封裝,半導體封裝,封裝中,封裝體類技術資料(168元/全套)貨到付款
歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F339297
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8164-0202-0001] 用于運送物品的方法和設備
[摘要] 在一個實施例中，車(5)具有一個配裝在第二容器(90)內的第一容器(10)并用于運送和存放集成電路基片。該集成電路基片放置在第一容器(10)內，而且第一容器(10)的門(18)被關閉并密封貼靠在門密封件(24)上。接下來，用氮氣對第一容器(10)進行清洗，以從第一容器(10)的內部排出潮氣和活性氣體。完成清洗后，接著將第一容器(10)放置在第二容器(90)內。然后，關閉第二容器(90)的門(102)并使門(102)密封貼靠到門密封件(104)上。接著，用氮氣對第二容器(90)進行清洗，以從第二容器(90)的內部排出潮氣和活性氣體。接下來，包括有集成電路基片的車(5)運送到下一加工區域。可使用本發明的車設備制造集成電路和其它物品。
[8164-0083-0002] 半導體器件
[摘要] 為了減少雙頻帶收發用半導體集成電路上內裝的差動低噪音放大器中每個發射極引線焊接、封裝的阻抗成分并提高增益，所以將差動放大器成對的放大器的接地腳作成彼此相鄰。并且，將相同放大器的輸入腳和接地腳作成彼此相鄰。因此，使相鄰的管腳信號成為反相，利用管腳間的變壓器耦合，降低每個晶體管發射極阻抗。
[8164-0061-0003] 磁阻效應型元件及用它制作的磁存儲元件和磁頭
本發明的元件含有具有以式l2(a1－zrz)2an－1mno3n+3+x表示的組成,結晶構造內具有(l—o)2層的層狀鈣鈦礦型氧化物、和夾持著層狀鈣鈦礦型氧化物并與該氧化物連接形成的一對強磁性體，通過上述(l—o)2層施加偏磁，實現了磁阻隧道效應。其中a表示從ca、sr和ba中選出的至少1種堿土類元素、l表示從bi、tl和pb中選出的至少1種元素、m表示從ti、v、cu、ru、ni、mn、co、fe和cr中選出的至少1種元素、r表示稀土類元素，n為1，2或3，x，z分別為－1≤x≤1，0≤z≤1中的值。
[8164-0184-0004] 布線基板、其制造方法、顯示裝置和電子裝置
[摘要] 本發明的課題是求得布線基板輕型化。在具有可安裝帶有多個電極的集成電路的安裝區域、并有應與該集成電路連接的多條基體材料一側布線形成的布線基板上，形成具有從上述安裝區域內的設定點略呈輻射狀延伸，并到達2個以上接地的基體材料一側布線的形狀的導體圖形。
[8164-0192-0005] 異質結場效應晶體管
[摘要] 提供一種在實現低驅動電壓化的同時，可以抑制發射極、基極之間的再結合電流的減少、提高電流放大倍率等特性的異質結場效應晶體管。在si基板10上積層si集電極埋入層11、c含有率高的sigec層構成的第1基極區域12、c含有率低的sigec層或者sige層構成的第2基極區域13、包含發射極區域14a的si空隙層14。第2基極區域的至少發射極區域側端部，c含有率不到0.8％。因此，在發射極、基極結合部的耗盡層中，可以抑制由c引起的再結合中心的形成，維持低驅動電壓性，通過降低再結合電流，實現對電流放大倍率等電特性的改善。
[8164-0111-0006] 具有疊放組件的電子部件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及具有疊放組件(1－n)的一種電子部件及其制造方法。每個組件(1－n)具有一個芯片(c1至cn)。每個芯片(c1至cn)被安裝在一個疊放中間面(z1至zn)上。疊層的疊放中間面(z1至zn)具有相同的布局，在芯片(c1至cn)上設有可通過接觸面(cs1至csn及cs11至csnn)進行不可逆地調整的芯片選擇電路(a1至an)，該電路可使接觸面(cs1至csn)及(cs11至csnn)不可逆地配置給疊放中間面(z1至zn)。
[8164-0109-0007] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 以印刷電路板、陶瓷板、軟性板等作為支持基板裝配半導體元件的bga型的半導體裝置。但這些支持基板是多余的，支持基板的厚度使半導體裝置大型化，并使組裝到其中的半導體元件難于放熱。本發明通過將導電圖形11a～11d埋入到絕緣性樹脂10中而且導電箔20進行半蝕刻后而形成，使其厚度充分薄。由于設置了放熱用的電極11d，可提供放熱性能優異的半導體裝置。
[8164-0190-0008] 雙極晶體管、半導體發光元件和半導體元件
[摘要] 在gaas系半導體元件中，通過使用inpga1－pn(0＜p≤1)，來形成能隙差較大的異質結，而提供高性能的半導體元件。
