半導體,半導體封裝,氧化物半導體管,半導體模塊類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8139-0187-0001] 結晶裝置、結晶方法及所使用的相移掩模和濾波器
[摘要] 一種結晶裝置，包括一個圖象形成光學系統(3)，該系統具有一個圖像側數值孔徑，該孔徑被設定為一個生成一個具有一反峰值圖形的光強分布所需的值，并將一個非晶形半導體薄膜與一個相移掩模設置成一種光學上的共軛關系。相移掩模具有一個沿第一軸線延伸的邊界區域(11)以及一個第一區域(12)和一個第二區域(13)，第一和第二區域被沿一根與第一軸線相交的第二軸線設置在邊界區域的兩側并且兩者之間具有一個預定的相差。邊界區域的相位分布是從第一區域的一個相位變化到第二區域的一個相位。
[8139-0053-0002] 發光裝置
[摘要] 本發明公開了一種發例如藍光的InGaN基發光二極管，其作為半導體發光元件而被固定在載體基片上，并且透明薄膜固定在載體基片上，以覆蓋半導體發光元件。圖形電極形成在透明薄膜的上表面上，并且圖形電極穿過例如通孔而電連接著半導體發光元件的終端電極。透明薄膜中可以含有可被半導體發光元件發出的光激發的熒光粉。在將半導體發光元件與圖形電極連接時不必再進行引線焊接和利用密封層密封。
[8139-0134-0003] 半導體器件的評估方法、制造方法及器件設計管理系統
提供了一種以不同于采用霍耳測量或CV測量來獲得載流子密度的方法的途徑精確而簡單地獲得器件摻雜劑激活率的新方法，還提供了一種以適當閾值電壓控制，亦即根據得到的激活率的劑量控制來執行的器件生產方法。本發明人發明了一種方法，其中，根據器件的閾值電壓和平帶電壓而得到半導體膜中激活的摻雜劑密度(第一摻雜劑密度)，然后根據得到的激活的摻雜劑密度對用SIMS分析得到的摻入的摻雜劑密度(第二摻雜劑密度)的比率而得到摻雜劑激活率。本發明使得能夠容易地獲得器件的溝道形成區和雜質區中的摻雜劑激活率。
[8139-0109-0004] 降低基底缺陷的高摻雜波度的離子布植方法
[摘要] 本發明涉及一種降低基底缺陷的高摻雜濃度的離子布植方法，對一基底進行一高濃度(1E14-1E16 atom/cm2)離子布植程序，其中該離子布植程序包含一低離子束電流，該低離子束電流的范圍為1-7mA。因此，本方法利用該低離子束電流來減少該離子布植程序所產生的基底缺陷。
[8139-0066-0005] 散熱元件
[摘要] 一種散熱元件，其位于當操作時產生熱并達到高于室溫的溫度的放熱電子元件和散熱元件之間，特征在于所述散熱元件在室溫狀態在操作電子元件之前是非流體并在操作電子元件過程中生熱的情況下獲得低粘度、軟化或熔化以使至少其表面流體化，從而在電子元件和散熱元件之間填充而沒有留下任何明顯的空隙，且散熱元件由包含硅氧烷樹脂和導熱填料的組合物形成。
[8139-0011-0006] 電子器件基片結構和電子器件
[摘要] 一種電子器件基片結構，包括：基片2，被形成于基片2上作為面心立方結構的(111)定向膜或作為六方最密結構的(0001)定向膜的金屬薄膜4，以及具有被形成于金屬薄膜4上作為纖鋅礦晶體結構的(0001)定向的纖鋅礦型薄膜5，其中：兩種薄膜的每個都是多晶膜，其包含在所述平面中的晶體定向的方向不同的至少兩種晶粒；當金屬軸平軸；并且當金屬薄膜4是(0001)軸平行于金屬薄膜4的軸。
[8139-0049-0007] p型GaAs基板ZnSe系pin光電二極管及p型GaAs基板ZnSe系雪...
