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[8122-0093-0001] 發光二級管結構及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種發光二極管元件及其制造方法，是在基片表面先成長一層緩沖層，之后再于此緩沖層上成長發光二極管結構，其中該發光二極管結構包含有在p型氮化鎵層上的p型量子點磊晶層，因p型量子點磊晶層具有粗化散射效果，可以使ingan多重量子井結構層形成的發光層所散發出來的光線，改變行進路線，減少內部全反射的機率，因此可有效地簡化公知的粗化過程，并能促進發光效率。
[8122-0206-0002] 用于結晶多晶硅的掩膜及利用該掩膜形成薄膜晶體管的方法
[摘要] 用于形成多晶硅的掩膜包括：第一狹縫區域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度；第二狹縫區域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度；第三狹縫區域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度；以及第四狹縫區域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度。排列在第一至第四狹縫區域的狹縫圖案的寬度沿著水平方向順次以第一狹縫區域的狹縫圖案寬度d的倍數比例增加。沿著水平方向排列在第一至第四狹縫區域的狹縫圖案的中心位于同一線上。在各自狹縫區域沿垂直方向排列的狹縫圖案以8＊d間距彼此隔開。可選地，第一至第四狹縫區域可以相反的順序排列，或者沿垂直方向排列。
[8122-0202-0003] 場效應晶體管半導體器件
一種場效應晶體管半導體器件(1)，包括：源區(33)、漏區(14)以及漏漂移區(11)，器件具有鄰近漂移區(11)的場成型區(20)且在被設置為使用中，當電壓施加于源區(33)與漏區(14)之間以及器件不導通時，基本恒定的電場產生于場成型區(20)中以及因此產生于鄰近的漂移區(11)中。場成型區(20)，可以是本征半導體，被設置成作為位于第一電容器電極區(21)與第二電容器電極區(22)之間的電容器介質區(20)，第一和第二電容器電極區(21、22)為介質區(20)的鄰近相應末端并具有不同的電子能量勢壘。第一和第二電容器電極區(21、22)可以是相反導電類型的半導體區，或者可以是半導體區(21)與肖特基勢壘區(224，圖4)。該器件可以是特別適合于高壓或低壓dc功率應用的絕緣柵極器件(1、13、15、17、171、172、19、12)，或者是特別適合于rf應用的肖特基柵極器件(181、182、183)。
[8122-0051-0004] 罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗方法
[摘要] 一種罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗方法。為提供一種能完整驗證罩幕式只讀記憶體光罩的記憶體檢驗方法，提出本發明，它包括選取晶片步驟、植入隨意碼步驟及測試晶片步驟；選取晶片步驟系選取數個相同光罩制程的數個晶片；植入隨意碼步驟系在數個晶片上分別植入彼此互斥的數態隨意碼；測試晶片步驟系分別測試數個晶片以產生驗證光罩是否有缺陷的數個測試結果。
[8122-0091-0005] 氮化物發光裝置的制造方法
[摘要] 本發明主要利用兩種以上的金屬或合金為結合層，將成長于低熱導系數基板上的氮化物發光結構與高熱導系數基板結合，并通過化學蝕刻法、干式蝕刻法或機械研磨法去除低熱導系數基板，而將氮化物發光結構置換于高熱導系數基板上。同時，也通過透明導電層與n型氮化層形成歐姆接觸，以大幅提高電流分布并降低吸光效應，進而提升發光裝置的發光效益。
[8122-0103-0006] 襯底支撐件
[摘要] 本發明提供了用于支撐襯底的裝置。在一個實施例中，提供了一種具有主體和上部分的襯底支撐件，所述上部分具有承窩和球體，所述球體適合使所述襯底支撐件與支撐于其上的襯底之間的摩擦和/或化學反應最小化。所述襯底支撐件可以被用在例如負載封閉的室以及進行熱處理的各種室中。
[8122-0067-0007] 微型倒裝晶體管及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種微型倒裝晶體管及其制備方法，包括晶體管芯片1、引線框架2和塑封體3，其特點是晶體管芯片的集電極、基極、發射極三個電極都是從芯片同一表面引出，三個電極上均設置有微型凸起，晶體管芯片向下倒裝，其表面的三個微型凸起電極與引線框架上相應的電極直接焊接。其制備方法為：在一高濃度n+單晶片上，做一層n型外延層，在集電極c引出部位下面，先進行高濃度n+磷預擴散，把n型外延層擴穿，使集電極c與n+襯底連通起來，再在外延層上先用b離子注入的方法做一個p型基區，同時形成集電結，然后在基區內一特定范圍磷擴散，形成n+發射區及發射結，然后正面蒸鋁，反刻鋁形成發射極e，基極b。本發明的晶體管薄、小、輕，且有良好的電流特性及散熱特性。