[8164-0007-0009] 存儲器
[摘要] 本發明的課題是提供既可迅速地進行使記憶內容反轉的寫入、又可減少不需要的功耗的存儲器。晶體管mn9、mn10串聯連接在節點n1與寫入位線41之間。騫躆n9、mn10的柵分別與寫入控制線44和寫入字線31連接。寫入控制線44供給與寫入位線41、互補寫入位線42的“異或”運算值相當的電位。通過預先將寫入工作中不使用的寫入位線41、互補寫入位線42預充電為相同的電位，晶體管mn9關斷。
[8164-0178-0010] 形成端面電極的方法
[摘要] 這里提供了一種形成端面電極的方法，其中，采用焊料、端面電極可以安全地形成在側電極形成的位置，而且其形成不受起固定焊料固體作用的夾具的影響。通過在主襯底上形成線性縫隙，形成模塊襯底和廢襯底。在模塊襯底縫隙的側端上，形成側電極。將焊料固體壓入縫隙部分，在此部分側電極形成并且放置回流夾具。用焊劑覆蓋焊料固體的表面，通過加熱熔化焊料固體以在側電極上形成從襯底表面凸起的端面電極。
[8164-0094-0011] 清洗半導體晶片的方法和裝置
[8164-0074-0012] 處理光束的方法、激光照射裝置以及制造半導體器件的方法
[8164-0077-0013] 半導體載體上印刷凸塊的制造方法
[8164-0069-0014] 量子規模電子器件及其工作條件
[8164-0092-0015] 磁阻元件
[8164-0028-0016] 減少可移動物質從金屬氧化物陶瓷的擴散
[8164-0055-0017] 半導體裝置的封裝組裝裝置及其制造方法
[8164-0089-0018] 表面裝配型發光二極管及其制造方法
[8164-0157-0019] 集成mos力敏運放壓力傳感器用的力敏運算放大器器件
[8164-0049-0020] 半導體器件的制造方法
[8164-0046-0021] 高分子半導體場效應晶體管
[8164-0198-0022] 模制的塑料電子組件用的導線框架的防濕層
[8164-0154-0023] 半導體裝置及其制造方法
[8164-0166-0024] 微電子結構的制法
[8164-0132-0025] 半導體裝置及其設計方法和設計裝置
[8164-0017-0026] 用于長久保持記憶力的低印記鐵電材料以及制作此材料的方法
[8164-0140-0027] 用于存儲信息的微電子器件及其方法
[8164-0050-0028] 用于半導體封裝處理的具有可注入導電區的帶及其制造方法
[8164-0040-0029] 多層印刷電路中的層壓品
[8164-0185-0030] 多芯片組件
[8164-0136-0031] 壓電陶瓷材料、燒結的壓電陶瓷壓塊和壓電陶瓷器件
[8164-0004-0032] 無電鍍形成雙層以上金屬凸塊的制備方法
[8164-0181-0033] 陶瓷多層基片上的表面電極結構及其制造方法
[8164-0144-0034] 光電器件
[8164-0204-0035] 加工半導體晶片用的壓力噴射機及方法
[8164-0025-0036] 具有至少一個被絕緣層覆蓋的、采用高壓超導材料的印制導線的電阻性限流器
[8164-0171-0037] 包含太陽能電池的電子裝置的顯示器
[8164-0169-0038] 具有基片觸點和多晶硅橋接單元的半導體只讀存儲裝置
[8164-0117-0039] 倒置型發光二極管
[8164-0118-0040] 一種分子整流器及其制作工藝
[8164-0014-0041] 具有三端性能的兩端器件
[8164-0051-0042] 半導體器件的制造方法
[8164-0103-0043] 采用teos源pecvd生長氧化硅厚膜的方法
[8164-0002-0044] 半導體器件及其制造方法、電路襯底及電子儀器
[8164-0086-0045] 基于調整陰極導電率的超高密度信息存儲器
[8164-0216-0046] 集成電路用電容元件的制造方法
[8164-0100-0047] 晶體半導體材料的制造方法以及制造半導體器件的方法
[8164-0174-0048] 半導體芯片安裝設備
[8164-0008-0049] 半導體器件及其制造方法
[8164-0175-0050] 半導體芯片的安裝方法和安裝設備
[8164-0162-0051] 可見光發光二極管的沉積制造方法
[8164-0137-0052] 半導體晶片磨光的方法和系統
[8164-0215-0053] 接觸構件及其生產方法以及采用該接觸構件的探針接觸組件
[8164-0205-0054] 非易失存儲器
[8164-0078-0055] 制造微電子器件的方法和微電子器件
[8164-0203-0056] 多官能硅基低聚物/聚合物納米孔二氧化硅薄膜的表面改性中的應用
[8164-0030-0057] 用于拋光晶片的載體的儲存方法
[8164-0054-0058] 薄翼型散熱器及其制造方法
