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[8139-0087-0001] 采用超晶格的無電介質勢壘的開關裝置
[摘要] 為打破“縮小法則”的界限而提出來的應用了超導體的元件，由于在元件中使用的用于隔斷電流的電介質材料的存在，還沒有被實用化。申請人提出利用無電介質勢壘而對電流的流動進行控制的s-n-s接合的3端子元件。該元件在沒有通過破壞超導狀態而動作的元件的能量損失狀態下，可以在超高頻下動作。
[8139-0177-0002] 電力半導體器件
[摘要] 提供一種維持低導通電壓且開關特性良好的電力半導體器件。一種電力半導體器件包含：在離開第2導電類型的集電極層(3)的位置，設置用于劃分主單元(mr)和偽單元(dr)的間隔來在第1導電類型的第1基極層(1)內設置的多個溝槽(4)。在主單元內設置第2導電類型的第2基極層(7)和第1導電類型的發射極層(8)，在偽單元內設置第2導電類型的緩沖層(9)。與主單元鄰接的溝槽內隔著柵絕緣膜(5)設置柵電極(6)。在緩沖層和發射極層之間插入具有無窮大電阻值的緩沖電阻。在偽單元中附加有使從集電極層流入緩沖層而貯存的第1導電類型的載流子數量減少的抑制結構(9a)。
[8139-0125-0003] 連結墊結構及其制造方法
一種連結墊結構及其制造方法，是由一沉積于上層導體層上具有數個獨立介電質島的內層介電層、沉積于獨立介電質島上的阻障層、配置于阻障層上與獨立介電質島間的導體材質以及定義成數個連結墊的金屬層所組成。其中，獨立介電質島可以是一格柵狀結構，且導體材質配置于格柵狀結構的溝渠中，以及金屬層配置于格柵狀結構上。
[8139-0164-0004] 在芯片內部集成電阻電容乘積的時間常數測試電路
[摘要] 本發明涉及一種在芯片內部集成電阻電容乘積的時間常數測試電路，包括有源rc濾波器，rc有源濾波器與濾波器設計中的各個極點關聯的rc電路結構單元構成的各個單階rc中增加可控單元陣列。可控單元陣列為與常規rc單元連接并且可以改變rc時間常數的調整單元；設置一個rc乘積時間常數的測試電路；設置一邏輯校正電路，該電路將測量得到的rc時間常數與設計需要的數值進行比較。本發明不僅可以設計單個濾波器使得其每一個極點與設計需要的數值在要求的誤差內；而且可以設計可調諧濾波器，濾波器在每一個諧波點上的各個極點位置都是精密可控的。
[8139-0045-0005] 用于動態閾值電壓控制的多晶硅背柵soi mosfet
[摘要] 提供了一種制作soi金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(mosfet)的方法。此soi mosfet含有多晶硅背柵來控制含多晶硅前柵的閾值電壓。在soi mosfet器件中背柵起動態閾值電壓控制系統的作用，因為它適用于電路/系統運行期間和閑置期間。
[8139-0007-0006] 高效發光二極管及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種發光二極管及制造該發光二極管的方法。該發光二極管包括基底，形成在該基底上的n型化合物半導體層，形成在n型化合物半導體層上的有源層緯稍謨性床閔系腜型化合物半導體層，與n型化合物半導體層接觸的n型電極，以及與p型化合物半導體層接觸的p型電極。其中，發射光的有源層的表面是連續的彎曲表面。于是，有源層的發光率可以大大高于傳統的發光二極管的有源層。因此，本發光二極管發出的光量增加，而且在全方向上均勻發光。此外，本發明的制造方法的優點在于，無需增加單獨的步驟來形成有源層的波形。
[8139-0131-0007] 半導體測試裝置
[摘要] 一種半導體測試裝置，包含：一主機；一機械手臂；一傳動變向單元，具有不同方向的一第一傳動軸及一第二傳動軸；一驅動單元，與第一傳動軸相互連接；一傳動單元，設有一第一旋轉元件、一第二旋轉元件及一連動元件，該第一旋轉元件軸設于該連結板上，該第二旋轉元件連結于第二傳動軸，該連動元件用以連結該第一旋轉元件及該第二旋轉元件；一控制單元，用以控制該驅動單元的轉動方向與轉動速度；以及一測試頭，電性連接至該主機；當該驅動單元被啟動時，該驅動單元的動力經由第一傳動軸傳至該第二傳動軸，該第二傳動軸上的第二旋轉元件乃因而旋轉，再經由該連動元件的作動而使該第一旋轉元件旋轉，進而使該測試頭轉動；本發明通過一控制單元來控制驅動單元使測試頭作動，并使測試頭轉向，符合自動化及省時的要求，并且使測試人員避免職業傷害。
[8139-0139-0008] 甚低有效介電常數互連結構及其制造方法
[摘要] 種應用了甚低介電常數(k)絕緣體和銅布線來獲得高性能布線的結構。該布線由相對堅固的低k電介質—例如silk或sio2—來支撐，而甚低k且更不堅固的間隙填充材料置于結構的剩余部分，從而該結構組合了用于堅固的耐用層和甚低k電介質以同時獲得強度和互連的電性能。<
[8139-0057-0009] 帶有超薄垂直體晶體管的快速存儲器
[摘要] 提供了具有超薄垂直體晶體管(200)的快速存儲器的結構和方法。該快速存儲器包括一個存儲單元陣列，存儲單元包括浮動柵極晶體管(200)。每個浮動柵極晶體管(200)包括從半導體基片(202)向外延伸的柱體(201)。該柱體(201)包括由氧化物層(208)垂直分開的單晶第一接觸層(204)和第二接觸層(206)。在柱體側面形成單晶垂直晶體管(210)。該單晶垂直晶體管(210)包括將超薄單晶垂直第一源/漏區(214)和超薄單晶垂直第二源/漏區(216)分開的超薄單晶垂直體區(212)。浮動柵極(212)與超薄單晶垂直體區(212)和由絕緣層(220)從浮動柵極(212)分開的控制柵極(218)相對。
[8139-0142-0010] 用于埋入式后端線結構的錯落金屬化
