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[8318-0157-0001] 大功率全固態雙共振和頻藍光激光裝置
[摘要] 本發明涉及一種大功率全固態雙共振和頻藍光激光裝置，包括在光路上依次安置泵光源，泵光源安置在一塊諧振腔鏡的前方從端面泵浦激光晶體，諧振腔鏡設置成一激光諧振腔；并在諧振腔鏡形成的諧振腔內依次安置激光晶體、倍頻晶體；還包括在激光諧振腔內的激光晶體與倍頻晶體之間的光路上設有一色散補償元件，在倍頻晶體后的光路上安置一和頻晶體，在諧振腔鏡輸出的光路上按布氏角安置一分光棱鏡；所述光學元件固定在光學具座上，光學具座固定在光學平臺上。該裝置采用雙共振組成單通或雙通和頻光路，克服了原有技術采用準三能級難于鍍膜和難于散熱的缺點，并且結構簡單，其功率可達幾瓦到幾十瓦，實現了高效、大功率的藍光輸出。
[8318-0025-0002] 含有光纖元件的光學裝置
[摘要] 描述一種光學裝置，包括光纖元件，例如光纖光柵，該元件與預定的傳遞函數有關，能夠放在多組相鄰線圈里。此外，光學裝置裝備有剛性安裝座，能夠容納所述的光纖元件，其特征在于它能容納至少一種分隔件，用于物理地分隔所述多個線圈，以便防止經過重疊產生的相互接觸；并且容納一種固定所述光纖元件的構件，該構件能夠將所述元件固定在穩定位置。該方案能夠避免在將光纖元件放置在安裝座時和/或該裝置使用期引起的傳遞函數的變化。
[8318-0152-0003] 氮化物半導體基板及制法和使用該基板的氮化物半導體裝置
一種氮化物半導體基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性t字形橫剖面的第一氮化物半導體層，其系于支承基板上自周期性設置的條紋狀、格柵狀或島狀部分成長，及(c)覆蓋該支承基板的第二氮化物半導體基板，其系自該第一氮化物半導體層的上表面及側面成長，其中在第二氮化物半導體層的下方形成空穴。將具有周期性設置的條紋狀、格柵狀或島狀孔隙的保護層形成于支承基板上。第一氮化物半導體層自基板的暴露部分橫向成長。在第一氮化物半導體層覆蓋支承基板之前停止成長。因此，第一氮化物半導體層具有周期性的t字形橫剖面。然后將保護層移除，及使第二氮化物半導體層自第一氮化物半導體層的上表面及側面成長，以覆蓋基板。
[8318-0039-0004] 半導體激光元件
[摘要] 本發明的目的是，提供一種選擇成長形成的折射率控制層的膜厚控制性高、有效折射率差的再現性好、制造成品率高的半導體激光元件。在活性層25的至少一側設具有活性層25的禁帶寬度以上的禁帶寬度的光波導層27，在光波導層27外側設具有光波導層27的禁帶寬度以上的禁帶寬度的包層28，在光波導層27上，設經選擇成長埋入的、具有帶狀窗r21的折射率控制層31的實際折射率波導型半導體激光元件中，折射率控制層31埋入光波導層27，在埋入的折射率控制層31上設先行選擇成長的半導體層30，在包含半導體層30和折射率控制層31的疊層部分中，半導體層30的膜厚變化造成的有效折射率的變化量，比折射率控制層31的膜厚變化造成的有效折射率的變化量更小。
[8318-0112-0005] 特殊切角的硼酸鉍變頻晶體器件
[摘要] 本發明屬于光電子技術領域。本發明的主要內容就是對于倍頻，當入射光波長為780nm～1180nm時，硼酸鉍晶體器件的切角范圍是θ＝149.5°±5°～175°±5°，φ＝90°±5°，入射光波長為1180nm～1380nm時，晶體切角范圍是θ＝169°±5°～167°±5°,φ＝135.5°±5°～153.7°±5°，對于和頻，當入射光波長為1064nm，532nm時，晶體切角范圍是θ＝137.7°±5°，φ＝130°±5°，或θ＝146.4°±5°，φ＝90°±5°。它解決了現有技術無法確定bibo晶體器件最佳切向的問題。本發明具有變頻轉換效率高、能耗低等優點。
[8318-0162-0006] 可見波段雙波長固體激光器
