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[21125-0010-0001] 高介低燒高可靠多層電容器馳豫鐵電陶瓷材料的制備工藝
[摘要] 本發明涉及一種高介、低損耗、高密度、高可靠、低燒ｙ５ｖ（２ｆ4）、２ｅ4（ｙ５ｕ，ｚ５ｕ）多層陶瓷電容器（ｍｌｃ）用的鉛系弛豫鐵電陶瓷的制備工藝。其制備工藝為將普通化工原料堿性碳酸鎂、四氧化三鉛、氧化鋅、五氧化二鈮、二氧化鈦、二氧化錳、二氧化硅、二氧化鋯、三氧化二鋁、三氧化二鐵、碳酸鎘和碳酸鋇等按一定配比混合磨細后，過６０—８０目篩，經７００℃～８５０℃預燒，保溫２小時，粉碎后磨細過１２０目篩，則可獲得所需瓷料。
[21125-0014-0002] 無機鹽原料液相化學法制備srbi2ta2o9<......
[摘要] 本發明特別涉及的是無機鹽原料液相化學法制備srbi2ta2o9鐵電陶瓷薄膜，本發明的技術是這樣實現的：可溶性無機鹽原料的制備，srbi2ta2o9溶液的制備，srbi2ta2o9溶膠的制備，srbi2ta2o9薄膜的制備。srbi2ta2o9鐵電陶瓷薄膜的制備目前國內外在液相化學法方面采用的原料都是金屬有機鹽類化合物。本發明首次以無機物為原料，采用絡合劑螯合技術，利用無機鹽溶液液相化學法成功地制備出了srbi2ta2o9鐵電陶瓷薄膜。此方法對利用我國資源優勢制備srbi2ta2o9薄膜，發展信息產業技術有重要現實意義。
[21125-0007-0003] 鉛系低溫燒結弛豫鐵電陶瓷瓷料組成及制備工藝
本發明涉及一種鉛系低溫燒結弛豫鐵電陶瓷ｘ７ｒ電容器瓷料的組成及制備工藝,屬鐵電陶瓷及其制造領域。該瓷料是以ｚｎｏ、ｍｎｏ２、ｎｂ２ｏ５、ａｉｏ２、ｆｅ２ｏ３、ａｌ２ｏ３、ｃｅｏ２等摻雜改性的低溫燒結鎢鎂鋯鈦酸鉛弛豫鐵電陶瓷。其制備工藝為將普通化工原料三氧化鎢、四氧化三鉛、堿式碳酸鎂、二氧化鈦、氧化鋅、氧化錳、五氧化鈮、二氧化硅、氧化鐵、氧化鉛等按一配比混合磨細后，過６０～８０目篩。經７００°～８５０℃預燒，并保溫１—２小時，粉碎后磨細過１２０目或２００篩，即可獲得所需瓷料。
[21125-0004-0004] 鐵電陶瓷材料
[摘要] 本發明是一種鐵電陶瓷材料，由式：$pb1-ama(mg1/3nb2/3)ｘtiyzrzo3所表示的固體溶液，含有下記的ａ組及ｂ組的至少一種氧化物，同時還以必須含有nio或fe2o3為條件，$a組：la2o3，bi2o3及nd2o3；$b組：nio、fe2o3、sno2及ta2o5。$該材料有一個大的壓電應變常數。本發明還提供另一種鈣鈦礦固體溶液的鐵電陶瓷材料，其分子#o&式：$pb1-ama(mg1/3nb2/3)ｘtiyzrzo3所表示的固體溶液，含有下記的a組及b組的至少一種氧化物，還必須含有nio、fe2o3或ta2o5為條件，還進一步含有mno2。$a組：la2o3、bi2o3及nd2o3；$ｂ組：ｎｉｏ、ｚｎｏ、ｆｅ2ｏ3、ｓｎｏ2及ｔａ2ｏ5。
[21125-0019-0005] 一種厚膜材料及其使用的鐵電(ba,sr)tio3微晶玻璃陶瓷
[摘要] 本發明屬于電子材料與器件技術領域，具體為一種采用化學方法制備的鐵電微晶玻璃陶瓷及用這種鐵電微晶玻璃陶瓷制備的厚膜材料。本發明所說的不含雜相的bst鐵電(ba，sr)tio3微晶玻璃陶瓷，主晶相的組成為(ba0.65sr 0.35)tio3，玻璃相的組成為bao-sio2-b2o3。一種鐵電厚膜材料，包括襯底、粘結劑和鐵電玻璃陶瓷，所述的鐵電玻璃陶瓷為本發明所說的不含雜相的鐵電(ba，sr)tio3微晶玻璃陶瓷。本發明采用溶膠—凝膠工藝制備了bao-sio2-b2o3玻璃摻入的鐵電玻璃陶瓷材料，使陶瓷的燒結溫度大大降低，所制備的玻璃陶瓷不含雜相，且介電常數與純的(ba，sr)tio3相比有很大的降低。
[21125-0015-0006] 陶瓷膜及其制造方法
