氮化鎵技術專題,單晶襯底,襯底材料,藍寶石襯底類技術資料(268元/全套)歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：268元；資料（光盤）編號：F326488
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[22901-0136-0001] 應用于基于氮化鎵材料的包封退火方法
[摘要] 本發明涉及半導體器件工藝技術領域，特別是一種應用于基于氮化鎵材料的包封退火方法。包括：步驟1：光學光刻形成電子束標記和源漏金屬區，沉積歐姆接觸金屬；步驟2：于金屬上沉積sin或者sio介質膜，厚度為3000；步驟3：退火，溫度為700-730℃；步驟4：刻蝕介質去掉sin或者sio介質膜；步驟5：注入隔離；步驟6：電子束光刻柵版；步驟7：蒸發柵金屬；步驟8：布線。
[22901-0084-0002] 氮化鎵高電子遷移率晶體管的結構及制作方法
[摘要] 一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：選擇一襯底；采用金屬有機物化學氣相沉積法，在襯底上生長一層低溫氮化鎵成核層；將襯底溫度升高，在低溫氮化鎵成核層上生長非有意摻雜氮化鎵高阻層；改變生長室壓力，在非有意摻雜氮化鎵高阻層上生長非有意摻雜高遷移率氮化鎵層；最后生長非有意摻雜鋁鎵氮層。
[22901-0067-0003] 氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
本發明涉及一種氮化鎵系化合物半導體磊晶結構及其制作方法，是在基板上磊晶形成單晶結構的磷化硼緩沖層后，繼續在低溫下于上述單晶磷化硼緩沖層上形成iii族-氮化物緩沖層，然后在高溫下于上述低溫下生成的iii族-氮化物緩沖層上再生成一iii族-氮化物緩沖層，藉此，本發明可提供一種制程簡單且成本低的緩沖層結構，使其后續的磊晶層具有較完美的晶體結構，以有效達到提高元件發光效率、亮度與使用壽命等功效。
[22901-0249-0004] 無可見光干擾讀出電路的氮化鎵基探測器及制備方法
[摘要] 本發明公開了一種無可見光干擾讀出電路的氮化鎵基探測器，包括：列陣芯片和讀出電路，其特征在于：在列陣芯片和讀出電路之間有一可吸收可見光的黑聚酰亞胺夾層。并同時公開了該探測器的制備方法，主要是黑聚酰亞胺夾層的制備方法。由于夾層采用黑聚酰亞胺層，當入射信號從探測器的背面入射時，夾層吸收可見光，以此來提高讀出電路的工作性能。并且夾層不但可屏蔽可見光對硅讀出電路的影響，還可以起到對讀出電路、氮化鎵基芯片和銦柱的鈍化作用，因此，提高了紫外焦平面器件的可靠性。
[22901-0117-0005] 一種檢測氮化鎵基發光二極管質量優劣的方法
[摘要] 本發明公開了一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管質量優劣的方法。它是根據gan基半導體發光二極管中存在的壓電效應和inn類量子點結構，通過測量在不同注入電流下，發光峰位的藍移量來判斷發光二極管性能的優劣。在相同注入電流下，如果發光峰位藍移量越大，電流的注入效率就越高，電流在芯片、電極、支架、引線等器件各個部分上的損失就越小。這就說明制造發光二極管的各個工藝過程，如材料生長、電極加工、封裝控制的比較好，產品的質量相對就比較高。本發明具有操作簡單，易于批量使用的特點。
[22901-0103-0006] 基于氮化鎵半導體的紫外線光檢測器
[摘要] 本發明提供一種基于氮化鎵半導體的紫外線光檢測器結構。此結構在基板上從下往上順序包含n型接觸層、光吸收層、光穿透層、與p型接觸層。這些半導體層均由氮化鋁鎵銦的四元化合物半導體材料所構成。通過改變這些材料的鋁、鎵、銦成份的組成，這些半導體層一方面可以具備所需的能隙，因而針對特定波長的紫外線光反應可以特別靈敏。另一方面，這些半導體層得以具備匹配的晶格常數，因而可以避免應力過大的相關問題，同時得到更高品質晶格結構的紫外線光檢測器。此結構進一步包含位于p型接觸層上的正電極、光穿透歐姆接觸層、與抗反射層，以及位于n型接觸層上的負電極。
[22901-0228-0007] 低極化效應的氮化鎵基發光二極管用外延材料及制法
[摘要] 一種低極化效應gan發光二極管外延用材料及制法：在藍寶石或sic襯底上用半導體器件沉積技術依次生長由gan緩沖層和n型gan層組成的n型ingaaln層、由inalgan多量子阱結構極化調控層和inalgan多量子結構發光層組成的低極化效應有源層和p型ingaaln層；該方法保留單色光發光二極管器件制做工藝，僅對氮化鎵基發光材料的生長過程改進，增加inalgan多量子阱結構極化調控層，使量子阱有源區的能帶彎曲產生反方向彎曲，降低量子阱有源區極化效應，不增加器件復雜性，又增加gan基發光二極管內量子效率，克服常規gan基發光二極管的強極化效應導致低內量子效率缺點，發光二極管整體性能得以提高。
[22901-0158-0008] 氮化鎵半導體器件
