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HG-ES 光譜橢偏機
(光伏專用/科研通用兩種應用選擇)
HG-ES光譜橢偏機是針對光伏太陽能電池研發和質量控制領域推出的高性能光譜橢偏機。
HG-ES光譜橢偏機用於測量和分析光伏領域中多層納米薄膜的層構參數(如,厚度)和物理參數(如,折射率n、消光系數k),典型樣品包括:絨麵單晶和多晶太陽電池上的單層減反膜(如SiNx,SiO2,TiO2,Al2O3等)和多層減反膜(如,SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等),以及薄膜太陽電池中的多層納米薄膜。
特點:
· 粗糙絨麵納米薄膜的高靈敏測量
· 晶體矽多層減反膜檢測
· 秒級的快速測量
· 一鍵式機器操作
· 高品質相位補償
· 氙燈光源強度優化系統
· 退偏糾正
· 自動可變入射角度
· 背照式CCD光譜采集系統
· 自動XYZ載物臺、真空吸附
·
應用:
HG-ES光譜橢偏機的應用覆蓋瞭傳統光譜橢偏機所測量的光面基底上的單層和多層納米薄膜,典型應用包括:半導體(如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、矽、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等)、平板顯示(TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等)、功能性塗料:(增透型、自清潔型、電致變色型、鏡麵性光學塗層,以及高分子、油類、Al2O3表麵鍍層和處理等)、生物和化學工程(有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表麵改性處理、液體等)等。
技術指標:
項目 | 技術指標 |
光譜范圍 | 240nm-930nm(絨麵測量時為350-850nm)(光譜范圍可選) |
單次測量時間 | 10s,取決於測量模式 |
膜層厚度精度(1) | 0.05nm (對於平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率精度(1) | 1x10-3 (對於平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
入射角度 | 40°-90°自動調節 |
光學結構 | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) |
樣品臺尺寸 | 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品 |
兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 | |
樣品方位調整 | Z軸高度調節:±6.5mm |
二維俯仰調節:±4° | |
樣品對準:光學自準直顯微和望遠對準系統 | |
軟件 | •多語言界麵切換 |
•太陽能電池樣品預設項目供快捷操作使用 | |
•安全的權限管理模式(管理員、操作員) | |
•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 | |
•豐富的模型數據庫 |
註:(1)精度:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。
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