[摘要] 一種陶瓷膜的制造方法，包括以下步驟：通過使含有第一原料液和第二原料液的原料液結晶，形成一陶瓷膜。該第一原料液與第二原料液的種類不同，前者用于產生鐵電體而后者用于產生abo類的氧化物，前者所含的溶劑的極性與后者所含的溶劑的極性不同，第一原料液和第二原料液發生相分離而形成膜，從而在陶瓷膜的平面方向斷續地形成由第一原料液形成的第一晶體，并且形成由第二原料液形成的第二晶體，這樣介于第一晶體之間。
[21125-0005-0007] 鐵電陶瓷
[摘要] 本發明涉及由分子式：$pb1-(3/2)ama{(ni1/3nb2/3)1-b(zn1/3nb2/3)b}x#o&tiyzr2o3所代表的固溶體組成的鈣鈦礦型鐵電陶瓷，其中ｍ是選自ｌａ和ｎｄ組類中的至少一個元素，x+y+z是１，含mnｏ2，當與已知鐵電陶瓷對比時，本發明的鐵電陶瓷有較大的壓電常數ｄ，也有足夠高的居里溫度ｔｃ，而且力學性能系數ｑｍ實際上與已知鐵電陶瓷的力學性能系數相等。因此當用作超聲馬達激勵器驅動部件，利用本材料的力學共振性時，本發明的鐵電陶瓷顯示出卓越的特性。
[21125-0013-0008] 鐵電存儲器材料鈣鈦礦型srbi2ta209
[摘要] 一種鐵電存儲器材料鈣鈦礦型srbi2ta2o9陶瓷粉末的制備方法屬于鐵電存儲器材料領域。本發明所采用的方法，其特征在于，它包括以下步驟：按摩爾比(0.95～1)∶(1～1.05)∶1稱量醋酸鍶、氧化鉍和氧化鉭固體，加入到5～10m氫氧化鉀的水溶液中，攪拌均勻后，裝入密閉的反應釜中；在200～240℃及自生壓力下晶化12～48h；晶化產物經抽濾后，用去離子水洗滌，干燥，即得所需產物。該方法不使用較貴的原材料，生產工藝簡單，由于反應在液相中進行并且不需要高溫處理，不但降低了能耗，而且所得產物具有純相的鈣鈦礦結構、均一的粒徑。由該方法制備出的鐵電存儲器材料廣泛應用于sbt靶材的制備及高溫、高頻場合使用的壓電材料。
[21125-0018-0009] 一種鉍層狀結構弛豫鐵電陶瓷材料及其制備方法
[摘要] 本發明涉及一種鉍層狀結構弛豫鐵電陶瓷材料及其制備方法，屬于功能陶瓷領域。本發明按化學式abi2-xrexnb2o9配方，a為sr或ca，re為pr或la，0＜x＜1，燒結溫度為1100-1250℃，保溫時間為1-2小時，制備出了一種鉍層狀結構弛豫鐵電陶瓷材料，該無鉛弛豫鐵電陶瓷材料可應用于高壓電容器、壓電陶瓷濾波器以及壓電陶瓷振蕩器等領域。
[21125-0002-0010] 鐵電陶瓷
[摘要] ____由ｘ ｐｂ ｔｉ ｏ3-ｙｐｂｚｒｏ3－ｚｐｂ（ｍｇ１／#o&３ｎｂ２／３）ｏ3－ｍｓｒｔｉｏ3－ｎｓｎｏ2－ｐｚnｏ－ｑｂi2ｏ3－ｒｘ代表的鐵電陶瓷，其中ｘ，ｙ，ｚ，ｍ，ｎ，ｐ，ｑ和ｒ分別代表摩爾數，滿足條件ｘ+ｙ+ｚ＝１，ｘ為從ｄｙ2ｏ3、ｔａ2ｏ5和ｙ2ｏ3中選取的至少一種氧化物，所揭示的鐵電陶瓷具有增高的相對介電常數和／或機電耦合因子，適合用作激勵器。（ａｃｔｕａｔｏｒ）。
[21125-0011-0011] 溫度穩定復相鐵電陶瓷及其制備工藝
[21125-0017-0012] 鐵電陶瓷化合物,鐵電陶瓷單晶及其制備方法
[21125-0009-0013] 非晶硅/鐵電陶瓷復合薄膜及其應用
[21125-0012-0014] 鈮鎂酸鉛基溫度穩定型馳豫鐵電陶瓷組成及制備工藝
[21125-0003-0015] 鐵電陶瓷材料
[21125-0001-0016] 防止鐵電陶瓷器件相變開裂的處理方法
[21125-0016-0017] 鐵電陶瓷微致冷器及其制備方法
[21125-0008-0018] 鐵電玻璃陶瓷微粉的化學制備方法
[21125-0006-0019] 提高鉛系弛豫鐵電陶瓷機電性能的工藝
[21125-0020-0020] 一種鐵電/鐵磁復相陶瓷的制備方法
[21125-k0091-0021] 機械力化學法制備 pb（sc0.5ta0.5）o3弛豫鐵電陶瓷微粉-----[來源：壓電與聲光 日期：2002年5期]
