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[8168-0208-0001] 超磁致伸縮材料和制造方法及其磁致伸縮致動器和傳感器
[摘要] 本發明揭示一種超磁伸縮材料，它是將稀土類元素及過渡金屬元素為主成分的合金作為母合金，使氮以間隙型固溶在該母合金中形成的。氮例如以0.01～2.5質量％范圍引入母合金中。氮添加處理在600℃以下的溫度范圍實施。減少磁致伸縮合金中存在的氮化合物量，使氮化合物的含氮量相對于合金中的總氮量的比值按質量比在0.05以下。由此能夠維持良好的磁致伸縮特性及和機械特性，能夠提高居里溫度且重復性好。采用熔液急冷薄片材料的超磁致伸縮材料沿柱狀晶體生長方向即厚度方向層疊，在該狀態下形成一體。
[8168-0063-0002] 防止熔絲燒斷損傷的相鄰熔絲之間的裂縫擋板
[摘要] 描述了一種集成電路芯片中的熔絲結構，它包括絕緣的半導體襯底；與絕緣的半導體襯底成一整體的由多個平行的共平面熔絲鏈組成的熔絲組；以及分散在各對熔絲鏈之間的空洞，此空洞延伸到共平面熔絲鏈確定的平面以外。圍繞著熔絲燒斷操作過程中待要被激光束撞擊的斑點的空洞，起裂縫擋板的作用，以防止損傷鄰近的電路元件或其它熔絲鏈。借助于對空洞進行恰當的成形和定位，可以獲得熔絲之間的緊密間距。
[8168-0004-0003] 具有高發光效率的含磷光體的發光器件
一種燈，它包括：發光元件，例如發光二極管或激光二極管，它能發出藍光；和磷光體組合物，磷光體組合物可以從發光元件那里吸收具有第一光譜的藍光并能發出具有第二光譜的光。磷光體組合物包括至少一種下述的組合物：ba2mgsi2o7：eu2+；ba2sio4：eu2+；（sr，ca，ba）（al，ga）2s4：eu2+。本發明還涉及一種發光元件，它能發出藍光；和一種磷先體組合物，磷光體組合物可以從發光元件那里吸收具有第一光譜的藍光并能發出具有第二光譜的光，其中燈發出的光的光譜發光效率為每瓦特至少550流明。輸出光譜的高光譜發光效率有效地把輸入到燈的功率轉換成光通量流明，從而提供高亮度。例如，燈的器件發光效率可以達到每瓦特輸入電功率35—45流明。
[8168-0022-0004] 半導體裝置的制造方法
[摘要] 一種把有機系層間絕緣膜（19）作為絕緣膜，在上下多層地形成要在半導體裝置上邊形成的布線的半導體裝置的制造方法，其特征是：對其絕緣電阻因受到由等離子體引起的損傷而降低的有機系層間絕緣膜（19），用濺射刻蝕法，進行目的為減小下層布線（13a、13b）和上層布線（21a、21b）之間的接觸電阻的灰化處理或灰化處理和熱處理，借以除去作為受到等離子體損傷的表面層的帶電層（19a），提高絕緣電阻值，使得反向漏流不能在上層布線（21a、21b）間流動。
[8168-0130-0005] 互補金屬氧化物半導體工藝中的線性電容器結構
[摘要] 具有期望的恒定電容特性的累積電容器結構包括并聯耦合的四個電容器。第一電容器包括與第一端子耦合的n型多晶硅頂極板、與第二端子耦合的第一累積／耗盡區底極板。第二電容器具有與第二端子耦合的n型多晶硅頂極板、與第一端子耦合的累積／耗盡區底極板。第三電容器具有與第一端子耦合的p型多晶硅頂極板、與第二端子耦合的累積／耗盡區底極板。第四電容器具有與第二端子耦合的p型多晶硅端子、與第一端子耦合的累積／耗盡區底極板。
[8168-0054-0006] 模版掩模及模版掩模的形成方法
[摘要] 一種模版掩模在模版掩模制作用的ｓｏｉ基板的硅絕緣膜１１之下形成高濃度含硼硅層２１和低濃度含硼硅層２２，用ｋｏｈ溶液等堿溶液進行濕性蝕刻。通過高濃度含硼硅層２１的作用抑制蝕刻率的不均勻性，謀求均勻化。按這種模版掩模及其形成方法提高在從模版掩模的背面進行蝕刻（背蝕刻）時晶片面內的蝕刻率的均勻性并提供模樣位置精度高的模版掩模。
[8168-0043-0007] 半導體結構及其制造方法
[摘要] 本發明涉及半導體結構及其制造方法。目的在于不使用特殊工藝而能夠防止粘附（ｓｔｉｃｋｉｎｇ）現象，并實現高成品率、低價格及高可靠性。其方法是在制作具有與基板１００隔開并自由可動的檢測構件１０３的半導體器件時，減少檢測構件１０３的下表面與基板１００的表面之間的接觸面積，減少由液體表面張力３００產生的從檢測構件１０３下表面指向基板１００表面方向的吸引力ｆ。
[8168-0017-0008] 集成電路的散熱片及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種集成電路的散熱片及其制造方法，其制造方法是將先行制成的每一葉片單元的各鰭片穿入定位模板上相對設置的各長孔內，之后在定位模板上方套置一具凹穴的上蓋，在二者相互疊合閉模后，即可在其型腔內充填金屬液并予以成型，使各葉片單元相互結合，又由于先行制造的葉片單元的各鰭片可設計為較細長片狀，且各葉片單元可予以并列并借金屬材料予以結合制成一完整的散熱片，該散熱片將可提供較大的散熱面積。
[8168-0096-0009] 發光半導體裝置及其制作方法
[摘要] 一種發光半導體裝置及其制作方法，在本裝置中，一反射層制作在發光半導體堆疊結構上，再將一第二襯底結合在反射層之上，最后，將堆疊結構的原襯底去除，以第二襯底作為整體裝置的襯底。由于反射層可將發光半導體射向襯底方向的光有效地反射出，故能有效地提高發光半導體裝置的發光效率；本發明亦可將使用絕緣襯底制作的發光半導體裝置中的電極改制成垂直式電極，以有效地降低晶粒制作的單位面積。
