- 低插入損耗
- 平坦的波長響應
- 帶有源抗混疊濾波器的集成平衡信號探測
- 用於660納米對準光束輸入
- 緊湊型設計;帶電源
1250 - 1350 nm Corning SMF28e FC/APC * InGaAs 800 - 1700 nm 1.0 A/W DC - 15 MHz 51 kV/A < ±5 mV 70 uW @ 1300 nm 20 mW 50 Ω FC/APC SMA ±12 V, 200 mA 120 mm x 80 mm x 21 mm
(4.42" x 3.15" x 0.827") *) 在中心波長測量,包含接頭損耗
**)耦合進探頭或者VOA輸出端口
下面的圖1給出瞭
95/5光纖耦合器用於把輸入光分為兩部分,其中95%的光束被傳輸到一個環行器內,然後通過WDM耦合器。WDM耦合器把入射的1300納米光和瞄準激光合在一起,方便對準。光從WDM耦合器的探測端口出射,用於樣品觀察。從樣品反射回來的光再次經過WDM耦合器,然後通過環行器,被平衡探測器的一個通道探測到。
來自入射光分光的5%光通過一個斜率補償耦合器傳輸到VOA IN端口。這個額外的耦合器用於補償波長相關耦合比。這兩個耦合器的設計使VOA IN信號幾乎不依賴OCT激光器的波長,能實現寬帶直流偏置補償。這在下面的波長響應曲線中給出。
圖2是從1300納米輸入到探測端口測量的
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- 平坦的波長響應
- 帶有源抗混疊濾波器的集成平衡信號探測
- 用於660納米對準光束輸入
- 緊湊型設計;帶電源
1250 - 1350 nm | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Corning SMF28e | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FC/APC | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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InGaAs | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
800 - 1700 nm | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1.0 A/W | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DC - 15 MHz | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
51 kV/A | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
< ±5 mV | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
70 uW @ 1300 nm | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
20 mW | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
50 Ω | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FC/APC | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SMA | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
±12 V, 200 mA | | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
120 mm x 80 mm x 21 mm | (4.42" x 3.15" x 0.827") | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
*) 在中心波長測量,包含接頭損耗 **)耦合進探頭或者VOA輸出端口 |
下面的圖1給出瞭 95/5光纖耦合器用於把輸入光分為兩部分,其中95%的光束被傳輸到一個環行器內,然後通過WDM耦合器。WDM耦合器把入射的1300納米光和瞄準激光合在一起,方便對準。光從WDM耦合器的探測端口出射,用於樣品觀察。從樣品反射回來的光再次經過WDM耦合器,然後通過環行器,被平衡探測器的一個通道探測到。 來自入射光分光的5%光通過一個斜率補償耦合器傳輸到VOA IN端口。這個額外的耦合器用於補償波長相關耦合比。這兩個耦合器的設計使VOA IN信號幾乎不依賴OCT激光器的波長,能實現寬帶直流偏置補償。這在下面的波長響應曲線中給出。 圖2是從1300納米輸入到探測端口測量的
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