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[8125-0004-0001] 固體攝像器件及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種及其制造方法。固體攝像器件具有：基座(1)，具有在內側區域形成開口部(2)的框架狀的平面形狀，由絕緣材料構成；多根布線(4)，設在基座一方的面上，從開口部側的區域朝基座的外周端延伸；攝像元件(5)，以受光區域(5a)面朝開口部的方式，搭載在基座的設置布線的面上。各布線在基座的開口部側及外周端側的各端部形成各自的內部端子部(4a)及外部端子部(4b)，攝像元件的電極和布線的內部端子部電連接。布線由金屬薄板引線形成，基座由埋入金屬薄板引線的樹脂成型體構成，金屬薄板引線的側端面的至少一部分埋設在基座中。能由金屬薄板引線提高基座的剛性，抑制扭歪及翹曲。
[8125-0092-0002] 一種去除銅籽晶表面氧化膜及增強銅層黏附力的前處理工藝
[摘要] 在銅互連技術中，籽晶層表面的氧化是一個嚴重影響銅鍍層質量及銅互連線穩定性的因素。目前去除cuo的方法，有的很容易損傷籽晶銅本體；有的則容易造成籽晶層退火，銅層變粗糙，影響鍍層質量，均有很大缺陷。本發明提出一種去除銅籽晶層表面氧化膜及對籽晶層前處理的新工藝，具體是通過施加并調節陰極電流、陽極電流，控制鍍液溫度和硅片轉速，依靠鍍液中的h+去除籽晶層表面的cuo，保護銅籽晶層本體。在不損傷銅基體的前體下，有效去除cuo，并增強鍍層和籽晶層之間的黏附力，從而減輕銅布線中的熱應力誘導失效。
[8125-0149-0003] 移除氮化硅層的方法
一種移除氮化硅層的方法，此方法系首先提供一晶圓，其中晶圓上已形成有一氮化硅層，且氮化硅層系暴露出部分晶圓。之后，將晶圓置于一蝕刻反應槽中，且此蝕刻反應槽中系注入有一含氧化能力之化學反應物，以移除晶圓上氮化硅層。其中在移除氮化硅層之過程中，會同時在裸露的晶圓表面形成一化學氧化層。由于在晶圓之表面會形成有一化學氧化層以保護晶圓之表面，因此在移除氮化硅層之過程中，蝕刻液就不會對晶圓表面造成損害。
[8125-0068-0004] 外延晶片及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種外延晶片，在摻雜氮的單晶硅晶片表面形成有硅外延層，其特征在于：體內具有吸氣能力的氧析出物密度不低于108個/cm3。另外，本發明是提供一種外延晶片的制造方法，其特征在于：用cz法拉制添加了氮的單晶硅，將該單晶硅加工成晶片，以制造出單晶硅晶片，在該單晶硅晶片進行熱處理，使將晶片的體內的具有吸氣能力的尺寸的氧析出物密度不低于108個/cm3，然后在上述單晶硅晶片上進行外延生長。由此，不依存于器件工序，可確實獲得一種具有高吸氣能力的單晶硅晶片。
[8125-0011-0005] 薄膜晶體管及其制造方法和采用該薄膜晶體管的顯示裝置
[摘要] 本發明公開了一種薄膜晶體管及其制造方法和采用該薄膜晶體管的顯示裝置。該薄膜晶體管包括一有源層，其形成于一絕緣襯底上，且其中形成有溝道區、源極區和漏極區，其中一電壓被施加到該溝道區上以釋放在該溝道區中產生的熱載流子。
[8125-0126-0006] 使用高k值電介質的改進硅化物工藝
[摘要] 本發明是關于一種在柵極電極(14)上形成金屬硅化物(22、24)的過程中，防止該柵極電極(14)的高k值電介質層(12)熱分解的方法，該方法是使用鎳作為該硅化物(22、24)的金屬成分。
[8125-0218-0007] 薄膜晶體管的制造方法
[摘要] 本發明公開了一種薄膜晶體管的制造方法，包括下列步驟：首先，提供一基板，并無電鍍一柵極層于基板上。其后，圖形化柵極層以形成一柵極，并電鍍一金屬層于柵極上。陽極氧化金屬層以形成一柵極介電層，其后以一化學沉積法形成一半導體層于柵極介電層及基板上。
[8125-0212-0008] 在襯底上淀積氧化物膜的方法以及采用這種襯底的光伏電池
[摘要] 本發明涉及一種在放置在腔室(26)中的鋼化玻璃襯底(10)上淀積透明導電氧化物層(12)的方法。本發明方法這樣構成：提供原料源(32，34，36)，其中分別裝有一種氧基液態化合物，一種想要形成氧化物的液態金屬化合物和一種氣態或液態的摻雜物；將腔室中的溫度設定在130-300℃之間，壓力設定在0.01-2mbar之間；將原料源與上述腔室相連通。這樣，這些液體在其表面蒸發，無需任何的載體氣體即可吸入腔室中，并與摻雜物反應，從而在襯底上形成氧化物層。
[8125-0113-0009] 以二次激光方式產生白光光源的方法及其白光發光組件