[摘要] 一種基于氮化鎵的半導體肖特基二極管，由以下層制造而成：設置在藍寶石襯底上厚度為1-6微米之間的n+摻雜氮化鎵層；設置在所述n+氮化鎵層之上的厚度大于1微米的n-摻雜氮化鎵層，經過構圖成為多個細長的指狀物；設置在n-摻雜氮化鎵層上并與之形成肖特基結的金屬層。選擇優化各層的厚度以及細長指狀物的長度和寬度以實現擊穿電壓大于500伏、電流容量超過1安培的以及正向電壓低于3伏的器件。
[22901-0285-0009] 氮化鎵陶瓷體的制備方法
[摘要] 本發明屬于氮化鎵陶瓷體的制備方法。該方法將氮化鎵粉末成型后，與氨基鋰一起組裝、密封在超高壓裝置中，通過高壓燒結氮化鎵粉末而獲得其陶瓷體。
[22901-0140-0010] 晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
[摘要] 形成晶態氮化鎵基材料的方法中，在第一處理溫度下于基材上形成第一成核層，然后在第二處理溫度下于第一成核層上形成第二成核層，其中第二處理溫度不同于第一處理溫度，且第一及第二成核層由alxinyga(1-x-y)n組成。然后，使基于晶態氮化鎵的層外延生長于第二成核層上。
[22901-0080-0011] 氮化鎵基紫外-紅外雙色集成探測器
[22901-0170-0012] 往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
[22901-0233-0013] 一種用于氮化鎵外延生長的新型藍寶石襯底
[22901-0032-0014] 富鎵氮化鎵薄膜的制造方法
[22901-0030-0015] 氮化鎵系發光組件及其制造方法
[22901-0276-0016] 氮化鎵外延層的制造方法
[22901-0277-0017] 一種利用熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法
[22901-0123-0018] 一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管結溫的方法
[22901-0177-0019] 基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
[22901-0254-0020] 氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
[22901-0104-0021] 具有增強發光亮度的氮化鎵發光二極管結構
[22901-0226-0022] 氮化鎵基發光二極管p、n型層歐姆接觸電極及其制法
[22901-0096-0023] 氮化鎵基發光二極管芯片及其制造方法
[22901-0248-0024] 橫向外延生長高質量氮化鎵薄膜的方法
[22901-0035-0025] 氮化鎵基ⅲ-v族化合物半導體發光器件及其制造方法
[22901-0023-0026] 倒裝焊技術制作氮化鎵基發光二極管管芯的方法
[22901-0275-0027] 具有低位錯密度的氮化鎵族晶體基底部件及其用途和制法
[22901-0260-0028] 氮化鎵的塊狀單結晶的制造方法
[22901-0218-0029] 氮化鎵基半導體發光裝置、光照明器、圖像顯示器、平面光源裝置和液晶顯示組件
[22901-0010-0030] 氮化鎵基可見/紫外雙色光電探測器
[22901-0316-0031] 碳化硅層的制造方法、氮化鎵半導體器件以及硅襯底
[22901-0134-0032] 制造在單晶氮化鎵襯底上的ⅲ族氮化物基諧振腔發光器件
[22901-0034-0033] 氮化鎵類化合物半導體裝置
[22901-0099-0034] 氮化鎵系發光二極管結構
[22901-0139-0035] 氮化鎵系發光二極管
[22901-0113-0036] 氮化鎵基高單色性光源陣列
[22901-0187-0037] 背照射氮化鎵基肖特基結構紫外探測器
[22901-0205-0038] 降低氮化鎵單晶膜與異質基底間應力的方法
[22901-0211-0039] 不對稱的脊形氮化鎵基半導體激光器及其制作方法
[22901-0019-0040] 薄膜電極、采用它的氮化鎵基光學器件及其制備方法
[22901-0029-0041] 氮化鎵(gan)類化合物半導體裝置及其制造方法
[22901-0088-0042] 鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法
[22901-0238-0043] 具有高光萃取效率的氮化鎵系發光二極管的結構
[22901-0120-0044] 倒裝氮化鎵基發光二極管芯片的制作方法
[22901-0302-0045] 氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光元件
[22901-0073-0046] 具有低正向電壓及低反向電流操作的氮化鎵基底的二極管
[22901-0280-0047] 通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
[22901-0231-0048] 垂直的氮化鎵基發光二極管及其制造方法
[22901-0026-0049] 具有氮化鎵基的輻射外延層的發光二極管芯片及制造方法
[22901-0077-0050] 氮化鎵半導體裝置的封裝
