半導體,制造半導體器件,半導體集成電路裝置,半導體熱處理類技術資料(168元/全套)貨到付款歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F320038
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[8145-0173-0001] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 形成了滿足以下三個要求，“很好地抵擋刻蝕并能夠阻止刻蝕來保護半導體薄膜被刻蝕劑刻蝕掉”，“在為吸收進行的熱處理中允許雜質元素自由移動”，及“具有優秀的可重復性”的阻擋層，阻擋層用于吸收半導體薄膜中的雜質。阻擋層為氧化硅薄膜，阻擋層中所含的低氧化物比率為18％或更高。
[8145-0075-0002] 電荷耦合器件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及電荷耦合器件及其制造方法。采用本發明能夠得到具有單層的柵極構造，而且性能良好的電荷耦合器件。該電荷耦合器件是具有單層的柵極構造的電荷耦合器件，具備：形成于半導體基板的柵極絕緣膜、由形成于柵極絕緣膜上的絕緣物構成的多個隔片、以及配置于相鄰的隔片間，具有沿隔片的側部形成的側面的凹狀的柵極。這樣，如果以光刻下限尺寸以下的寬度形成隔片，則相鄰的柵極間的間隔小于光刻下限尺寸。
[8145-0094-0003] 半導體裝置和電光學裝置
一種半導體裝置，通過在第1基板(11)上形成功能元件(12)，剝離包含一個以上的功能元件(12)的元件芯片13，向第2基板(14)上轉印，取得元件酒?13)上的第1焊盤(15)和第2基板上(14)上的第2焊盤(16)的導通而形成的半導體裝置中，只在元件芯片(13)的第2基板(14)一側的表面形成第1焊盤(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盤(15)更遠離第2基板(14)的一側。或者，在元件芯片(13)的遠離第2基板(14)一側的表面只形成第1焊盤(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盤(15)更靠第2基板(14)一側。由此可增大第1焊盤(15)的面積或寬度。
[8145-0152-0004] 半導體存儲裝置及其制造方法
[摘要] 提供一種可以提高數據保持特性的非易失性半導體存儲裝置及其制造方法。在存儲元件的上層，具備包含以下群中的至少1個以上的層：添加有氮的硅氧化膜；添加有al的硅氧化膜；al的氧化物；添加有ti的硅氧化膜；添加有氮和al和ti這3種中的2種的硅氧化膜；添加有氮和al和ti這3種的硅氧化膜；ti的氧化物；ti和al的氧化物；由ti、ni、co、zr、cu、pt、v、mg、u、nd、la、sc金屬群中之一種組成的單體金屬層；由包含這些金屬群中2個以上的金屬占全體的至少50％以上的二元以上的合金組成的層；由該合金的氮化物組成的層；或者由該合金的氫化物組成的層(例如al2o3膜10)。
[8145-0137-0005] 電路基板和電子機器，以及其制造方法
[摘要] 本發明是關于電路基板、電子機器、以及前述電路基板和電子機器的制造方法。本發明的電路基板具有和芯片組件的電極相連的第1電極和第2電極、以及在對應該第1電極和該第2電極的位置形成開口部的第1絕緣層，該第1絕緣層的開口部的形狀，至少在該第1電極的邊緣部和該第2電極的邊緣部當中，位于該芯片組件下方區域不被該第1絕緣層覆蓋。
[8145-0064-0006] 半導體存儲器
[摘要] 一種半導體存儲器，其中，刷新字線選擇電路(15)與計數器(16)連接，該計數器(16)與外部時鐘信號(clk)同步地生成并輸出刷新時鐘信號(rclk)。因而，刷新字線選擇電路(15)與來自計數器(16)的刷新時鐘信號(rclk)同步地一邊以自身控制的方式選擇多條刷新字線(rwl)，一邊周期性地激活該多條刷新字線(rwl)。從而可以省去由dram電路部的外部提供針對dram單元的刷新工作。
[8145-0122-0007] 制造銅鑲嵌結構的方法
[摘要] 本發明公開了一種在半導體底材上制作銅鑲嵌(damascene)結構的方法。首先，形成介電層于半導體底材上。并蝕刻介電層，以形成開口圖案于介電層中，而曝露出部份半導體底材。接著，進行氮化程序以便在開口圖案的表面形成氮化表層，以防止后續銅原子的擴散效應。然后，進行化學電鍍反應以形成銅層于半導體底材上，且填充于開口圖案中。再對半導體底材進行化學機械研磨程序，以移除位于介電層上表面的部份銅層，且定義銅鑲嵌結構于開口圖案中。隨后，形成銅金屬矽化層于銅鑲嵌結構上表面，而防止銅原子發生擴散效應。
[8145-0171-0008] 晶圓辨識標號的制作方法
[摘要] 本發明系為一種晶圓辨識標號的制作方法，至少包括：提供一晶圓，具有一正面、一背面以及一側面；以及形成一辨識標號于上述晶圓的側面。藉由形成一辨識標號于上述晶圓的側面方法，可以避免傳統上將晶圓辨識標號形成于晶圓的正面或背面所造成的問題。
[8145-0172-0009] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，包括半導體層和形成在半導體層表面上的一個或多個半導體元件，特征在于所述半導體層沒有半導體元件的區域劃分成多個塊，同時被劃分的半導體層的各個塊具有粘附到各個塊的側面由絕緣層制成的柔性區，以使所述塊集成在一起。