[摘要] 本發明公開了一種用于埋入式后端線結構的錯落鍍金屬法，其中mram單元設置在集成電路的上區(beol)中，通過將beol的標準垂直尺寸設置為適于邏輯電路的值，同時保持了良好的mram性能和良好的邏輯電路運行所需的尺寸。在設置mram單元的區域中，第n+1級單獨地蝕刻。在邏輯區中進行標準蝕刻，而在mram區中進行更深的蝕刻，使得邏輯區的級間距離為標準量，而mram區的級間距離為較小的、適于容納進入mram單元的材料層的垂直尺寸的量。
[8139-0165-0011] 多功能管腳電路
[8139-0199-0012] 半導體集成電路器件的制造方法
[8139-0153-0013] 散熱器和使用了該散熱器的半導體元件和半導體封裝體
[8139-0067-0014] 電子部件的散熱結構體和用于該散熱結構體的散熱片材
[8139-0104-0015] 集成電路的圖形設計方法、曝光掩模的制作方法及其應用
[8139-0107-0016] 形成多晶硅層以及制作多晶硅薄膜晶體管的方法
[8139-0099-0017] 溝槽柵費米閾值場效應晶體管及其制造方法
[8139-0121-0018] 低阻t-柵極mosfet器件及其制造方法
[8139-0002-0019] 半導體器件及其制造方法
[8139-0030-0020] 半導體封裝件及封裝半導體的方法
[8139-0060-0021] 襯底處理裝置及襯底處理方法
[8139-0190-0022] 直接從移動運輸裝置上卸載基片載體的基片載體搬運器
[8139-0024-0023] 具有氣泡消除裝置的監測系統
[8139-0021-0024] 用于引線接合的毛細管及利用毛細管進行引線接合的方法
[8139-0089-0025] 制造光學器件的方法以及相關的改進
[8139-0074-0026] 減少半導體容器電容器中的損傷
[8139-0085-0027] 制造太陽能電池的方法及用此法制造的太陽能電池
[8139-0050-0028] 光接收元件及其制造方法以及具有內建電路的光接收元件
[8139-0158-0029] 銅雙鑲嵌內連線的焊墊及其制造方法
[8139-0218-0030] 于半導體元件的制造中縮小間距的方法
[8139-0189-0031] 制造納米soi晶片的方法及由該法制造的納米soi晶片
[8139-0122-0032] 覆晶封裝制程及其裝置
[8139-0043-0033] 高壓n型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管
[8139-0054-0034] 氮化物系半導體發光元件
[8139-0144-0035] 改進的垂直mosfet dram單元間隔離的結構和方法
[8139-0041-0036] 具有穩定開關特性的單電子晶體管
[8139-0063-0037] 控制蝕刻選擇性的方法和裝置
[8139-0123-0038] 半導體器件及其制造方法
[8139-0108-0039] 島狀突起修飾部件及其制造方法和采用它的裝置
[8139-0032-0040] 一種大功率器件及其散熱器件的壓裝方法
[8139-0092-0041] 鐵電體薄膜、金屬薄膜或氧化物薄膜、其制造方法和制造裝置以及使用薄膜的電子...
[8139-0198-0042] 離子摻雜裝置及離子摻雜裝置用多孔電極
[8139-0200-0043] 在半導體工藝中形成亞光刻開口的方法
[8139-0095-0044] 半導體模塊的中間載體、用它制造的半導體模塊及制造方法
[8139-0133-0045] 電子部件封裝用薄膜載帶的檢查方法及其檢查裝置
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[8139-0080-0047] 具有從半導體芯片導熱的熱管的電子裝置
[8139-0167-0048] cmos元件及其制造方法
[8139-0076-0049] 硅晶片的制造方法及硅晶片以及soi晶片
[8139-0180-0050] 半導體膜、半導體膜的制造方法、半導體器件以及半導體器件的制造方法
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[8139-0147-0052] 半導體封裝用基板及半導體裝置
[8139-0034-0053] 半導體裝置及使用該半導體裝置的處理系統
[8139-0083-0054] 薄膜晶體管結構及其制造方法和使用它的顯示器件
[8139-0056-0055] 曝光裝置、曝光法和器件制造法
[8139-0137-0056] 具有邊角保護層的淺溝槽隔離區制造程序
[8139-0064-0057] 用于將來自基底的熱量傳遞給卡盤的方法和設備
[8139-0162-0058] 半導體裝置
[8139-0093-0059] 用于集成電路平面化的粘性保護覆蓋層
[8139-0140-0060] 形成貫穿襯底的互連的方法
[8139-0166-0061] 半導體器件及其制造方法
[8139-0149-0062] 具有全金屬化過孔的封裝接口基板晶片的制造技術
[8139-0196-0063] 采用偶極子照明技術依賴屏蔽的定向
[8139-0195-0064] 半導體器件和固體攝象器件的制造方法
[8139-0031-0065] 半導體封裝及其制造方法以及半導體器件
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[8139-0098-0071] 半導體裝置
[8139-0106-0072] 通過選擇性反應生產掩模的非平版印刷方法，生產的制品和用于該方法的組合物
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[8139-0132-0075] 對半導體器件進行并行測試的裝置和方法
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[8139-0009-0081] 一種磁電復合材料及其制法
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