[21125-k0005-0022] （pb0．97la0．02）（zr0．65sn0．35-xtix）o3反鐵電陶瓷的熱膨脹性質-----[來源：物理學報 日期：2003年9期]
[21125-k0075-0023] 電場、應力和環境對pzt-5鐵電陶瓷斷裂的耦合作用-----[來源：中國科學：g輯 日期：2004年6期]
[21125-k0094-0024] 基于透明鐵電陶瓷的高速可變光衰減器-----[來源：壓電與聲光 日期：2006年1期]
[21125-k0081-0025] 非鐵電壓電玻璃陶瓷極性微晶取向的生長分析-----[來源：壓電與聲光 日期：2002年4期]
[21125-k0116-0026] 鐵電陶瓷pzt的實驗本構研究-----[來源：力學學報 日期：2000年1期]
[21125-k0125-0027] 鐵電陶瓷的性能分析-----[來源：現代日用科學 日期：2002年2期]
[21125-k0017-0028] la調節pb（zr,sn,ti）03反鐵電陶瓷的相變與電學性質-----[來源：物理學報 日期：2002年7期]
[21125-k0077-0029] 電場對鐵電陶瓷壓痕裂紋的作用-----[來源：中國腐蝕與防護學報 日期：2004年2期]
[21125-k0083-0030] 復合eshelby模型與鐵電陶瓷疇片幾何-----[來源：中國科學：e輯 日期：2001年4期]
[21125-k0111-0031] 陶瓷型鐵電復合物厚片介電系數的電場依賴性-----[來源：復合材料學報 日期：2000年3期]
[21125-k0139-0032] 新型鈣鈦礦型鐵電陶瓷bspt研究進展-----[來源：材料導報 日期：2005年12期]
[21125-k0123-0033] 鐵電陶瓷的電疇及疇變觀測研究進展-----[來源：功能材料 日期：2005年1期]
[21125-k0055-0034] xpb（y1／2nb1／2）o3—（1—x）pb（zr1／2ti1／2）o3鐵電陶瓷性能研究-----[來源：壓電與聲光 日期：2001年5期]
[21125-k0103-0035] 溶膠—凝膠法制備pbtio3基鐵電陶瓷的高頻晶粒尺寸效應-----[來源：硅酸鹽學報 日期：2000年2期]
[21125-k0137-0036] 新鐵電陶瓷材料pzt熱物理性能和相變的研究-----[來源：華南理工大學學報：自然科學版 日期：2000年12期]
[21125-k0042-0037] pzt95／5鐵電陶瓷脈沖源用于nf電容器充電-----[來源：高電壓技術 日期：2004年4期]
[21125-k0099-0038] 鉛基弛豫鐵電體陶瓷材料pmn-pt制備及研究進展-----[來源：稀有金屬 日期：2005年1期]
[21125-k0080-0039] 反鐵電／鐵電相界附近pbla（zr，sn，ti）o3陶瓷性能研究-----[來源：科學通報 日期：2006年4期]
[21125-k0050-0040] sr2bi4—xlaxti5o18鐵電陶瓷性能的研究-----[來源：哈爾濱理工大學學報 日期：2002年6期]
[21125-k0145-0041] 應用云紋干涉法測量力電耦合作用下鐵電陶瓷的破壞行為-----[來源：力學季刊 日期：2001年2期]
[21125-k0020-0042] na0.5bi0.5tio3-batio3系無鉛壓電陶瓷的弛豫相變特征和鐵電性能-----[來源：硅酸鹽學報 日期：2005年1期]
[21125-k0022-0043] nb摻雜bi4ti3o12層狀結構鐵電陶瓷的電行為特性研究-----[來源：無機材料學報 日期：2005年6期]
[21125-k0016-0044] la摻雜對sr2bi4ti5o18鐵電陶瓷性能的影響-----[來源：功能材料 日期：2003年5期]