[摘要] 一種可見波段雙波長固體激光器涉及固體激光器設計領域。采用腔內同時進行倍頻與和頻的方案，利用紅外激光泵浦，同時輸出可見波段的雙波長激光。器件結構緊湊，降低了器件制造、維護、調整的復雜性，也降低了制造和維護成本，提高了運轉的穩定性和可靠性。
[8318-0022-0007] 半導體激光器列陣的組裝設備
[摘要] 本發明適用于半導體激光器列陣的組裝和燒結。包括爐體、溫控系統、攝像系統、顯微鏡、電源，這種爐子集組裝、燒結、觀測為一體。解決了組裝過程中的管芯對準問題，并能精確控溫及迅速降溫。組裝好激光器列陣后，不用把激光器移動而進行燒結。本發明使用角度可調的支撐臺面，確保不同大小列陣組裝的自對準。支柱的支撐孔高度不同，可使支撐板向一端傾斜，活動桿的調節孔的高度也不同，支架使支撐板向一端傾斜，下電極和管芯會由于重力下滑而貼在擋板上自動對齊管芯，本發明溫度可以控制，用高度拋光的支撐板作臺面和高度拋光的擋板，所以不會對管芯有任何損壞。可以在氣體的保護下進行激光器列陣的燒結，可以在監視系統監視下進行組裝。
[8318-0012-0008] 半導體激光器光頻光強調制器
[摘要] 一種半導體激光器光頻光強調制器，能夠分別獨立地進行對被調制半導體激光器的光頻和光強調制。調制光源采用了三電極分布布拉格反射半導體激光器。當進行光頻調制時，通過光路中的偏振分束器、分束器和光電轉換器，控制驅動電流控制器注入到被調制半導體激光器上的電流大小，達到在光頻調制過程中，光強不隨著變化的目的。當進行光強調制時，利用三電極分布布拉格反射半導體激光器將輸出光束鎖定在某一光頻上，關閉與驅動電流控制器連接的光電轉換器，控制驅動電流控制器輸出的電流強度，達到在光強調制過程中，減弱光頻啁啾和脈動的問題。本發明的調制器集獨立調制光頻和光強為一體的裝置，擴大了一調制器的使用范圍。
[8318-0200-0009] 半導體激光器及其制造方法
[摘要] 本發明對實折射率波導型半導體激光器，得到高輸出功率的半導體激光器。提供一種半導體激光器，其特征在于，具有：第1導電型包層；通過注入電流而派涔獾撓性床悖壞?的第2導電型包層；作為脊形波導路的第2的第2導電型包層；帶隙比夾著上述第2的第2導電型包層在其兩側形成的上述第1及第2的第2導電型包層大的電流阻擋層；向上述第2的第2導電型包層導入電流時，具有足以防止漏電流流入上述電流阻擋層的遷移率的第3的第2導電型包層。
[8318-0064-0010] 穩定的輻射源
[摘要] 一種穩定輻射源(300)包括：(a)一個分布反饋(dfb)激光器(310)；(b)一個用于將部分輸出輻射耦合到第一和第二光路的后透鏡(340)；(c)用于檢測穿過第一和第二光路傳輸的輻射，和產生表示輻射功率的第一和第二信號(j1，j2)的光輻射檢測器(370，380)；以及(d)用于響應穩定信號來控制該激光器(310)的控制電路(390)。本發明特征在于第一和第二輻射路徑可操作來將基本未濾過的和波長依賴濾光輻射傳輸由此分別提供到該檢測裝置(370，380)。穿過第一光路傳輸被轉換為第一信號(j1)的未過濾輻射特別適合于實現激光輸出輻射功率穩定，它獨立地輸出輻射波長。
[8318-0052-0011] 具有發散區的半導體激光器單元
[8318-0143-0012] 穩定大功率半導體激光器輸出波長的方法和裝置
[8318-0078-0013] 一種波長連續可調的半導體激光器及其制備方法
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[8318-0125-0020] 激光振蕩方法和激光裝置
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[8318-0091-0034] 在主動鎖模摻鉺光纖環形激光器中產生高階鎖模脈沖的方法
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[8318-0005-0042] 多波段喇曼放大器泵浦源
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