[8122-0172-0008] 雙極晶體管及其制造方法
[摘要] 本發明公開了一種雙極晶體管及其制造方法，該雙極晶體管包括：具有第一導電型的集電區的襯底，在集電區上水平延伸的第二導電型的基極層，以及至少部分地包含在基極層中的第一導電型的發射區。該雙極晶體管也包括面對發射區的上表面的發射極電極，以及面對基極層的上表面的基極電極。基極電極的至少一部分的垂直剖面等于或大于發射極電極的垂直剖面。
[8122-0076-0009] 半導體器件、使用其的系統裝置及制造半導體器件的方法
[摘要] 為減小半導體器件的尺寸和功耗，提供具有規定電路功能的第一電路。可以外連接于該第一電路的第二電路給第一電路不常用的特殊功能，從而使第一電路可以執行該特殊功能。
[8122-0205-0010] 具有低柵極電荷的溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管
[摘要] 一種溝槽mosfet器件，其包括：(a)第一導電類型的硅襯底(200)(優選地為n-型導電性)；(b)在襯底上的第一導電類型的硅外延層(202)，該外延層比襯底具有較低的多數載流子濃度；(c)在外延層的上部內的第二導電類型(優選地為p-型導電性)的主體區域(204)；(d)具有溝槽側壁和溝槽底部的溝槽(206)，其從外延層的上表面延伸入外延層并穿過器件的主體區域；(f)襯于溝槽內的氧化區域(210t)，其包括覆蓋至少溝槽底部的下段(210d)和覆蓋至少溝槽側壁的上部區域的上段；(g)在鄰近氧化區域的溝槽內的導電區域(211g)；以及(h)在主體區域的上部和鄰近溝槽內的第一導電類型的源極區域(212)。在這個實施例中，氧化區域的下段(210d)比氧化區域的上段的厚度要厚。
[8122-0195-0011] 研磨墊及其制造方法
[8122-0094-0012] 發光二極管結構及其制造方法
[8122-0043-0013] 一種硅基器件的金屬化接觸層結構及其制備方法
[8122-0132-0014] 制造工序的開發方法
[8122-0089-0015] 發光二極管及其制造方法
[8122-0050-0016] 可掀式探針卡反面調針治具及其調針方法
[8122-0112-0017] 用于維持在引腳位置中的精確性的引腳焊料的封閉
[8122-0154-0018] 一種散熱扇的出風口導流構造
[8122-0080-0019] 固態圖像拾取裝置及其制造方法
[8122-0078-0020] 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
[8122-0024-0021] 半導體元件
[8122-0026-0022] 適于傳輸高頻信號的電子器件載體
[8122-0143-0023] 硅絕緣體基片、半導體基片及它們的制造方法
[8122-0178-0024] 白光發光二極管及其光轉換用熒光體
[8122-0011-0025] 波長變換填料及含有這種填料的光學元件
[8122-0131-0026] 晶化方法，晶化設備，處理襯底，薄膜晶體管及顯示器設備
[8122-0213-0027] 具有內置檢測裝置的半導體制造裝置和使用該制造裝置的器件制造方法
[8122-0126-0028] 形成多晶硅層的方法
[8122-0007-0029] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改良
[8122-0083-0030] 半導體器件及其制造方法
[8122-0137-0031] 電極及其形成方法、薄膜晶體管、電子電路、顯示裝置
[8122-0084-0032] 信號處理電路、圖像傳感器ic和信號處理方法
[8122-0071-0033] 靜電放電保護電路
[8122-0046-0034] 影像感測組件半導體晶圓級封裝的方法
[8122-0127-0035] 映射裝置以及控制所述映射裝置的方法
[8122-0115-0036] 保護元件
[8122-0208-0037] 紫外光發射元件
[8122-0144-0038] 形成多層互連結構的方法和多層布線板制造方法
[8122-0184-0039] 一種交錯極化型壓電陶瓷變壓器
[8122-0210-0040] 發光二極管、led燈及燈具
[8122-0190-0041] 改進蝕刻率均一性的設備和方法
[8122-0021-0042] 獲得用于電子電路的自支撐薄半導體層的方法
[8122-0097-0043] 用于精定位微致動器的多層膜壓電元件及其制備方法
[8122-0101-0044] 鎢酸鋅濕度傳感器件的制造方法
[8122-0187-0045] 利用種膜作籽晶液相外延生長鐵電厚膜的方法
[8122-0193-0046] 保持襯底用的裝置
[8122-0060-0047] 控制深溝道頂部尺寸的方法
[8122-0163-0048] 半導體集成電路以及信號發送接收系統
