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[8130-0062-0001] 等離子體處理裝置及靜電吸盤的制造方法
[摘要] 提供一種具有廉價的、高可靠性的靜電吸盤的半導體制造裝置。該靜電吸盤具有以下特征：由絕緣體基板(6)、在其表面上形成的由鋁構成的多個導電薄膜(4a，4b)以及將導電薄膜的表面陽極氧化而形成的鈍化鋁膜(2a、2b)構成。通過分別向導電薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流電壓，使該靜電吸盤的吸附晶片(7)的面形成為靜電雙極形式。
[8130-0141-0002] 在減低壓力的情況下摻雜、擴散及氧化硅片的方法和裝置
[摘要] 本發明涉及一種對硅片(4)進行摻雜、擴散或氧化的方法，所述硅片置于爐子(1)的爐室(2)之中，爐室中至少引入一種氣體以進行上述摻雜、擴散或氧化作業過程。本發明的特征在于，方法包括：在將氣體引入和通過爐子(1)的爐室(2)中的同時，連續地使氣體受到一恒定值的壓力的降低。摻雜、擴散或氧化硅片(4)的裝置包括一爐子(1)，該爐子(1)具有一爐室(2)，室中設置硅片，所述爐子至少包括一進氣管(5a，5b，5c)，用于將至少一種氣體通入爐室(2)之中進行所述加工作業以及包括至少一個排氣管(6)以排出通入室中的氣體，該排氣管與一抽氣裝置相連，以在爐室(2)中產生一恒定及受控制的壓力的降低。
[8130-0144-0003] 生產硅絕緣體材料的方法
本發明提供了一種用于生產硅絕緣體(soi)材料的方法。該方法涉及使用等離子注入步驟在襯底中注入氧以在相對淺的深度形成注入區域。然后，將襯底在高溫退火以將注入區域轉化為可以在薄的硅籽晶層之下的絕緣層。最好在薄的籽晶層上外延生長硅層，來形成可以形成器件的區域。該soi材料適合于在廣泛的各種soi應用中用作襯底。
[8130-0135-0004] 半導體裝置
[摘要] 一種半導體裝置，傾斜sige-hdtmos的半導體層(30)，由上部si膜(12)、si緩沖層(13)、si1-xgex膜(14)以及si罩層(15)所構成。在半導體層(30)中的源區域(20a)和漏區域(20b)之間的區域設置高濃度的n型本體區域(22)、n--si區域(23)、si罩區域(25)、sige溝道區域(24)。si1-xgex膜(14)的ge組成比x，成為從si緩沖層(13)向si罩層(15)增大的組成。在p型hdtmos中，可以減少襯底電流中的電子電流成分。
[8130-0158-0005] 發光顯示器及其制造方法
[摘要] 一種發光顯示器，包括具有一個和另一表面的數脂襯底、透明電極、設置為與透明電極電導通的金屬輔助電極、和由有機化合物構成的發光層，使得透明電極、輔助電極以及發光層以層的形狀疊置在數脂襯底的一個表面上。輔助電極具有不大于1.3×105dyn/cm的總應力(內應力×其膜厚)。
[8130-0093-0006] 半導體集成器件及用于設計該半導體集成器件的設備
[摘要] 一種半導體集成器件包括多個電源系統電路單元、從第一電源配線106向其提供電能的第一電路單元101、以及第一電路單元與之相連的第一接地配線109。此外，所述半導體集成器件包括從第二電源配線113向其提供電能的第二電路單元102、以及第二電路單元與之相連的第二接地配線116。第一電路單元包括第一接口電路單元104，而第二電路單元包括被配置以進行向和從第一接口電路單元輸入或輸出信號的第二接口電路單元111。第一接地配線通過保護電路117與第二接地配線相連，并將第二接口電路單元放置在第一接口電路單元附近。
[8130-0121-0007] 拋光方法及研磨液
[摘要] 本發明涉及利用固定磨粒研磨半導體晶片等研磨對象物的拋光方法及研磨液。本發明的拋光方法，將研磨對象物壓緊到固定磨粒上，邊使之滑動邊進行研磨，其特征在于，邊供應含有陰離子系界面活性劑且不含磨粒的研磨液，邊研磨上述研磨對象物。
[8130-0154-0008] 具有較低柵極電荷結構的溝槽mosfet
[摘要] 一種溝槽mosfet器件及其制造方法。這種溝槽mosfet器件包括：a)第一導電型的半導體襯底；b)在襯底上的半導體外延層下部第一導電型的外延區，其中第一導電型的外延區具有低于襯底的多數載流子濃度；c)半導體外延層上部第二個導電型的區域；d)半導體外延層上部表面的多個溝槽段，其中i)多個溝槽段在第二個導電型的區域延伸，并進入第一導電型的外延區域，ii)每個溝槽段通過半導體外延層的終止區至少部分地與相鄰的溝槽段相互隔離，和iii)溝槽段在第二個導電型的區域內限定出多個多邊形體區；e)至少部分地鑲襯每個溝槽段的第一個絕緣層；f)與第一個絕緣層相鄰的溝槽段內的多個第一導電區，其中第一導電區中的每一個都通過連接至少一個終止區的連接導電區與相鄰的第一導電區連接；和g)多邊形體區上部與溝槽段相鄰的多個第一導電型的源區。體區最好是四個溝槽段劃分出來的一個矩形體區，或者是六個溝槽段劃分出來的一個六邊形體區。
[8130-0004-0009] 電子元件裝置及其制造方法
