-0021-0055] 半導體裝置及其制造方法
[8128-0131-0056] 金屬氧化膜的形成方法
[8128-0071-0057] 半導體存儲裝置及半導體集成電路
[8128-0011-0058] 內含溝道型肖特基整流器的溝道型DMOS晶體管
[8128-0026-0059] 束照射裝置、束照射方法及薄膜晶體管的制造方法
[8128-0039-0060] 減少金屬線缺陷的改進工藝
[8128-0003-0061] 半導體器件及其制造方法
[8128-0107-0062] 具有薄膜式襯底的熱電模塊
[8128-0014-0063] 用于制造并進行流體噴射的流體噴射環和方法
[8128-0140-0064] 連接墊及其制造方法
[8128-0075-0065] 具有帶有兩個腙基的電荷傳輸材料的有機光感受器
[8128-0059-0066] 閃存的制造方法
[8128-0009-0067] 用源極側硼注入的非易失性存儲器
[8128-0097-0068] 制造半導體模塊的方法以及按照該方法制造的模塊
[8128-0056-0069] 設計低功耗半導體集成電路的方法
[8128-0019-0070] 半導體元件及其制造方法、多層印刷布線板及其制造方法
[8128-0078-0071] 場效應晶體管
[8128-0121-0072] 用于分子存儲器和邏輯器件的定制電極
[8128-0049-0073] 等離子體處理裝置、聚焦環和基座
[8128-0048-0074] 基板保持工具、電子儀器制造方法、光掩膜的制造方法
[8128-0207-0075] 低溫多晶硅薄膜晶體管及其多晶硅層的制造方法
[8128-0154-0076] 集成電路設計整合方法及其應用的組件、交易方法與產品
[8128-0051-0077] 淺溝渠隔離區的制造方法
[8128-0143-0078] 一種準單跳變測試集的低功耗內建自測試產生器
[8128-0195-0079] 帶有光敏器件的有機發光二極管顯示器
[8128-0037-0080] 金屬線間介質膜的填充工藝
[8128-0179-0081] 非易失性存儲器件及其制造方法
[8128-0031-0082] 射束照射裝置、射束照射方法及半導體裝置的制作方法
[8128-0191-0083] 白光發光二極管及其制作方法
[8128-0206-0084] 低溫多晶硅薄膜的制造方法
[8128-0100-0085] 微影對準設計及CMP加工波紋表面覆蓋量測記號
[8128-0053-0086] 半導體裝置及其制造方法
[8128-0041-0087] 降低薄膜晶體管基板表面漏電流的方法
[8128-0012-0088] 薄膜構造體的制造方法
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[8128-0084-0090] 帶有具有冷卻功能的反射器的半導體發光器件
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[8128-0052-0092] 淺溝渠隔離的平坦化方法
[8128-0150-0093] 一種利用重復曝光形成雙鑲嵌結構的方法
[8128-0175-0094] 快閃存儲單元、快閃存儲單元的制造方法及其操作方法
[8128-0160-0095] 半導體裝置、電路基板以及電子設備
[8128-0104-0096] GaAs基激光器制造方法和GaAs激光器
[8128-0117-0097] 薄膜圖形形成方法及器件制造方法、光電裝置及電子設備
[8128-0180-0098] 圖像傳感器件及制造方法
[8128-0054-0099] 半導體集成電路器件及其制造方法
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[8128-0136-0102] 印刷掩模及使用該掩模的電子零件的制造方法
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[8128-0087-0105] 制造有機晶體管的方法及有機晶體管
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[8128-0043-0110] 半導體模塊及其制造方法
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