[摘要] 本發明提供一種對藍色-紫色-近紫外光靈敏的、暗電流低的、可靠性高的ZnSe系光電二極管，由p型單晶GaAs基板；在p型單晶GaAs基板上外延生長的、通過反復疊層p型ZnSe和p型ZnTe使禁帶寬度連續變化的超晶格；在超晶格上外延生長的p型Zn1-xMgxSySe1-y層；在p型Zn1-xMgxSySe1-y層上外延生長的i型Zn1-xMgxSySe1-y層；在i型Zn1-xMgxSySe1-y層上外延生長的n型Zn1-xMgxSySe1-y層；在n型Zn1-xMgxSySe1-y層上形成的n金屬電極；以及在p型單晶GaAs基板底面形成的p金屬電極構成。
[8139-0052-0008] GaN基多量子阱結構及采用該結構的發光二極管
[摘要] 本發明公開一種GaN基多量子阱藍光發光二極管，該二極管的多量子阱結構包括：p型摻雜的AlGaN層；n型摻雜的AlGaN層；及在AlGaN層之間的由p型摻雜的GaN層與不摻雜的InGaN層組成的N個量子阱；還包括在p型摻雜的AlGaN層與N個量子阱之間的不摻雜的GaN隔離層及在n型摻雜的AlGaN層與N個量子阱之間的不摻雜的GaN隔離層，通過合理調整GaN隔離層的厚度，可以有效地調整p-n結的位置，使之位于多量子阱區域，有效增強發光二極管的發光強度。
[8139-0044-0009] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 在上面形成了柵電極和LDD層的半導體基片上，形成作為硅化物區的SiN膜。在SiN膜上設置與LDD層相聯的開口。通過該開口將雜質引入到LDD層從而形成源/漏層，并對其表面進行硅化處理而形成硅化物膜。接著形成SiO2夾層絕緣膜，并在對SiO2的蝕刻速度高于對SiN的蝕刻速度的條件下對該膜進行蝕刻，從而形成由夾層絕緣膜的上表面經過開口到達LDD層的接觸孔。
[8139-0069-0010] 混合集成電路器件及其制造方法和電子裝置
[摘要] 一種具有高度安裝可靠性的混合集成電路器件，它包含是為陶瓷布線基板的模塊基板、設置在模塊基板主表面上的多個電子元件、設置在模塊基板背面上的多個電極端子、以及被固定到模塊基板以覆蓋模塊基板主表面的帽蓋。電極端子包括多個沿模塊基板邊沿對準的電極端子以及位于比這些電極端子更里面的電源端子。沿基板邊沿對準的電極端子至少在其靠近基板邊沿的部分處，被厚度為幾十微米或以下的保護膜涂敷。連接加固端子由多個彼此獨立的是為接地端子的分離端子組成。
[8139-0078-0011] 半導體器件用連接器裝置以及半導體器件的測試方法
[8139-0043-0012] 高壓N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管
[8139-0080-0013] 具有從半導體芯片導熱的熱管的電子裝置
[8139-0203-0014] 用于電化學機械拋光的導電拋光部件
[8139-0037-0015] 固態圖像拾取器件及其制造方法
[8139-0034-0016] 半導體裝置及使用該半導體裝置的處理系統
[8139-0107-0017] 形成多晶硅層以及制作多晶硅薄膜晶體管的方法
[8139-0123-0018] 半導體器件及其制造方法
[8139-0135-0019] 準直裝置
[8139-0099-0020] 溝槽柵費米閾值場效應晶體管及其制造方法
[8139-0200-0021] 在半導體工藝中形成亞光刻開口的方法
[8139-0046-0022] 具有高架源/漏結構的半導體器件及其制造方法
[8139-0014-0023] 包含背面研磨的半導體晶片加工方法
[8139-0168-0024] 含有絕緣柵場效應晶體管的半導體器件及其制造方法
[8139-0094-0025] 交叉點磁性內存集成電路之自行對準導線
[8139-0104-0026] 集成電路的圖形設計方法、曝光掩模的制作方法及其應用
[8139-0188-0027] 制造晶體半導體材料的方法和制作半導體器件的方法
[8139-0091-0028] 熱處理方法和熱處理裝置
[8139-0113-0029] 切削裝置
[8139-0167-0030] CMOS元件及其制造方法
[8139-0210-0031] 微電子組件的復合中間連接元件及其制法
[8139-0081-0032] 用于半導體器件的非鑄模封裝
[8139-0140-0033] 形成貫穿襯底的互連的方法
[8139-0084-0034] 太陽能電池組件和其安裝方法
[8139-0022-0035] 用于在電線端部形成線球的帶有電極的裝置
[8139-0144-0036] 改進的垂直MOSFET DRAM單元間隔離的結構和方法
[8139-0012-0037] 電子裝置用襯底、電子裝置用襯底的制造方法、及電子裝置
[8139-0007-0038] 高效發光二極管及其制造方法
[8139-0131-0039] 半導體測試裝置