[8145-0066-0010] 強電介質存儲裝置
[摘要] 本發明提供一種強電介質存儲裝置，在強電介質薄膜的兩面分別配置有多根字線及多根位線，存儲單元由一個強電介質電容器來構成。這些字線及位線由通過電源電路提供多路驅動電壓的字線驅動部及位線驅動部所驅動，從而實施數據的寫入、讀出及再寫入的各種動作模式。并且設有與字線及位線的端部相連接的短路電路，在實施動作模式后，在電源投入和電源斷開時將這些字線及位線全部短路。
[8145-0103-0011] 在具有金屬圖案的半導體基底形成堆疊式介電層的方法
[8145-0156-0012] 半導體存儲器及向半導體存儲元件的電壓施加方法
[8145-0053-0013] 半導體裝置及其制造方法、電光學裝置、電子機器
[8145-0138-0014] 內裝半導體的毫米波段模塊
[8145-0048-0015] 半導體器件的制造方法
[8145-0153-0016] 半導體裝置及其制造方法
[8145-0009-0017] 具有黑矩陣的平板顯示器及其制造方法
[8145-0117-0018] 接觸器、制造此接觸器的方法、以及使用此接觸器的測試方法
[8145-0010-0019] 用于發白光二極管的燐光體和發白光二極管
[8145-0056-0020] 電子元件的側吹式散熱鰭片組合
[8145-0031-0021] 減少廢氣排放量的蝕刻方法
[8145-0109-0022] 半導體器件的制造方法
[8145-0037-0023] 改進的光學玻璃制程方法
[8145-0135-0024] 只讀存儲器的制造方法
[8145-0067-0025] 虛擬接地架構的閃存
[8145-0112-0026] 集成電路結構表面涂覆金屬的方法
[8145-0139-0027] 半導體器件
[8145-0120-0028] 一種改善淺槽隔離可靠度的方法
[8145-0174-0029] 復合光致抗蝕劑層結構
[8145-0020-0030] 制造ⅲ-v族化合物半導體的方法
[8145-0084-0031] 壓電元件及其制造方法
[8145-0116-0032] 用以量測表面介電常數的探針及其量測方法
[8145-0124-0033] 制造半導體器件的方法
[8145-0148-0034] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8145-0024-0035] 用于制造半導體器件的強聲波清洗設備
[8145-0002-0036] 半導體器件及其制造方法
[8145-0130-0037] 改善非揮發性存儲單元可靠度的方法及其結構
[8145-0140-0038] 適用于接合墊與檢測墊的金屬墊結構
[8145-0052-0039] 半導體器件的制造方法
[8145-0080-0040] 基于ⅲ族氮化物的半導體基片及其制造方法
[8145-0167-0041] 光半導體器件
[8145-0198-0042] 利用離子植入方法制作混合電路元件電容器的方法
[8145-0157-0043] 一種具有電子俘獲擦除狀態的非易失半導體存儲單元及其操作方法
[8145-0063-0044] 半導體集成電路
[8145-0042-0045] 包含等離子體測量裝置的等離子體設備
[8145-0045-0046] 使用雙波紋技術制造半導體器件的方法
[8145-0038-0047] 電子器件制造裝置、電子器件的制造方法以及電子器件的制造程序
[8145-0062-0048] 一種鐵電單管鎖存結構以及嵌入式不揮發邏輯集成電路
[8145-0216-0049] 低阻抗去耦裝置
[8145-0025-0050] 具有高選擇比的平坦化方法
[8145-0059-0051] 一種靜電放電保護電路
[8145-0129-0052] 自對準可編程相變存儲器件及其制造方法
[8145-0018-0053] 細微圖案形成方法
[8145-0016-0054] lsi掩模制造系統、lsi掩模制造方法及lsi掩模制造程序
[8145-0090-0055] 增加模擬/數字轉換芯片合格率的方法及其產品
[8145-0043-0056] 表面檢查方法及表面檢查裝置
[8145-0058-0057] 半導體芯片封裝體
[8145-0019-0058] 形成抗蝕圖的方法
[8145-0132-0059] 非易失存儲單元的抹除方法
[8145-0029-0060] 減少反應室雜質含量的方法
[8145-0166-0061] 半導體器件
[8145-0159-0062] 遮罩式只讀存儲器
[8145-0079-0063] ⅲ族氮化物發光二極管及其制造方法
[8145-0026-0064] 具有浮動阻隔環的化學機械研磨頭
[8145-0114-0065] 用于制造具有分布在其表面內的金屬的模制樹脂件的方法
[8145-0078-0066] 太陽能電池模塊
[8145-0033-0067] 半導體裝置的制造方法
[8145-0097-0068] 可縮短光掩模制造周期的光掩模供給系統
[8145-0145-0069] 用以抑制電感q值下降的電感式結構
[8145-0070-0070] 半導體存儲裝置
[8145-0069-0071] 包含溝槽式電容的半導體裝置及其制造方法
[8145-0200-0072] 形成隔離元件時消除應力與損傷的方法
[8145-0199-0073] 具有溝槽電容的半導體的制造方法
[8145-0098-0074] 防止氣體逆流的轉接器及方法
[8145-0134-0075] 溝道式編碼植入的罩幕式只讀存儲器的制作方法