[8122-0081-0049] 具有網型柵極電極的mos晶體管
[8122-0207-0050] 大面積碳化硅器件及其制造方法
[8122-0052-0051] 用于非破壞性的檢查半導體器件的裝置和方法
[8122-0188-0052] 并五苯衍生物作為半導體材料的有機場效應晶體管及其制備方法
[8122-0001-0053] 改性紅外探測材料-非晶sige薄膜的制備方法
[8122-0077-0054] 存儲裝置
[8122-0117-0055] 具有預選擇可變寬度導線的集成電路總線格柵
[8122-0065-0056] 半導體器件的熱輻射結構及其制造方法
[8122-0200-0057] 存儲器件
[8122-0179-0058] 交直流電源兩用橋式照明發光二極管及制造方法
[8122-0181-0059] 發光元件及其制造方法
[8122-0173-0060] 半導體器件及其制造方法
[8122-0197-0061] 用于制造含微型元件的薄層的方法
[8122-0135-0062] 離子注入漲落的模擬方法
[8122-0106-0063] 研磨劑、研磨劑的制造方法以及研磨方法
[8122-0136-0064] 鑲嵌式閘極制程
[8122-0039-0065] 清洗方法
[8122-0156-0066] 散熱扇的出風口導流構造
[8122-0096-0067] 低溫固態式熱電能源轉換器及其應用
[8122-0161-0068] 熔絲電路
[8122-0175-0069] 具有臺階型柵氧化層的射頻soi功率nmosfet及其制造方法
[8122-0189-0070] 具有高效、平衡電子空穴傳輸性能的載流子傳輸材料
[8122-0151-0071] 有電性連接墊金屬保護層的半導體封裝基板結構及其制法
[8122-0036-0072] 于基板上形成多晶硅層的方法
[8122-0160-0073] 倒裝芯片型半導體器件及其制造工藝和電子產品制造工藝
[8122-0068-0074] 雙規引線框
[8122-0009-0075] 氮化鎵系化合物半導體發光元件及其窗戶層結構
[8122-0212-0076] 光電子器件集成
[8122-0155-0077] 散熱扇的出風口導流結構
[8122-0027-0078] 半導體器件及其制造方法
[8122-0174-0079] 不對稱的薄膜晶體管結構
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[8122-0198-0081] 半導體集成器件的接觸裝置
[8122-0022-0082] 具有改進的散熱能力的半導體器件封裝
[8122-0164-0083] 半導體集成電路器件
[8122-0162-0084] 電路裝置
[8122-0109-0085] 半導體電路制造的多層多晶硅瓦片結構
[8122-0053-0086] 用于非破壞性的檢查半導體器件的裝置和方法
[8122-0166-0087] 開關用半導體器件及開關電路
[8122-0041-0088] 在基板表面上形成金屬氧化物的薄膜形成方法
[8122-0095-0089] 一種發光二極管結構及其制造方法
[8122-0150-0090] 半導體集成電路
[8122-0073-0091] 靜電放電保護電路
[8122-0147-0092] 形成半導體集成電路布局結構的方法、布局結構及光掩模
[8122-0088-0093] 多帶隙串聯結構有機太陽能電池
[8122-0108-0094] 含銦晶片及其生產方法
[8122-0005-0095] 一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法
[8122-0168-0096] 半導體器件及其制造方法
[8122-0153-0097] 堆疊式散熱裝置
[8122-0125-0098] 薄膜晶體管陣列基板的制造方法
[8122-0216-0099] 處理系統
[8122-0201-0100] 光探測裝置、成像裝置和測距圖像捕捉裝置
[8122-0063-0101] 閃存的制造方法
[8122-0159-0102] 復合凸塊結構和制造方法
[8122-0044-0103] 電力線端短路定量
[8122-0066-0104] 不連續焊球接觸件及應用該接觸件的電路板組件
[8122-0054-0105] 無溝槽隔離轉角的非揮發性存儲器結構
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[8122-0130-0109] 等離子處理裝置及其清洗方法
[8122-0140-0110] 一種局部鍵合后封裝方法
[8122-0183-0111] 音叉型壓電振動片及音叉型壓電振動片的安裝方法
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[8122-0209-0113] 自掃描型發光元件陣列芯片
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