半導體,半導體元件,半導體薄膜,氮化物半導體類技術資料(168元/全套)貨到付款
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[8148-0171-0001] 器件和制造集成電路的方法
[摘要] 提供了集成電路和制造它們的方法。特別是，提供了具有屏蔽單元的集成電路。
[8148-0201-0002] 一種后淺槽隔離工藝方法
[摘要] 本發明提供一種后淺槽隔離工藝方法。首先于一襯底的一上表面形成一摻雜阱區域，并于該襯底的該上表面依序形成一氧化層與一多晶硅層。接著蝕刻該多晶硅層，以于該摻雜阱區域中形成一柵極，且隨后于該柵極兩側形成一漏極/源極區域。之后于該襯底上形成一第一介電層，以覆蓋該摻雜阱區域、該柵極與該摻參井區域以外的區域后，再形成一具有一約略平坦表面的第二介電層，以覆蓋該第一介電層。接著于該第二介電層上形成一光致抗蝕劑層以覆蓋該摻雜阱區域，并蝕刻該摻雜阱區域以外的該第二介電層、該第一介電層以及該襯底，以形成一溝槽區域。最后去除該光致抗蝕劑層，再沉積一第三介電層以填入該溝槽區域并且覆蓋于該第二介電層上。
[8148-0110-0003] 氣相流體運送系統的流體加熱注入裝置
一種氣相流體運送系統的加熱注入裝置，其包含一惰性氣體潔凈組件及一流體加熱裝置。惰性氣體潔凈組件至少包含一注入器、一三向閥門、一排氣用分支管道及一潔凈氣體供應部，且此三向閥門用以連接潔凈氣體供應部、注入器及排氣用分支管道。液態材料由注入器注入一氣體通道中，此外潔凈氣體供應部提供潔凈氣體用以噴吹潔凈殘存于注入器內的液態材料，以避免聚合作用的產生。流體加熱裝置用于調整溫度至所需制程溫度，并且可更快速有效率地加熱并穩定溫度于整個制程反應中。
[8148-0005-0004] 改善雙嵌入式層間金屬介電層表面平坦度的方法
[摘要] 一種改善雙嵌入式層間金屬介電層表面平坦度的方法，適用于一半導體基底，上述基底表面具有金屬線路，包括：依序沉積一金屬密封層、一層間金屬介電層、一保護犧牲層及一硬質罩幕層于上述金屬導線上；定義去除上述硬質罩慕層及上述保護犧牲層，形成第一開口于上述層間金屬介電層上；定義去除上述層間金屬介電層，形成第二開口于上述層間金屬介電層內部且未露出上述金屬導線路，其中上述第二開口系位于上述第一開口內且對準上述金屬導線路；去除上述硬質罩幕層及部分上述層間金屬介電層，同時形成導線溝槽及接觸通孔，使上述接觸通孔底部露出于金屬線路，且上述層間金屬介電層構成階梯型(或t型)剖面輪廓；去除上述保護犧牲層，露出上述層間金屬介電層表面；形成一金屬阻礙層于上述層間金屬介電層、上述導線溝槽及上述接觸通孔上；以及填充金屬于上述導線溝槽及上述接觸通孔內，且與上述金屬線路接合。
[8148-0134-0005] 半導體器件
[摘要] 本發明的半導體器件有島；固定在島上的半導體芯片；延伸到島的很多內部引線；密封島、半導體芯片和內部引線的樹脂；和設置在內部引線邊緣和島之間的髦骺刂瓢濉
[8148-0203-0006] 具有掃描設計可測試性性能的非掃描設計測試點結構
[摘要] 具有掃描設計可測試性性能的非掃描設計測試點結構屬于集成電路可測試性設計技術領域，其特征在于，在組合邏輯電路各可控測試點和各相應的受控觸發器之間連接有：各輸出端依次相間隔地和上述各可控測試點相連而各有一個輸入端與上述各受控觸發器相應輸出端依次相連的由或門和與門相間隔地組成的門縱列，各輸出端在和上述各或門的另一輸入端相連的同時而其輸入信號分別為下述數字電平彼此相異的各原始輸入信號pi1，pi2，…，pik和統一的控制信號pr的另一個與門縱列。其中，pr＝0為正常工作狀態，pr＝1為測試狀態。上述另一個與門縱列可用或門縱列代替。與傳統的掃描設計測試點結構相比它具有測試周期短，管腳開銷省，故障覆蓋率高的優點。
[8148-0218-0007] 具有受吸氣層保護的氫退化介電層的集成電容器件