[22901-0011-0051] 氮化鎵外延層的制造方法
[22901-0208-0052] 氮化鎵晶體襯底及其制造方法
[22901-0181-0053] 氮化鎵單晶的生長方法和氮化鎵單晶
[22901-0184-0054] 一種采用自催化模式制備帶尖氮化鎵錐形棒的方法
[22901-0173-0055] 用于高質量同質外延的連位氮化鎵襯底
[22901-0203-0056] 采用金屬鍵合工藝實現氮化鎵發光二極管垂直結構的方法
[22901-0111-0057] 氮化鎵單晶基板及其制造方法
[22901-0064-0058] 基于氮化鎵的發光二極管及其制造方法
[22901-0114-0059] 利用倒裝焊技術制作氮化鎵基激光器管芯的方法
[22901-0132-0060] 導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底
[22901-0298-0061] 激光剝離制備自支撐氮化鎵襯底的方法
[22901-0206-0062] 一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管
[22901-0307-0063] 自剝離氮化鎵襯底材料的制備方法
[22901-0003-0064] 氮化鎵系異質結構光二極體
[22901-0021-0065] 大功率氮化鎵基發光二極管的制作方法
[22901-0294-0066] 高亮度氮化鎵基發光二極管外延片的襯底處理方法
[22901-0128-0067] 一種高純度氮化鎵納米線的制備生成方法
[22901-0306-0068] 用于生長平坦半極性氮化鎵的技術
[22901-0174-0069] 氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
[22901-0072-0070] 激光誘導下的氮化鎵p型有效摻雜制備方法
[22901-0049-0071] 氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
[22901-0216-0072] 氮化鎵化合物半導體發光元件及其制造方法
[22901-0017-0073] i i i族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、基于氧化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
[22901-0283-0074] 一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
[22901-0225-0075] 一種氮化鎵基發光二極管p型層透明導電膜及其制作方法
[22901-0312-0076] 具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管及其制備方法
[22901-0053-0077] 制備氮化鎵單晶薄膜的方法
[22901-0268-0078] 帶有氮化鎵有源層的雙異質結發光二極管
[22901-0265-0079] 氮化鎵序列的復合半導體發光器件
[22901-0186-0080] 形成于碳化硅基板上的氮化鎵膜的剝離方法及使用該方法制造的裝置
[22901-0101-0081] 氮化鎵系發光二極管的制作方法
[22901-0270-0082] 氮化鎵結晶的制造方法
[22901-0086-0083] 在硅襯底上生長碳化硅\氮化鎵材料的方法
[22901-0160-0084] 一種氮化鎵基大管芯發光二極管及其制備方法
[22901-0247-0085] 單晶氮化鎵基板，單晶氮化鎵長晶方法及單晶氮化鎵基板制造方法
[22901-0135-0086] 用于制造基于氮化鎵的單晶襯底的方法和裝置
[22901-0241-0087] 氮化鎵系發光二極管
[22901-0154-0088] 氮化鎵基藍光發光二極管
[22901-0179-0089] 一種改善氮化鎵功率晶體管散熱性能的方法
[22901-0015-0090] 導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝
[22901-0266-0091] 氮化鎵晶體的制造方法
[22901-0251-0092] 異質外延生長的氮化鎵晶體的位錯密度測定方法
[22901-0210-0093] 制備氮化鎵單晶薄膜材料的裝置及方法
[22901-0002-0094] 一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法
[22901-0138-0095] 一種無機化合物氮化鎵納米線的制取方法
[22901-0281-0096] 一種制備氮化鎵基 led的新方法
[22901-0089-0097] 適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/鉑/金的歐姆接觸系統
[22901-0242-0098] 氮化鎵基發光二極管芯片
[22901-0284-0099] 氮化鎵化合物半導體制造方法
[22901-0256-0100] 采用多量子阱制備綠光氮化鎵基led外延片