[8164-0037-0059] 用于半導體處理室的室襯
[8164-0088-0060] 光電裝置及制造方法
[8164-0155-0061] 半導體裝置及其制造方法,電路基板及電子設備
[8164-0159-0062] 發光器件及其制造方法和薄膜形成裝置
[8164-0034-0063] 層疊式電子零件及其制造方法以及二維陣列狀元件實裝結構及其制造方法
[8164-0041-0064] 半導體裝置及其制造方法和電子裝置
[8164-0081-0065] 包括表面彈性波元件的射頻模塊部件及其制造方法
[8164-0179-0066] 半導體基片品質評價的方法和裝置
[8164-0102-0067] 場效應晶體管的制造方法
[8164-0006-0068] 半導體存儲裝置的驅動方法
[8164-0071-0069] 具有高剩磁感應的超導材料的調質方法,調質的超導材料及其用途
[8164-0209-0070] 半導體處理系統及其控制濕度的方法
[8164-0018-0071] 一種具有內部吸雜的外延硅晶片及其制備方法
[8164-0099-0072] 存儲單元裝置及其制法
[8164-0130-0073] 用于電路元件的散熱的裝置
[8164-0090-0074] 效率和穩定性改善的發白光有機電致發光器件
[8164-0001-0075] 針閘組件的針腳封裝方法
[8164-0199-0076] 改進的集成振蕩器和調諧電路
[8164-0200-0077] 圖象傳感器
[8164-0193-0078] 發光二極管裝置及其制造方法
[8164-0214-0079] 半導體集成電路器件的制造方法及其測試設備
[8164-0147-0080] 用于處理玻璃基片或晶片的除灰裝置
[8164-0122-0081] cmos工藝中的同軸互連的制作方法
[8164-0148-0082] 用于處理玻璃基片或晶片的電子回旋共振除灰裝置
[8164-0062-0083] 帶覆蓋層的鐵電裝置及其制造方法
[8164-0168-0084] 自對準通道結構中的氣隙電介質
[8164-0113-0085] 集成電路裝置
[8164-0177-0086] 半導體芯片的封裝方法及其封裝體
[8164-0194-0087] 發光化合物半導體裝置及其制造方法
[8164-0208-0088] 有機電致發光器件及其制造方法
[8164-0164-0089] 磁阻元件、其制造方法和化合物磁性薄膜的形成方法
[8164-0058-0090] 圖像讀取裝置
[8164-0173-0091] 半導體器件和半導體組件
[8164-0163-0092] 基于氮化鎵的ⅲ－ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
[8164-0104-0093] 芯片的拾取裝置及半導體裝置的制造方法
[8164-0084-0094] 芯片型半導體器件
[8164-0038-0095] 具有結晶學結構的bi－基氧化物陶瓷膜
[8164-0123-0096] cmos工藝中的同軸互連線的制作方法
[8164-0080-0097] 制造半導體器件的方法
[8164-0044-0098] 顯示裝置
[8164-0106-0099] 導電連線的制造方法
[8164-0142-0100] 氮化半導體器件及其制造方法
[8164-0070-0101] 用于產生混合色電磁輻射的半導體元件
[8164-0068-0102] 用于具有高q電抗元件的集成電路的設備和方法
[8164-0021-0103] 高頻功率晶體管器件
[8164-0182-0104] 沸騰和冷凝制冷劑的冷卻裝置
[8164-0075-0105] 一體型電子部件的組裝方法以及一體型電子部件
[8164-0165-0106] 兼容ic的聚對二甲苯mems技術及其在集成傳感器中的應用
[8164-0010-0107] 半導體裝置
[8164-0064-0108] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8164-0210-0109] 多晶硅化鎢柵極的制造方法
[8164-0059-0110] 新型金屬半導體接觸制作肖特基二極管
[8164-0005-0111] 半導體模塊及其制造方法
[8164-0023-0112] 鐵電存儲器場效應晶體管器件及其制作方法
[8164-0127-0113] 防止半導體層彎曲的方法和用該方法形成的半導體器件
[8164-0082-0114] 一種電子裝置與制作此裝置的方法
[8164-0066-0115] 多層電路板和半導體裝置
[8164-0042-0116] 硅鍺射頻功率晶體管發射極分配方法和系統
[8164-0124-0117] 具有到上表面上漏極觸點的低電阻通路的溝槽式雙擴散金屬氧化物半導體晶體管結...