[摘要] 在一種電子元件裝置中，底板上電子元件的電極和各配線通過凸起用超音波振動集體結合在一起。所述配線包括與超音波振動方向基本平行的配線和與超音波振動方向基本垂直的配線。位移抑制層設置在與超音波振動方向基本垂直的配線下的部分中的底板內。
[8130-0189-0010] 汽化器、使用汽化器的各種裝置以及汽化方法
[摘要] 一種可長期使用而不會阻塞、并且能夠向反應部穩定供給原料的汽化器包括分散部(8)，所述分散部包括：形成在分散部本體(1)內部的氣體通道(2)，將加壓運載氣體(3)引入氣體通道(2)的氣體入口(4)，將原料溶液(5)供給到流過氣體通道(2)的運載氣體的裝置(6)，將包括原料溶液(5)的運載氣體送到汽化部(22)的氣體出口(7)，和用于冷卻在氣體通道(2)內流動的運載氣體的裝置(18)；用于加熱和汽化從分散部送來的包括霧化的原料溶液的運載氣體的汽化部(22)，所述汽化部包括其一端與諸如沉積裝置的各種裝置的反應部連接、另一端與所述氣體出口(7)連接的汽化管(20)，和用于加熱汽化管(20)的加熱裝置(21)；以及安裝在所述氣體出口(7)外側的具有小孔(101)的防輻射部件(102)。
[8130-0185-0011] 用于超大規模集成的多層銅互連的方法
[8130-0033-0012] 非易失性半導體存儲器
[8130-0210-0013] 存儲器胞元,存儲器胞元排列及制造方法
[8130-0003-0014] 電子裝置及其制造方法
[8130-0186-0015] 在圓片和儀器上形成半導體器件的光刻方法
[8130-0072-0016] 利用無引線電鍍工藝制造的封裝基片及其制造方法
[8130-0196-0017] 光電子器件集成
[8130-0104-0018] 活化p-型半導體層的方法
[8130-0095-0019] 設有浪涌保護電路的半導體裝置
[8130-0021-0020] 層疊型半導體封裝件
[8130-0192-0021] 垂直結型場效應半導體二極管
[8130-0058-0022] 半導體鰭式元件的接觸窗及其制造方法
[8130-0019-0023] 半導體器件
[8130-0199-0024] 等離子體清洗氣體和等離子體清潔方法
[8130-0039-0025] 側面擴散金屬氧化半導體晶體管的結構及其制作方法
[8130-0081-0026] 半導體裝置的制造方法
[8130-0010-0027] 半導體器件及其制造方法
[8130-0009-0028] 電子裝置及其制造方法
[8130-0171-0029] 溝槽式肖特基勢壘整流器及其制作方法
[8130-0172-0030] 采用單晶sic檢測電磁輻射
[8130-0070-0031] 具有抬升的源極和漏極結構的金氧半晶體管及其制造方法
[8130-0106-0032] 氮化物半導體器件
[8130-0157-0033] 用于電氣部件的鈍化材料及多層結構的壓電部件
[8130-0057-0034] 用于處理晶片的設備和方法
[8130-0138-0035] 基于氮化鎵的發光二極管及其制造方法
[8130-0052-0036] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改進
[8130-0152-0037] 倒裝芯片的高性能硅接觸
[8130-0013-0038] 具遲延組件之集成模塊
[8130-0064-0039] 半導體器件的制造方法和半導體器件的制造設備
[8130-0056-0040] 基板處理裝置和基板處理方法
[8130-0046-0041] 薄膜晶體管及其生產方法
[8130-0023-0042] 半導體裝置、電子設備及它們制造方法，以及電子儀器
[8130-0100-0043] 硅光電器件和使用該器件的光信號輸入和/或輸出裝置
[8130-0088-0044] 半導體器件
[8130-0180-0045] 用于改進碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管中反向層遷移率的方法
[8130-0114-0046] 用于熱處理襯底的方法和裝置
[8130-0159-0047] 包括熱分布板和邊緣支撐的組合裝置
[8130-0182-0048] 利用在氫氣環境中退火在碳化硅層上制備氧化物層的方法
[8130-0166-0049] 淺結半導體器件的制造方法
[8130-0215-0050] 有源矩陣電致發光顯示板及制作這種顯示板的方法
[8130-0069-0051] 不具有小凸起的柵層及其制造方法
[8130-0074-0052] 靜電吸盤的制造方法
[8130-0162-0053] 半導體工藝用的具有遠程第二陽極的電鍍系統
[8130-0167-0054] 陶瓷靜電卡盤組件及其制備方法
[8130-0208-0055] 包含多個集成電路器件的單個封裝件
[8130-0089-0056] 具有輸入輸出端子可配置功能的芯片及其方法
[8130-0008-0057] 半導體封裝結構及其電路板的電性軌跡
[8130-0129-0058] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
[8130-0200-0059] 氣相生長裝置