[22901-0005-0101] 燒結的多晶氮化鎵
[22901-0028-0102] 氮化鎵透明導電氧化膜歐姆電極的制作方法
[22901-0116-0103] 氮化鎵基紅外-可見波長轉換探測器
[22901-0250-0104] 射頻等離子體分子束外延生長氮化鎵的雙緩沖層工藝
[22901-0259-0105] 在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導體層,并由此制造氮化鎵半導體結構的方法
[22901-0319-0106] 鎢輔助熱退火制備氮化鎵納米線的制備方法
[22901-0295-0107] 往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
[22901-0258-0108] 以氮化鎵為基底的半導體發光裝置
[22901-0119-0109] 在硅襯底上生長氮化鎵自支撐襯底材料的方法
[22901-0212-0110] 單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
[22901-0012-0111] 具有寬頻譜的氮化鋁銦鎵發光二極管及固態白光器件
[22901-0137-0112] 一種提高氮化鎵(gan)基半導體材料發光效率的方法
[22901-0253-0113] 氮化鎵層的制備方法
[22901-0214-0114] 超高立式反應器的氮化鎵金屬有機物化學氣相淀積法設備
[22901-0152-0115] 垂直結構的非極化的氮化鎵基器件及側向外延生產方法
[22901-0036-0116] 紫外雙波段氮化鎵探測器
[22901-0081-0117] 氮化鎵系發光器件
[22901-0085-0118] 氮化鎵紫外色度探測器及其制作方法
[22901-0317-0119] 一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
[22901-0025-0120] 新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管及其生產工藝
[22901-0246-0121] 氮化鎵半導體激光器
[22901-0200-0122] 一種氮化鎵基ⅲ-ⅴ族化合物半導體器件的電極
[22901-0252-0123] 氮化鎵晶體的制造方法
[22901-0118-0124] 氮化鎵基光子晶體激光二極管
[22901-0193-0125] 氧化鎵單晶復合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復合體的氮化物半導體膜的制造方法
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[22901-0299-0127] 氮化鎵基異質結場效應晶體管結構及制作方法
[22901-0320-0128] 氮化鎵基ⅲ-ⅴ族化合物半導體led的發光裝置
[22901-0240-0129] 氮化鎵系發光二極管的構造
[22901-0189-0130] 在硅襯底上生長無裂紋氮化鎵薄膜的方法
[22901-0038-0131] 氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
[22901-0122-0132] 提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結構及制作方法
[22901-0071-0133] 激光誘導下的氮化鎵p型歐姆接觸制備方法
[22901-0304-0134] 一種制作氮化鎵基激光器管芯的方法
[22901-0180-0135] 鋁鎵氮化物/氮化鎵高電子遷移率晶體管及制造方法
[22901-0196-0136] 自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體元件的制造方法
[22901-0008-0137] 一種提高氮化鎵基材料外延層質量的襯底處理方法
[22901-0175-0138] 含晶格參數改變元素的氮化鎵器件襯底
[22901-0207-0139] 一種氮化鎵發光二極管管芯及其制造方法
[22901-0303-0140] 一種氮化鎵基場效應管及其制作方法
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[22901-0007-0144] 氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的低溫插入層及制備方法
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[22901-0322-0153] 氮化鎵基led的發光裝置
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[22901-0144-0158] 一種改變氫化物氣相外延法生長的氮化鎵外延層極性的方法
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