[8164-0112-0118] 大功率發光二極管發光裝置
[8164-0206-0119] 散熱材料及其制造方法
[8164-0076-0120] 電子器件及其制造方法
[8164-0176-0121] 具有絕緣側壁的數個金屬凸塊結構及其制作方法
[8164-0201-0122] 有機電發光元件
[8164-0186-0123] 分子集成電路分子電器
[8164-0212-0124] 化學機械研磨異常探測裝置
[8164-0011-0125] 半導體器件及其制造方法
[8164-0063-0126] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8164-0149-0127] 用于照射紫外線的裝置
[8164-0152-0128] 半導體器件封裝中導電膠供給裝置
[8164-0196-0129] 發光器件、用于制造發光器件的襯底、以及它們的制造方法
[8164-0026-0130] 用于表面聲波器件的大功率處理的金屬化結構及其制造方法
[8164-0009-0131] 半導體裝置
[8164-0126-0132] 引線框架及其制造方法
[8164-0188-0133] 半導體存儲器及其制造方法
[8164-0052-0134] 具有絕緣柱的電容器的制造方法
[8164-0133-0135] 單片集成的電感
[8164-0003-0136] 半導體封裝及其制造方法
[8164-0189-0137] 具有內建電路的光探測器及其生產方法
[8164-0141-0138] 包含防閉鎖電感器的集成電路及其制造方法
[8164-0065-0139] 微型繼電器
[8164-0105-0140] 半導體基板載具及其制作方法
[8164-0107-0141] 半導體集成電路裝置的制造方法
[8164-0097-0142] 半導體器件
[8164-0119-0143] 化學汽相淀積反應器的壓力平衡系統
[8164-0048-0144] 半導體集成電路器件的制造方法
[8164-0029-0145] 在器件表面上形成薄平坦層的組合cmp腐蝕法
[8164-0056-0146] 半導體裝置
[8164-0180-0147] 一種于具自動對準接觸窗機構的基材上形成電容器的方法
[8164-0024-0148] 具有均勻分布的微細結構的半導體開關
[8164-0020-0149] 晶片探測器
[8164-0095-0150] 半導體基片處理裝置及處理方法
[8164-0110-0151] 集成電磁屏蔽裝置
[8164-0120-0152] 有機氫化硅氧烷樹脂介電膜
[8164-0085-0153] 電子設備和使用該電子設備的外部裝置
[8164-0172-0154] 用于生產半導體p,p+ 和n,n+區的摻雜糊劑
[8164-0032-0155] 用于制造包括一個非對稱場效應晶體管的半導體器件的方法
[8164-0091-0156] 粉末熱電材料制造裝置及使用該裝置的粉末熱電材料制造方法
[8164-0019-0157] 半導體銅鍵合焊點表面保護
[8164-0151-0158] 一種改善蒸發薄膜半導體器件性能的工藝方法
[8164-0158-0159] 2t－1c鐵電隨機存取存儲器及其運行方法
[8164-0036-0160] 鐵電晶體管及其制造方法
[8164-0150-0161] 洗滌液的供給系統
[8164-0167-0162] dram單元裝置及其制造方法
[8164-0016-0163] 傳送和跟蹤電子元件的方法和裝置
[8164-0060-0164] 制冷晶體的封裝方法
[8164-0139-0165] 集成電路器件、用于智能卡的電子部件及制造該器件的方法
[8164-0211-0166] 半導體器件的制造方法和半導體器件
[8164-0143-0167] 由鋅摻雜的氧化銅材料制成的超導體
[8164-0098-0168] 固態熱電器件
[8164-0213-0169] 標定單晶硅晶圓晶向的方法
[8164-0087-0170] 半導體裝置和“絕緣體上的半導體”襯底
[8164-0073-0171] 濕式處理裝置
[8164-0191-0172] 半導體器件
[8164-0121-0173] 用于在一個襯底上形成不同厚度的雙柵極氧化層的方法
[8164-0183-0174] 引線框架及具有引線框架的半導體封裝和半導體封裝的制造方法
[8164-0129-0175] 用三元素合金制作半導體器件的基板
[8164-0135-0176] 具粗化界面發光元件及其制作方法
[8164-0035-0177] 垂直集成半導體裝置
[8164-0138-0178] 具有深襯底接觸的半導體器件
[8164-0195-0179] 片式發光二極管及其制造方法