[摘要] 描述了一種集成器件，它包括一個由介電層隔開的第一和第二電極層形成的薄膜電容，介電層由可氫退化的化合物形成，其特征在于它進一步包括至少一層吸氣層，吸氣層由下列材料之一制成：鋯、釩和鐵組成的合金(可選地可含有少量錳和/或稀土元素)，或鋯與鐵、鈷、鎳至少其中之一組成的合金(可選地可含有至多15％(重量百分比)的稀土元素)。
[8148-0012-0008] 堆棧閘極快閃存儲裝置的制造方法
[摘要] 一種堆棧閘極快閃存儲裝置的制造方法，包括以下步驟：提供一基底；在基底上依序沉積一第一及第二沉積層；在第二、第一沉積層及基底中形成一深及基底中的第一凹槽；形成一填滿第一凹槽的第一絕緣層；移除第二沉積層而露出第一絕緣層側壁；蝕刻第一沉積層及第一絕緣層，而在第一絕緣層形成一梯狀側壁，并移除第一沉積層而形成一曝露基底的第二凹槽；在曝露的基底表面形成一第二絕緣層；沉積一第一閘極層并回蝕而使第一閘極層位于第二凹槽中且在第一閘極層中間及側邊分別形成一凹陷部及尖端部；蝕刻第一絕緣層而使第一閘極層的尖端部露出；在第一閘極層表面形成一第三絕緣層；沉積一第二閘極層填滿第二凹槽。
[8148-0192-0009] 金屬板及其成形方法
[摘要] 提供一種形成一種結構的步驟，其中，通過使用模具以沖壓的方式使金屬板成形，在金屬板的一個表面上的預定部分形成第一凹入部分，并通過形成第一凹入部分而形成在金屬板另一表面突出的凸出部分，在凸出部分的外圍部分的預定部分形成第二凹入部分，和切削在金屬板另一表面上形成的凸出部分的步驟。
[8148-0080-0010] 電子裝置
[摘要] 在一種在溫度層級結合中實現高溫端焊接結合的電子裝置中，半導體裝置與襯底之間的結合部分通過由cu之類構成的金屬球和由金屬球和sn構成的化合物而形成，并且金屬球通過化合物而結合在一起。
[8148-0065-0011] 在半導體應用的電沉積銅中缺陷的降低
[8148-0193-0012] 用于球柵陣列芯片的固定裝置
[8148-0127-0013] 半導體集成電路的設計方法和測試方法
[8148-0108-0014] 在半導體晶片上生長薄膜的蒸發方法
[8148-0061-0015] 氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
[8148-0147-0016] 薄膜晶體管及具有該薄膜晶體管之顯示裝置
[8148-0105-0017] 一種晶體的激光定向方法
[8148-0068-0018] 焊球植入裝置
[8148-0126-0019] 一種非易失性存儲單元的編程及擦除方法
[8148-0169-0020] 封裝基板
[8148-0096-0021] 高承受力二極管及其制備方法和用途
[8148-0094-0022] 固態攝像元件及其制造方法
[8148-0041-0023] 發光器件
[8148-0205-0024] 半導體器件及其制造方法
[8148-0099-0025] 新型納米多孔薄膜及其制備方法
[8148-0191-0026] 電路板的制造方法以及制造裝置
[8148-0028-0027] 半導體器件及其制造方法
[8148-0086-0028] 半導體器件及其制作方法
[8148-0011-0029] 用于生產cmos器件的方法
[8148-0082-0030] 雙鑲嵌制程
[8148-0025-0031] 可增加填滿系數的互補式金氧半影像傳感器結構
[8148-0042-0032] 具有部分隔離的源/漏結的場效應晶體管結構及其制造方法
[8148-0152-0033] 氧化銦膜的形成方法、具有氧化銦膜的襯底及半導體元件
[8148-0102-0034] 用于制造gan基底的裝置及其制造方法
[8148-0060-0035] 生產松弛sige基質的方法
[8148-0037-0036] 被處理體的保持裝置
[8148-0118-0037] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器
[8148-0104-0038] 有機材料從給予體轉移形成有機發光二極管裝置中的一層
[8148-0197-0039] 半導體裝置及其制造方法、電路板以及電子機器