[8168-0083-0010] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明的目的在于，通過在ｓｏｉ結構的半導體裝置中抑制經局部ｓｔｉ結構的隔離絕緣膜鄰接的晶體管之間發生的漏電流，來得到提高了隔離特性和耐壓的半導體裝置及其制造方法。其解決方法是，在由半導體襯底１、埋入氧化膜２和半導體層３構成的ｓｏｉ結構的半導體襯底１與埋入氧化膜２相接的表面上形成雜質層１２。
[8168-0177-0011] 具有成分分級的鐵電材料的鐵電場效應晶體管及其制造方法
[8168-0051-0012] 電子束寫入方法、電子束刻蝕設備及其所用掩模
[8168-0018-0013] 卡式存儲裝置及其制造方法
[8168-0044-0014] 發光二極管及其制作方法
[8168-0027-0015] 硅太陽電池的制作方法及使用該方法制作的硅太陽電池
[8168-0079-0016] 氮化物半導體元件
[8168-0093-0017] 具有圓形的水平臂的自由滑動垂直架
[8168-0153-0018] 發光二極管裝置
[8168-0023-0019] 半導體裝置和制造方法及其安裝構造和安裝方法
[8168-0031-0020] 半導體器件及其制造方法
[8168-0073-0021] 用于捕獲離子的接收裝置
[8168-0115-0022] 有機半導體圖像傳感器
[8168-0094-0023] 薄膜型裝置及其制作方法
[8168-0211-0024] 碳化硅水平溝道緩沖柵極半導體器件
[8168-0062-0025] 具有腔體的金屬絲熔絲結構
[8168-0142-0026] 橫型異質結雙極三極管及其制造方法
[8168-0002-0027] 用于生產高溫超導線的前驅體材料的制備方法
[8168-0090-0028] 立式集成電路裝置
[8168-0066-0029] 半導體裝置用清洗劑和半導體裝置的制造方法
[8168-0015-0030] 樹脂封裝的半導體器件
[8168-0154-0031] 光電二極管
[8168-0188-0032] mim電容器
[8168-0190-0033] 半導體元件的制造方法
[8168-0183-0034] 非易失性半導體存儲器及其制造方法
[8168-0175-0035] 電阻率測量用外延晶片的制備工藝
[8168-0118-0036] 射頻電路模塊
[8168-0088-0037] 隔離柵雙極型晶體管
[8168-0120-0038] 各向異性導電膜、半導體芯片的安裝方法和半導體裝置
[8168-0025-0039] 新型清洗劑以及使用它的清洗方法
[8168-0082-0040] 鐵電電容器與半導體器件
[8168-0078-0041] 用在處理系統晶片搬運器上的端部操作裝置
[8168-0146-0042] 半導體制造設備
[8168-0161-0043] 曝光掩模、其制造方法以及使用其的半導體器件的制造方法
[8168-0171-0044] 液冷太陽能光伏轉換方法和使用該方法的發電裝置
[8168-0137-0045] 行－列可尋址電微開關陣列及使用其的傳感器矩陣
[8168-0021-0046] 用于紅外檢測器的冷卻裝置
[8168-0091-0047] 低電感控制的門控晶閘管
[8168-0056-0048] 包括連接橫向rf mos器件的源區與背側的插頭的類網狀柵結構
[8168-0205-0049] 電容器及其制造方法
[8168-0133-0050] 半導體器件檢查裝置
[8168-0143-0051] 半導體裝置
[8168-0006-0052] 各向異性導電膜和半導體芯片的安裝方法以及半導體裝置
[8168-0129-0053] 變形異質接面雙極性晶體管
[8168-0150-0054] 使用各向異性導電粘接劑的半導體裝置的安裝方法
[8168-0204-0055] 擴散阻擋層和帶擴散阻擋層的半導體器件
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[8168-0123-0059] 微型電動機械結構的包封工藝
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[8168-0106-0067] 一種錫球生產工藝
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[8168-0034-0071] 集成電路的封裝體基座構造及制造方法
[8168-0003-0072] 含有磷光體組合物的發光器件
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[8168-0112-0078] 半導體裝置、安裝基板及其制造方法、電路基板和電子裝置
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[8168-0148-0080] 場效應晶體管
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