[摘要] 一種以二次激光方式產生白光光源的方法，其利用能發出紫外光或紫光(波長360-420nm)的發光源，如發光二極管(簡稱led)或鐳射(簡稱ld)，激發藍色熒光粉體，放射出以藍光為主波峰的寬波段一次激發光頻譜，此一次激發光頻譜再激發能階較低的黃色熒光粉體，即可放射出以黃光為主波峰的寬波段二次激發光頻譜，經過適當調整此二種熒光粉體的比例，使所放出的一次激發光頻譜及二次激發光頻譜可產生互補混光作用，而產生全光譜的白光；此外，可另加入可為紫外光或紫光激發的紅色熒光粉體或綠色熒光粉體，以調整白光的不同演色性及色溫，并且可調整出其它不同色光的光源。
[8125-0124-0010] 退火晶片的制造方法以及退火晶片
[摘要] 本發明提供一種退火晶片的制造方法，在氬氣、氫氣、或上述氣體的混合氣體環境下，以1100至1350℃的溫度對以拉晶(cz)法制作出的單晶硅晶片，進行10至600分鐘的高溫退火的退火晶片，其特征在于：在進行退火時，通過支持機構對上述單晶硅晶片僅支持距離晶片外周端不小于5mm的晶片中心側的區域，且在進行上述高溫退火之前，以未滿上述高溫退火的溫度進行預退火，使氧析出物生長。由此，可提供一種即使為不小于300mm的大口徑單晶硅晶片，也可抑制在進行高溫退火時所產生的滑動位錯的退火晶片的制造方法以及退火晶片。
[8125-0196-0011] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
[8125-0138-0012] 用于形成觸點的方法及封裝的集成電路組件
[8125-0156-0013] 具有樹脂封殼的元件及其制作方法
[8125-0045-0014] 半導體薄膜后處理系統及樣品架
[8125-0157-0015] 半導體裝置封裝方法
[8125-0202-0016] 電磁場供給裝置及等離子體處理裝置
[8125-0177-0017] 內建有平板式散熱元件的功能模塊
[8125-0036-0018] 用于包括外延硅末端的超薄型氧化物上硅器件的方法及其制造的物件
[8125-0024-0019] 用于單離子注入的方法和系統
[8125-0117-0020] 快速熱處理的快速環境轉換系統和方法
[8125-0210-0021] 半導體器件及其制造方法
[8125-0094-0022] 制造影像傳感器的方法
[8125-0062-0023] 一種鑭鍶銀錳氧化物磁電阻材料及其制備方法
[8125-0047-0024] 薄膜半導體器件的制造方法
[8125-0095-0025] 一種半導體器件集合
[8125-0167-0026] 改進位元線和位元線接觸短路的結構與方法
[8125-0012-0027] 疊層型光電元件以及電流平衡調整方法
[8125-0100-0028] 閃爍存儲器控制柵堆積結構的側壁形成工藝
[8125-0050-0029] 高頻電磁輻射釬料微凸臺重熔互連方法
[8125-0087-0030] 離子注入機
[8125-0187-0031] 具有抗凹蝕絕緣層的半導體結構及其制作方法
[8125-0166-0032] 位元線的形成方法
[8125-0071-0033] 半導體器件及其制造方法、以及電鍍液
[8125-0052-0034] 基板溫度測定方法
[8125-0188-0035] 低溫多晶硅薄膜電晶體的結構
[8125-0055-0036] 制備多晶硅的方法
[8125-0078-0037] 圖像檢測裝置
[8125-0112-0038] 發光二極管封裝結構及其封裝方法
[8125-0067-0039] 成膜方法和成膜裝置
[8125-0200-0040] 基片保持裝置和電鍍設備
[8125-0020-0041] 包含智能通道門的smif裝載通道接口
[8125-0022-0042] 形成含有金屬的材料和電容器電極的方法以及電容器結構
[8125-0016-0043] 具有熒光多層結構的發光二極管裝置
[8125-0037-0044] 雪崩擊穿存儲器件及其使用方法
[8125-0136-0045] 垂直雙柵極場效應晶體管
[8125-0163-0046] 可減少角落凹陷的溝道式隔離組件的形成方法
[8125-0192-0047] 一種超輻射發光二極管的制作方法及其發光二極管
[8125-0104-0048] 電子芯片偏置風扇軸線式散熱器
[8125-0155-0049] 半導體器件的制造方法
[8125-0152-0050] 將非晶硅轉換為多晶硅的方法
[8125-0002-0051] 非易失半導體存儲器
[8125-0019-0052] 制造oled顯示器的具有至少一個熱轉移工位的方法和系統
[8125-0032-0053] 具有無凸塊的疊片互連層的微電子組件