[8148-0070-0040] 在半導體基底上隔離元件的方法
[8148-0174-0041] 半導體裝置
[8148-0199-0042] 半導體裝置及其制造方法和電子機器
[8148-0180-0043] 液冷式發光二極管及其封裝方法
[8148-0014-0044] 分離閘極快閃存儲器的制造方法
[8148-0027-0045] 平面檢測型固體攝像裝置
[8148-0089-0046] 多晶存儲結構,形成該結構的方法,和使用該結構的半導體存儲裝置
[8148-0177-0047] mos晶體管組件
[8148-0183-0048] 半導體裝置的制造方法
[8148-0006-0049] 快速程序對程序驗證的方法
[8148-0048-0050] 晶片制備系統和晶片制備方法
[8148-0026-0051] 主動式互補金氧半導體像素裝置及其制造方法
[8148-0150-0052] 高效低成本大面積晶體硅太陽電池工藝
[8148-0215-0053] 半導體器件及其制造的方法
[8148-0075-0054] 決定加工參數、決定加工參數和設計規則至少一方的方法
[8148-0159-0055] 薄半導體芯片及其制造方法
[8148-0022-0056] 具有量子點的存儲器及其制造方法
[8148-0216-0057] 一種肖特基二極管的原型器件及其制備方法
[8148-0168-0058] 將管芯附著到襯底上的方法
[8148-0087-0059] 半導體裝置及其制造方法
[8148-0125-0060] 半導體裝置及其制造方法
[8148-0130-0061] 帶有散熱板的電子產品
[8148-0121-0062] 超音波漏斗型輻射體及使用該超音波漏斗型輻射體的超音波接合裝置
[8148-0141-0063] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器
[8148-0076-0064] 多層半導體器件及其制造方法
[8148-0049-0065] 晶片粘接時用于經加熱基板的機械夾持器
[8148-0078-0066] 固態發光裝置封裝的散熱構件及其制造方法
[8148-0207-0067] 半導體器件基底及其制造方法及半導體封裝件
[8148-0043-0068] 發光二極管芯片及其制造方法
[8148-0039-0069] 用于高效像素化有機電子設備的高電阻導電聚合物
[8148-0186-0070] 一種厚膜絕緣層上硅材料的制備方法
[8148-0204-0071] 結合自我對準接觸制程以及自我對準硅化物制程的方法
[8148-0214-0072] 溝道蝕刻薄膜晶體管
[8148-0175-0073] 半導體裝置
[8148-0064-0074] 射頻等離子體處理方法和射頻等離子體處理系統
[8148-0132-0075] 布線基板及帶狀布線基板的制造方法
[8148-0100-0076] 半導體器件的制造方法及半導體器件
[8148-0032-0077] 發光二極管
[8148-0170-0078] 散熱翅片、熱管或穿管、母板金屬一體化散熱器
[8148-0181-0079] 薄膜壓電元件的制造方法和元件收納夾具
[8148-0053-0080] 等離子體處理系統中腐蝕終點的確定方法和確定裝置
[8148-0165-0081] 形成淺溝槽隔離區的方法
[8148-0188-0082] 平行度優于1秒的晶體材料偏心拋光方法
[8148-0031-0083] 光電元件及其制造方法
[8148-0073-0084] 光刻編程集成電路
[8148-0157-0085] 半導體裝置的制造方法
[8148-0002-0086] 可變電阻器件、可變電阻儲存器的制造方法及儲存器
[8148-0160-0087] 引線框的制造方法
[8148-0111-0088] 在離子注入器中調節離子束平行的方法和設備
[8148-0007-0089] 集成電路之制造方法
[8148-0098-0090] 染料敏化納米薄膜太陽電池電極的制備方法