[8130-0116-0060] 處理裝置和處理方法
[8130-0139-0061] 磁性傳感器及其制造方法
[8130-0006-0062] 低密度低膨脹系數高熱導率硅鋁合金封裝材料及制備方法
[8130-0040-0063] 半導體器件
[8130-0213-0064] 晶體管和包括該晶體管的顯示器件
[8130-0125-0065] 通過離子注入產生具有本征吸除的絕緣體襯底硅結構的方法
[8130-0107-0066] 發光二極管光源組件
[8130-0110-0067] 具有在被釘扎層中含半金屬鐵磁性哈斯勒合金的交換耦合結構的磁電阻器件
[8130-0101-0068] 光接收裝置及其制造方法和包括該裝置的光電集成電路
[8130-0123-0069] 用于控制摻碳氧化物薄膜的蝕刻偏差的方法
[8130-0060-0070] 第三族氮化物半導體器件和其生產方法
[8130-0031-0071] 內嵌單層多晶硅非易失性存儲器的集成電路
[8130-0063-0072] 晶片干燥方法和裝置
[8130-0191-0073] 利用犧牲材料的半導體構造及其制造方法
[8130-0083-0074] 半導體裝置及其制造和安裝方法、電路基板以及電子機器
[8130-0025-0075] 半導體裝置、電子設備、載體基板及它們的制法、電子儀器
[8130-0091-0076] 半導體器件及其制造方法
[8130-0109-0077] 光源組件
[8130-0216-0078] 薄板狀保護膜
[8130-0179-0079] 熱處理裝置和熱處理方法
[8130-0067-0080] 防止阻擋層被過度蝕刻的方法與結構及其應用
[8130-0190-0081] 用中心點加載直接在管芯上連接熱管
[8130-0099-0082] 具有連接焊盤的半導體器件及其制造方法
[8130-0034-0083] 有帶集成濾色層的微透鏡的圖像傳感器及其制造方法
[8130-0016-0084] 具有共通源極導線的半導體結構
[8130-0184-0085] 改變漿料中氧化劑的濃度進行化學機械拋光(cmp)的方法
[8130-0051-0086] 發光二極管的熱傳導及光度提升結構的改進
[8130-0015-0087] 插入器、插入器組件及使用這種插入器的裝置組件
[8130-0195-0088] 容納盤狀物體的裝置和該物體的搬運裝置
[8130-0035-0089] 互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法
[8130-0079-0090] 溝槽式電容及其形成方法
[8130-0002-0091] 電子裝置及其制造方法
[8130-0001-0092] 電路裝置及其制造方法
[8130-0165-0093] mos晶體管柵角的增強氧化方法
[8130-0117-0094] 包括具有不同結晶度的半導體薄膜的半導體器件及其基片和制作方法、以及液晶顯...
[8130-0011-0095] 有機發光二極管顯示器的薄膜電晶體導線結構以及制程
[8130-0105-0096] 氮化鎵基發光二極管n型層歐姆接觸電極的制作方法
[8130-0151-0097] 用于集成電路的冷卻裝置
[8130-0212-0098] 外延薄膜
[8130-0136-0099] 裝備有電極的透明基片
[8130-0206-0100] 具有高密度互連的電子封裝件和相關方法
[8130-0147-0101] 具多晶硅射極雙極性晶體管的制造方法
[8130-0164-0102] 有機絕緣膜的蝕刻方法和雙波紋處理方法
[8130-0055-0103] 硅基微機械微波/射頻開關芯片的制備方法
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[8130-0183-0106] 以電化學機械研磨法進行基材平坦化
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[8130-0038-0108] 場效應晶體管
[8130-0130-0109] 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子儀器
[8130-0007-0110] 用于防止集成電路過熱的故障保護機制
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[8130-0132-0112] 相變存儲器單元的雙溝槽隔離結構及其制造方法
[8130-0119-0113] 用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
[8130-0163-0114] 一種切割裝置
[8130-0175-0115] 半導體霍爾傳感器
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[8130-0005-0121] 半導體裝置及其制造方法
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