[8125-0213-0054] 光子工程白熾發射器
[8125-0102-0055] 深亞微米cmos源漏制造技術中的工藝集成方法
[8125-0164-0056] 可避免產生扭曲效應的淺溝道隔離組件的制造方法
[8125-0132-0057] 具有降低的功率分配阻抗的互連模塊
[8125-0066-0058] 半導體晶片
[8125-0206-0059] 成像系統以及采用倒易空間光學設計的方法
[8125-0217-0060] 改善導電路徑電阻之方法及裝置
[8125-0085-0061] cdse量子點的制備方法
[8125-0203-0062] 用于后端線互連結構的具有增強粘合力及低缺陷密度的低介電常數層間介電膜的制...
[8125-0007-0063] 固體攝像裝置及其制造方法
[8125-0065-0064] 含有修飾層的有機薄膜晶體管器件及其加工方法
[8125-0051-0065] 晶片探測器
[8125-0193-0066] 寬光譜帶寬超輻射發光二極管的制作方法及其二極管
[8125-0035-0067] 功能裝置及其制造方法
[8125-0005-0068] 固體攝像裝置
[8125-0006-0069] 一種改善光電二極管線性特性的固體攝像裝置及驅動方法
[8125-0121-0070] 利用超薄氧擴散阻擋層防止晶體管中的橫向氧化的聯合方法和裝置
[8125-0153-0071] 一種高性能納米晶體管的制備方法
[8125-0205-0072] 與半導體裝置之射極接點形成接觸點
[8125-0109-0073] 無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池緩沖層薄膜的制備方法
[8125-0184-0074] 管線結構電力管理控制系統
[8125-0105-0075] 導線布局結構
[8125-0199-0076] 四連桿晶片夾緊機構
[8125-0063-0077] 一種摻銅、鋅的鑭鍶錳類鈣鈦礦結構氧化物磁電阻材料及其制備方法
[8125-0169-0078] 有dp阱的bimos數模混合集成電路及其制造方法
[8125-0064-0079] 一種相變薄膜材料納米線的制備方法
[8125-0110-0080] 一種薄膜太陽能電池襯底制備工藝
[8125-0084-0081] 基于2,5-二氨基對苯二酸衍生物的有機場致發光器件
[8125-0159-0082] 多層線路的薄型集成電路制造方法
[8125-0090-0083] 鋯鈦酸鉛鐵電薄膜的濕法刻蝕方法
[8125-0181-0084] 字符線交接點布局結構
[8125-0119-0085] 基片處理裝置
[8125-0160-0086] 用以厘清漏電流發生原因的半導體測試結構
[8125-0182-0087] 具厚膜多晶硅的靜電放電防護元件、電子裝置及制造方法
[8125-0168-0088] 鑲嵌結構的位元線接觸窗插塞的制作方法
[8125-0001-0089] 存儲器及其制造方法以及半導體裝置的制造方法
[8125-0074-0090] 導電導熱的界面
[8125-0133-0091] 光及電可編程硅化多晶硅熔絲器件
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[8125-0172-0093] 混合式集成電路的溝道式電容器的制造方法
[8125-0211-0094] 表面可裝配的光耦合器預裝件
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[8125-0072-0096] 膠粘帶
[8125-0190-0097] 有機發光二極管蒸鍍機臺
[8125-0198-0098] 等離子腔室的腔室屏蔽
[8125-0118-0099] 晶片級下填和互連工藝
[8125-0141-0100] 半導體微器件的一種鍵合方法及其鍵合強度的檢測方法
[8125-0014-0101] 發光二極管裝置
[8125-0042-0102] 一種改變氫化物氣相橫向外延gan薄膜中傾斜角的方法
[8125-0185-0103] 互補式金氧半導體及其組合元件
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[8125-0081-0105] 發光二極管燈
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[8125-0053-0114] 一種控制sti cmp工藝中殘余氮化硅厚度穩定性的方法
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