[8139-0051-0040] 一種多量子阱結構及采用該結構的發光二極管
[8139-0127-0041] 制作電子封裝的方法以及電子封裝
[8139-0065-0042] 芯片轉移方法及裝置
[8139-0085-0043] 制造太陽能電池的方法及用此法制造的太陽能電池
[8139-0191-0044] 薄膜晶體管陣列板及其制造方法
[8139-0086-0045] 太陽能電池和制造太陽能電池的方法
[8139-0021-0046] 用于引線接合的毛細管及利用毛細管進行引線接合的方法
[8139-0215-0047] 制作半導體器件的方法和生成掩膜圖樣的方法
[8139-0075-0048] 等離子體CVD法及其裝置
[8139-0062-0049] 用于高疲勞壽命無鉛焊料的結構及方法
[8139-0161-0050] 具有包括緩沖層的熔絲結構的集成電路器件及其制造方法
[8139-0029-0051] 半導體器件
[8139-0142-0052] 用于埋入式后端線結構的錯落金屬化
[8139-0108-0053] 島狀突起修飾部件及其制造方法和采用它的裝置
[8139-0090-0054] 等離子體裝置及等離子體生成方法
[8139-0141-0055] 半導體裝置
[8139-0205-0056] 蝕刻液的再生方法、蝕刻方法和蝕刻系統
[8139-0047-0057] 具有多個疊置溝道的場效應晶體管
[8139-0148-0058] 布線基板、電路基板、電光裝置及其制造方法、電子設備
[8139-0093-0059] 用于集成電路平面化的粘性保護覆蓋層
[8139-0132-0060] 對半導體器件進行并行測試的裝置和方法
[8139-0005-0061] 發光二極體結構
[8139-0204-0062] 制造半導體器件的方法
[8139-0116-0063] 化學處理設備中降低晶圓報廢比例的方法
[8139-0122-0064] 覆晶封裝制程及其裝置
[8139-0032-0065] 一種大功率器件及其散熱器件的壓裝方法
[8139-0126-0066] 電路布線板及其制造方法
[8139-0153-0067] 散熱器和使用了該散熱器的半導體元件和半導體封裝體
[8139-0180-0068] 半導體膜、半導體膜的制造方法、半導體器件以及半導體器件的制造方法
[8139-0139-0069] 甚低有效介電常數互連結構及其制造方法
[8139-0045-0070] 用于動態閾值電壓控制的多晶硅背柵SOI MOSFET
[8139-0088-0071] 熱處理裝置和熱處理方法
[8139-0092-0072] 鐵電體薄膜、金屬薄膜或氧化物薄膜、其制造方法和制造裝置以及使用薄膜的電子...
[8139-0079-0073] 絕緣體上緩和SiGe層的制備
[8139-0110-0074] 制造半導體器件的方法
[8139-0198-0075] 離子摻雜裝置及離子摻雜裝置用多孔電極
[8139-0006-0076] 高亮度超薄光半導體器件
[8139-0036-0077] 用于制備取向的PZT電容器的晶體構造電極的方法
[8139-0173-0078] 半導體器件
[8139-0001-0079] 包括單獨的抗穿通層的晶體管結構及其形成方法
[8139-0217-0080] 空氣隙的形成
[8139-0068-0081] 多芯片電路模塊及其制造方法
[8139-0087-0082] 采用超晶格的無電介質勢壘的開關裝置
[8139-0102-0083] 磁存儲元件、其制造方法和驅動方法、及存儲器陣列
[8139-0158-0084] 銅雙鑲嵌內連線的焊墊及其制造方法
[8139-0031-0085] 半導體封裝及其制造方法以及半導體器件
[8139-0111-0086] 自對準半導體接觸結構及其制造方法
[8139-0067-0087] 電子部件的散熱結構體和用于該散熱結構體的散熱片材
[8139-0218-0088] 于半導體元件的制造中縮小間距的方法
[8139-0155-0089] 引線框及制造方法以及樹脂密封型半導體器件及制造方法
[8139-0163-0090] 可堆棧半導體封裝件的模塊化裝置及其制法
[8139-0019-0091] 芯片倒裝焊接
[8139-0151-0092] 半導體包封用環氧樹脂組合物及使用該組合物的半導體裝置
[8139-0170-0093] 非易失半導體存儲裝置
[8139-0214-0094] 半導體封裝內部的接線檢測方法
[8139-0201-0095] 水蒸汽作為處理氣，用于離子植入后抗蝕劑剝離中硬殼、抗蝕劑和殘渣的去除
[8139-0137-0096] 具有邊角保護層的淺溝槽隔離區制造程序
[8139-0186-0097] 用于顯示器的有機發光二極管及其制造方法
[8139-0073-0098] 鐵電電容器及積體半導體內存芯片之制造方法
[8139-0074-0099] 減少半導體容器電容器中的損傷
[8139-0192-0100] 半導體器件及其制造方法和裝置