[21125-k0032-0045] pmn基復相弛豫鐵電陶瓷電致應變及其溫度穩定性的研究-----[來源：材料工程 日期：2005年9期]
[21125-k0138-0046] 新型的sol-gel法制備ba0．6sr0．4tio3鐵電陶瓷-----[來源：材料導報 日期：2005年f11期]
[21125-k0118-0047] 鐵電陶瓷材料性能退化機理-----[來源：硅酸鹽通報 日期：2000年4期]
[21125-k0140-0048] 壓電／鐵電陶瓷材料夾雜問題的力電耦合場-----[來源：重慶大學學報：自然科學版 日期：2003年10期]
[21125-k0071-0049] 等靜壓對pb（zn1／3nb2／3）o3—batio3—pbtio3弛豫型鐵電陶瓷介電性能的影響-----[來源：科學通報 日期：2001年17期]
[21125-k0112-0050] 梯度pzt鐵電陶瓷的介電性質-----[來源：上海師范大學學報：自然科學版 日期：2006年4期]
[21125-k0108-0051] 鈦酸鋇陶瓷片的制備和鐵電性質的研究-----[來源：大學物理實驗 日期：2005年2期]
[21125-k0008-0052] 0—3型壓電陶瓷／硫鋁酸鹽水泥復合材料的介電頻率特性和鐵電特性-----[來源：復合材料學報 日期：2006年3期]
[21125-k0019-0053] mo摻雜srbi4ti4o15陶瓷的鐵電介電性能-----[來源：物理學報 日期：2006年7期]
[21125-k0028-0054] pblzt馳豫鐵電陶瓷的動態及偏壓介電和壓電特性-----[來源：無機材料學報 日期：2000年1期]
[21125-k0003-0055] （bi1／2na1／2）1—xbaxtio3系鐵電陶瓷制備工藝研究-----[來源：壓電與聲光 日期：2001年6期]
[21125-k0072-0056] 等靜壓和溫度誘導的pbla（zr,sn,ti）o3反鐵電陶瓷相奕和介電性能研究-----[來源：物理學報 日期：2001年9期]
[21125-k0119-0057] 鐵電陶瓷材料在交變電場作用下的電疲勞研究-----[來源：稀有金屬材料與工程 日期：2005年7期]
[21125-k0095-0058] 晶粒尺寸對ba0.80sr0.20tio3陶瓷介電鐵電特性的影響-----[來源：硅酸鹽學報 日期：2002年3期]
[21125-k0051-0059] srbi2ta2o9（sbt）鐵電陶瓷的制備及性能-----[來源：陶瓷科學與藝術 日期：2003年6期]
[21125-k0149-0060] 中溫燒結batio3鐵電—玻璃陶瓷介電性能-----[來源：壓電與聲光 日期：2001年4期]
[21125-k0007-0061] （pbba）（zr,sn,ti）o3反鐵電／馳豫型鐵電相界陶瓷的相變與介電、熱釋電性質-----[來源：物理學報 日期：2002年7期]
[21125-k0063-0062] 弛豫鐵電陶瓷有序—無序結構對其相組成和介電性能的影響-----[來源：功能材料 日期：2000年1期]
[21125-k0147-0063] 用于電壓調節器的pzst反鐵電陶瓷研究-----[來源：壓電與聲光 日期：2005年5期]
[21125-k0097-0064] 力電耦合載荷作用下鐵電陶瓷破壞行為的云紋干涉方法研究-----[來源：實驗力學 日期：2003年2期]
[21125-k0135-0065] 無鉛鐵電陶瓷電子發射性能-----[來源：強激光與粒子束 日期：2004年12期]
[21125-k0023-0066] nd摻雜bi4ti3o12陶瓷樣品的鐵電、介電性能-----[來源：揚州大學學報：自然科學版 日期：2005年4期]