[8145-0187-0076] 液體處理裝置和液體處理方法
[8145-0086-0077] 音叉型壓電振蕩片及其制造方法，壓電器件
[8145-0175-0078] 半導體元件的線的制造方法
[8145-0082-0079] 熱電模塊
[8145-0185-0080] 半導體圓片清洗設備
[8145-0030-0081] 能評價工藝性能的等離子體處理裝置
[8145-0091-0082] 形成混合性抗反射層的方法
[8145-0034-0083] 電鍍金屬退火的方法
[8145-0017-0084] 改進微距一致性的方法
[8145-0214-0085] 內存儲存節點及其制造方法
[8145-0083-0086] 采用電泳技術制備大面積高溫超導鋇釔銅氧厚膜的方法
[8145-0068-0087] 半導體器件和采用該半導體器件的半導體存儲器
[8145-0168-0088] 發光二極管的結構及其制造方法
[8145-0100-0089] 在半導體器件中形成接觸插塞的方法
[8145-0146-0090] 濾波器芯片和濾波器設備
[8145-0170-0091] 用于相變介質存儲裝置的低熱耗小接觸面積復合電極
[8145-0154-0092] 存儲器結構
[8145-0196-0093] 基于電路靜態時延特性的冒險檢測和消除方法
[8145-0044-0094] 半導體器件的制造方法
[8145-0049-0095] 半導體裝置的制造方法
[8145-0149-0096] 金屬-絕緣物-金屬電容的集成電路裝置及其制作方法
[8145-0158-0097] 半導體存儲裝置
[8145-0192-0098] 影像感測器封裝方法
[8145-0072-0099] 具高介電物質的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架構
[8145-0207-0100] 閃存結構及其制作方法
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[8145-0184-0102] 具有防水窗口的研磨墊
[8145-0101-0103] 使用動態計算工藝參數的研磨方法
[8145-0125-0104] 基于模塊變形的集成電路宏模塊布圖規劃和布局方法
[8145-0205-0105] 具有規則鑲嵌構造輪廓的制造方法
[8145-0011-0106] 以氮化鎵為基底的半導體發光裝置
[8145-0195-0107] 翻面芯片以焊蠟球及焊蠟柱加層次性之下層填充結合在基底上
[8145-0107-0108] 形成阻障層的方法
[8145-0089-0109] 集成電路裝置及神經元
[8145-0008-0110] 半導體裝置及其制造方法
[8145-0004-0111] 輸出特性可變型半導體集成電路裝置
[8145-0028-0112] 化學機械拋光裝置及其控制方法
[8145-0191-0113] 在單面柔性基板背面形成凸點的方法
[8145-0164-0114] 半導體器件的制造方法
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[8145-0102-0116] 基板處理裝置
[8145-0210-0117] 電光裝置、半導體裝置及它們的制造方法和投影裝置與電器
[8145-0151-0118] 一種存儲裝置及其護層形成方法
[8145-0213-0119] 保護接觸墊下元件的網目圖案介層及結構
[8145-0006-0120] 非易失半導體存儲器及其制造方法
[8145-0021-0121] 制作多晶硅薄膜的方法
[8145-0208-0122] 使用源極溝渠的分離柵極式快閃存儲器元件制作方法
[8145-0096-0123] 訂貨者可靠地選擇接受訂貨者用的選擇方法
[8145-0215-0124] 半導體器件中的布線結構
[8145-0127-0125] 使用雙軌電源供應的互補式金氧半晶體管組成的基本標準組件布局
[8145-0057-0126] 制作封裝輸出輸入端點的方法以及其結構
[8145-0040-0127] 電子器件的制造裝置、制造方法以及制造程序
[8145-0209-0128] p型氮化硅只讀存儲器器件的初始化方法
[8145-0085-0129] 可調電容器及其制造方法
[8145-0039-0130] 電子器件制造裝置、電子器件的制造方法以及電子器件的制造程序
[8145-0217-0131] 雙向過電壓與靜電放電防護裝置
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[8145-0108-0133] 半導體熱處理用反射板和該半導體熱處理用反射板的制造方法
[8145-0027-0134] 基板處理裝置
[8145-0023-0135] 一種改善化學機械拋光不均勻度的方法
[8145-0189-0136] 氣相有機材料沉積方法和使用該方法的氣相有機材料沉積設備
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[8145-0035-0138] 深次微米mos裝置及其制造方法
[8145-0131-0139] 一種降低快閃存儲器隨機位故障的方法
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[8145-0179-0144] 制作雙柵極結構的方法
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