[8148-0093-0091] 電荷傳輸裝置
[8148-0211-0092] 半導體裝置、設計方法及記錄其裝置設計程序的記錄媒體
[8148-0135-0093] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器
[8148-0206-0094] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器
[8148-0144-0095] 高抗輻射的電可擦去可編程只讀存儲器晶胞
[8148-0158-0096] 制造半導體器件的方法
[8148-0054-0097] 具有電鍍電阻器的印刷電路板的制造方法
[8148-0161-0098] 軟式封裝構造及其制作方法
[8148-0212-0099] 固體攝像裝置
[8148-0182-0100] 晶片處理裝置和晶片平臺以及晶片處理方法
[8148-0045-0101] 磁阻效應元件與利用此磁阻效應元件的磁阻效應型磁頭及磁存儲與還原裝置
[8148-0033-0102] 含有保護層的有機半導體場效應晶體管及制作方法
[8148-0123-0103] 動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法
[8148-0189-0104] 基板處理裝置和基板處理方法
[8148-0074-0105] 半導體裝置的制造方法
[8148-0044-0106] 壓電彎曲變換器
[8148-0024-0107] 可降低暗電流的互補式金氧半圖像傳感器結構及其布局方法
[8148-0077-0108] cof柔性印刷線路板及制造該線路板的方法
[8148-0143-0109] 半導體存儲器
[8148-0209-0110] 利用散熱器護罩散熱的散熱器裝置
[8148-0083-0111] 半導體器件及其制造方法
[8148-0029-0112] 具有天線的半導體元件
[8148-0067-0113] 具接地參考電位功能的散熱板用于散熱型芯片塑料封裝的制法
[8148-0163-0114] 晶圓表面與工藝微粒與缺陷的監控方法
[8148-0140-0115] 半導體器件及其制造方法
[8148-0052-0116] 用于穿通非外延型絕緣柵雙極型晶體管的緩沖區的氫注入
[8148-0059-0117] 用流體分離組合元件的方法和裝置
[8148-0195-0118] 射頻臺式硅二極管電泳沉積玻璃鈍化共形膜制備方法
[8148-0062-0119] 半導體裝置的制造方法
[8148-0090-0120] 存儲器集成電路
[8148-0119-0121] 電子元件裝置用粘接劑
[8148-0079-0122] 一種半導體器件和一種制造該器件的方法
[8148-0208-0123] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器
[8148-0021-0124] 分離閘極快閃存儲裝置及其制造方法
[8148-0023-0125] 混合照光區的互補式金氧半影像傳感器結構及其電位讀取方法
[8148-0018-0126] 晶圓結構
[8148-0047-0127] 有機電子設備中的溶液處理的有機電活性層的熱處理
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[8148-0166-0129] 在形成有導電結構的半導體基底表面形成雙鑲嵌結構的方法
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[8148-0114-0131] 抑制半導體器件的短信道效應的方法
[8148-0155-0132] 半導體器件的制造方法和半導體器件的制造裝置
[8148-0153-0133] 一種在硅片上制備高效硅基發光薄膜的方法
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