[21125-k0074-0067] 電場、殘余應力和介質對pzt—5h鐵電陶瓷壓痕裂紋擴展的耦合作用-----[來源：金屬學報 日期：2005年1期]
[21125-k0115-0068] 鐵電陶瓷pzt53復雜力電耦合行為的實驗研究-----[來源：力學學報 日期：2005年4期]
[21125-k0078-0069] 電場誘導pzst陶瓷反鐵電—鐵電相變-----[來源：材料研究學報 日期：2000年3期]
[21125-k0041-0070] pzt95／5鐵電陶瓷晶粒度對沖擊波作用下擊穿電壓的影響-----[來源：無機材料學報 日期：2005年4期]
[21125-k0120-0071] 鐵電陶瓷材料在交變電場作用下疲勞研究進展-----[來源：稀有金屬材料與工程 日期：2004年7期]
[21125-k0036-0072] pzst反鐵電陶瓷的介電性能-----[來源：壓電與聲光 日期：2000年5期]
[21125-k0033-0073] pmn基鐵電陶瓷電鍍鎳性能失效及恢復研究-----[來源：壓電與聲光 日期：2001年5期]
[21125-k0109-0074] 鈦酸鉍鋇陶瓷的介電性、鐵電性及對晶格結構的依賴性-----[來源：物理學報 日期：2004年9期]
[21125-k0057-0075] 鉍層化合物sr1＋xbi4—xti4—xtaxo15（x=0—1）陶瓷的介電和鐵電特性-----[來源：物理學報 日期：2002年2期]
[21125-k0105-0076] 溶膠—凝膠法制備srbi2ta2o9鐵電陶瓷薄膜-----[來源：應用化學 日期：2002年6期]
[21125-k0064-0077] 弛豫鐵電體陶瓷研究進展-----[來源：混合微電子技術 日期：2000年3期]
[21125-k0076-0078] 電場對不同極化狀態pzt-5h鐵電陶瓷斷裂韌性的影響-----[來源：硅酸鹽學報 日期：2006年3期]
[21125-k0006-0079] （pb1—xsrx）tio3系紅外敏感鐵電陶瓷的研究-----[來源：應用科學學報 日期：2000年4期]
[21125-k0079-0080] 電泳沉積技術制備鐵電陶瓷薄膜的研究進展-----[來源：材料導報 日期：2005年1期]
[21125-k0113-0081] 鐵摻雜0.2pzn-0.8pzt鐵電陶瓷raman散射研究-----[來源：無機材料學報 日期：2006年3期]
[21125-k0092-0082] 基于rainbow結構的反鐵電陶瓷研究-----[來源：功能材料 日期：2004年4期]
[21125-k0148-0083] 制備鉛系弛預鐵電陶瓷的反應機理研究進展-----[來源：材料導報 日期：2002年9期]
[21125-k0136-0084] 斜入射沖擊波加載下pzt95／5鐵電陶瓷的放電特性研究-----[來源：高壓物理學報 日期：2006年2期]
[21125-k0049-0085] sr2bi4-x／3ti5-xnbxo18陶瓷的鐵電介電性能-----[來源：揚州大學學報：自然科學版 日期：2004年4期]
[21125-k0117-0086] 鐵電陶瓷薄膜的制備與結構表征-----[來源：中國陶瓷 日期：2000年2期]
[21125-k0038-0087] pzt-5鐵電陶瓷恒載荷壓痕裂紋在空氣和水中的擴展過程-----[來源：金屬學報 日期：2004年9期]
[21125-k0015-0088] kta0．65nb0．35o3陶瓷粉體的合成及鐵電性質研究-----[來源：信陽師范學院學報：自然科學版 日期：2006年3期]
[21125-k0009-0089] batio3鐵電陶瓷的應力腐蝕-----[來源：材料研究學報 日期：2004年4期]
[21125-k0040-0090] pzt95／5鐵電陶瓷擊穿的統計分析-----[來源：高電壓技術 日期：2001年2期]