[8139-0008-0101] 微型溫差電池及其制造方法
[8139-0058-0102] 被處理件的處理方法及處理裝置
[8139-0181-0103] 氧化鋅膜和使用它的光電元件、以及氧化鋅膜的形成方法
[8139-0040-0104] 半導體器件及其制造方法
[8139-0177-0105] 電力半導體器件
[8139-0056-0106] 曝光裝置、曝光法和器件制造法
[8139-0143-0107] 具輕摻雜汲極的半導體組件及其形成方法
[8139-0020-0108] 具有樹脂部件作為加固件的焊料球的形成
[8139-0145-0109] 半導體器件的制造方法
[8139-0183-0110] 太陽能電池模塊和用于該模塊的端面密封件
[8139-0160-0111] 具有熔絲的半導體器件
[8139-0013-0112] 半導體襯底生產方法及半導體襯底和半導體器件
[8139-0166-0113] 半導體器件及其制造方法
[8139-0035-0114] 電流鏡像電路和使用它的光信號電路
[8139-0193-0115] 半導體器件的制造方法和系統
[8139-0016-0116] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置的制造系統
[8139-0041-0117] 具有穩定開關特性的單電子晶體管
[8139-0025-0118] 結晶化狀態的原位置監測方法
[8139-0077-0119] 電子器件材料的制造方法
[8139-0152-0120] 模塑樹脂封裝型功率半導體裝置及其制造方法
[8139-0207-0121] 鉍鈦硅氧化物，鉍鈦硅氧化物薄膜，以及薄膜制備方法
[8139-0101-0122] 自旋開關和使用該自旋開關的磁存儲元件
[8139-0106-0123] 通過選擇性反應生產掩模的非平版印刷方法，生產的制品和用于該方法的組合物
[8139-0147-0124] 半導體封裝用基板及半導體裝置
[8139-0018-0125] 形成功率器件的方法及其結構
[8139-0212-0126] 直接芯片連接的結構和方法
[8139-0124-0127] 電子元件的封裝結構及其制造方法
[8139-0130-0128] 可在集成器件內精確測量組件電氣特性參數的電路
[8139-0050-0129] 光接收元件及其制造方法以及具有內建電路的光接收元件
[8139-0076-0130] 硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片
[8139-0164-0131] 在芯片內部集成電阻電容乘積的時間常數測試電路
[8139-0190-0132] 直接從移動運輸裝置上卸載基片載體的基片載體搬運器
[8139-0150-0133] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0060-0134] 襯底處理裝置及襯底處理方法
[8139-0038-0135] 具有像素隔離區的圖像傳感器
[8139-0039-0136] 提高生產效率及靈敏度的圖像傳感器
[8139-0028-0137] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0061-0138] 利用經反應的硼硅酸鹽混合物的連結結構
[8139-0209-0139] 薄膜半導體器件的制造方法
[8139-0017-0140] 薄膜晶體管的制造方法
[8139-0059-0141] 等離子體裝置及其制造方法
[8139-0128-0142] 半導體裝置及其制造方法
[8139-0010-0143] 元件運送裝置及元件運送方法
[8139-0009-0144] 一種磁電復合材料及其制法
[8139-0097-0145] 具ESD保護之半導體組體
[8139-0048-0146] 半導體器件及其制造方法
[8139-0064-0147] 用于將來自基底的熱量傳遞給卡盤的方法和設備
[8139-0015-0148] 制備低介材料的組合物
[8139-0136-0149] 具有覆蓋層的熔絲及其形成方法
[8139-0027-0150] 微電子工藝和結構
[8139-0171-0151] 存儲器宏及半導體集成電路
[8139-0159-0152] 半導體器件及其制造方法
[8139-0095-0153] 半導體模塊的中間載體、用它制造的半導體模塊及制造方法
[8139-0024-0154] 具有氣泡消除裝置的監測系統
[8139-0120-0155] 高溫退火非摻雜磷化銦制備半絕緣襯底的方法
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[8139-0033-0157] 半導體器件及其制造方法
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