[8164-0156-0180] 半導體存儲裝置的驅動方法
[8164-0012-0181] 斜拉懸梁支撐膜結構的微機械熱電堆紅外探測器陣列
[8164-0217-0182] 具有理想柵極輪廓的半導體器件及其制造方法
[8164-0072-0183] 薄膜晶體管顯示器的電子元件的制作方法
[8164-0160-0184] 超晶格材料子帶躍遷的半導體弱光開關
[8164-0047-0185] 有機發光裝置
[8164-0031-0186] 對基質進行加工處理的裝置
[8164-0015-0187] 晶片清洗和蒸汽干燥系統和方法
[8164-0057-0188] 半導體器件及其制造方法
[8164-0128-0189] 倒裝片式接合芯片與載體的封合結構
[8164-0187-0190] 半導體集成電路裝置
[8164-0067-0191] 管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片及其制造方法
[8164-0022-0192] 半導體裝置及其制造方法和電子裝置
[8164-0053-0193] 具有可注入導電區的半導體封裝件及其制造方法
[8164-0145-0194] 光電器件
[8164-0125-0195] 局部芯片接合方法
[8164-0039-0196] 集成電路芯片的保護方法
[8164-0045-0197] 制作有機光發射裝置的方法
[8164-0170-0198] 場效應器件的高速鍺溝道異質結構
[8164-0079-0199] 半導體器件的制造方法
[8164-0101-0200] 使用氮化工藝的多晶硅化金屬柵極制程
[8164-0115-0201] 微型高效寬光譜換能器及其制備方法
[8164-0093-0202] 襯底熱處理的裝置及方法
[8164-0207-0203] 氮化物半導體器件
[8164-0013-0204] 光元件及其制造方法和電子裝置
[8164-0027-0205] 處理半導體晶片內置后表面損傷的方法
[8164-0033-0206] 帶嵌入式框架的窗口式非陶瓷封裝
[8164-0096-0207] 在有源的電路之上敷金屬襯墊
[8164-0146-0208] 用于生產半導體裝置和平板顯示器的設備
[8164-0161-0209] 白色發光二極管
[8164-0197-0210] 不滿填充受控折疊芯片連接(c4)集成電路封裝的生產流水線
[8164-0116-0211] 電子裝置
[8164-0134-0212] 低電阻率柵極導體的半絕緣擴散勢壘
[8164-0131-0213] 半導體器件及其制造方法
[8164-0218-0214] 側饋送射頻放大器
[8164-0043-0215] 場效應控制的晶體管及其制造方法
[8164-0114-0216] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8164-0108-0217] 半導體裝置及其制造方法
[8164-0153-0218] 半導體器件健合中導電膠的應用
[8164-0219-0219] 利用隧道磁阻效應的半導體存儲器及其制造方法
查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）
金博技術資料網（http://www.667298.com）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）
本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417 收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777 收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中國 銀行：418330501880227509 戶 名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站 收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電 話：0414-2114320 3130161
手 機：13941407298 13050204739
客服QQ：547978981 824312550 517161662
敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。
本公司供應封裝,半導體封裝,封裝中,封裝體類技術資料(168元/全套)貨到付款 歡迎質量保證，歡迎咨詢洽談。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