[21125-k0056-0091] zro2復合對plzt鐵電陶瓷電致疲勞性能的改善-----[來源：材料導報 日期：2000年z10期]
[21125-k0098-0092] 鈮錳鋯鈦酸鉛鐵電陶瓷電滯回線的溫度和頻率響應-----[來源：物理學報 日期：2005年2期]
[21125-k0013-0093] dy2o3和la2o3摻雜對batio3鐵電陶瓷介電特性的影響-----[來源：硅酸鹽學報 日期：2001年5期]
[21125-k0128-0094] 鐵電陶瓷相和內電極的層間互作用及界面類型-----[來源：壓電與聲光 日期：2000年5期]
[21125-k0004-0095] （bi4—x,lax）ti3o12鐵電陶瓷性能研究-----[來源：壓電與聲光 日期：2002年3期]
[21125-k0067-0096] 沖擊加載下pzt—95／5陶瓷鐵電—反鐵電相變實驗研究-----[來源：高壓物理學報 日期：2002年3期]
[21125-k0058-0097] 部分化學法制備pbnb（zr,sn,ti）o3反鐵電陶瓷及其電致應變性能研究-----[來源：無機材料學報 日期：2002年3期]
[21125-k0142-0098] 壓應力對鐵電陶瓷非線性力電耦合性能的影響-----[來源：中國科學：e輯 日期：2005年11期]
[21125-k0146-0099] 用途廣泛的透明鐵電陶瓷-----[來源：金屬世界 日期：2005年5期]
[21125-k0088-0100] 高價b位摻雜bi4ti3o12陶瓷的鐵電性能研究-----[來源：周口師范學院學報 日期：2004年5期]
[21125-k0001-0101] （1-x）pst-xpzt弛豫鐵電陶瓷的介電與壓電性能研究-----[來源：高技術通訊 日期：2005年11期]
[21125-k0024-0102] pb（zn1／3nb2／3）o3-ba（zn1／3nb2／3）o3鐵電陶瓷結構與性能的研究-----[來源：功能材料 日期：2006年3期]
[21125-k0043-0103] pzt鐵電陶瓷的氫致半導體化-----[來源：金屬學報 日期：2005年9期]
[21125-k0012-0104] cazro3摻雜對（ba，sr）tio3鐵電電容器陶瓷性能的影響-----[來源：硅酸鹽學報 日期：2005年3期]
[21125-k0100-0105] 前驅體制備途徑對pfn—pmn二元鉛基鐵電陶瓷性能的影響-----[來源：無機材料學報 日期：2001年6期]
[21125-k0126-0106] 鐵電陶瓷宏觀單軸力電行為的雙面模型-----[來源：力學學報 日期：2004年6期]
[21125-k0127-0107] 鐵電陶瓷顆粒填充壓電復合材料的微結構與性能-----[來源：中國塑料 日期：2001年12期]
[21125-k0121-0108] 鐵電陶瓷材料在平板顯示技術中的應用-----[來源：光電子技術 日期：2001年4期]
[21125-k0132-0109] 溫度對plzt鐵電陶瓷電疲勞性能的影響-----[來源：稀有金屬材料與工程 日期：2004年8期]
[21125-k0052-0110] srbi4ti4o15鐵電陶瓷a位摻雜改性研究-----[來源：中國材料科技與設備 日期：2006年1期]
[21125-k0068-0111] 沖擊應力作用下pzt95／5鐵電陶瓷電響應的理論分析-----[來源：功能材料與器件學報 日期：2001年2期]
[21125-k0087-0112] 改性鋯鈦酸鉛反鐵電陶瓷的熱致伸縮-----[來源：科學通報 日期：2002年8期]
[21125-k0034-0113] pmn鐵電陶瓷摻雜改性研究進展-----[來源：材料導報 日期：2004年6期]
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