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[25000-0063-0001] Ni-Pt合金和Ni-Pt合金靶
[摘要] 本發明提供Ni-Pt合金的Pt含量為0.1～20重量％，維氏硬度是40～90的加工性優良的Ni-Pt合金和Ni-Pt合金靶，并提供加工性優良的Ni-Pt合金的制造方法，其包括以下工序：以電化學方式熔化3N級別的原料Ni的工序；以氨水中和該電解浸蝕出的溶液的工序；使用活性炭過濾除去雜質的工序；通入二氧化碳氣體生成碳酸鎳，在還原性氣氛下制造高純度Ni粉的工序；以酸浸蝕3N級別的原料Pt的工序；通過電解浸蝕出的溶液制造高純度電析Pt的工序；熔化如上制造出的高純度Ni粉和高純度電析Pt的工序。本發明的目的在于提供使Ni-Pt合金錠的硬度降低而可軋制，并穩定高效地制造軋制靶的技術。
[25000-0068-0002] 釕合金磁介質和濺射靶
[摘要] 本發明提供一種具有包括釕(Ru)和成合金元素的底層的磁性記錄介質。當成合金元素在HCP Ru相中具有很小的固溶度或沒有固溶度并且以超過該溶解度的量存在時，成合金元素可用于晶粒細化。當成合金元素在HCP Ru相中具有一定的固溶度并且以不超過該溶解度的量存在時，成合金元素可用于減少晶格錯配。當成合金元素在HCP Ru相中具有一定的固溶度并且以超過該溶解度的量存在時，成合金元素可以同時用于晶粒細化和減少晶格錯配。或者底層可以包括釕和兩種成合金元素，一種用于晶粒細化，另一種用于減少晶格錯配。本發明還提供了一種包括釕和成合金元素的濺射靶。
[25000-0052-0003] 光記錄介質的反射層形成用的銀合金濺射靶
本發明提供的銀合金濺射靶由以下銀合金構成，(1)含有Zn：0.1～20質量％、Al：0.1～3質量％，剩余部為Ag的組成的銀合金，(2)含有Zn：0.1～20質量％、Al：0.1～3質量％，還含有Ca、Be、Si中任選一種或兩種以上的合計：0.005～0.05質量％，剩余部為Ag的組成的銀合金，或者，(3)含有Cu：0.5～5質量％、Ni：0.05～2質量％，剩余部為Ag的組成的銀合金。
[25000-0004-0004] 濺射玻璃鍍膜用鎳基變形合金靶材
[摘要] 本發明屬于合金鋼領域。特別適用于濺射玻璃鍍膜用鎳基合金靶材。該材料的化學成分是Ｃ≤０．０８％，Ｓｉ≤０．８％，Ｍｎ≤０．５０％，Ｓ≤０．０１５％，Ｐ≤０．０２％，Ｃｒ２３—２７％，Ｔｉ１．５—３．５％，Ｍｏ１．０—２．９％，Ａｌ≤０．４５％，Ｂ０．００１—０．０１％，Ｚｒ０．００１—０．０５％，Ｆｅ≤２％，其余為鎳。該靶材與現有技術相比較具有成分簡單、經濟、靶材濺射附著力強，使用壽命長、性能好，鍍膜不起斑點、耐蝕耐磨、色澤漂亮等特點。
[25000-0056-0005] 銀合金、其濺射靶材料及其薄膜
[摘要] 本發明的目的在于提供一種即使經過為彩色液晶顯示器制造工序的加熱工序也能夠形成兼具如下2個特性的反射電極膜的Ag-Pd-Cu-Ge系銀合金，所述2個特性為因熱劣化導致的反射率的降低極少，而且因硫化導致的黃色化難以產生。本發明所述的銀合金，其特征在于，具有含有至少4種元素的組成，其中，Ag作為主成分，Pd含量為0.10～2.89wt％、Cu含量為0.10～2.89wt％、Ge含量為0.01～1.50wt％，而且Pd、Cu和Ge的合計含量為0.21～3.00wt％。
[25000-0018-0006] 釕合金濺射靶
[摘要] 一種釕合金濺射靶，通過將釕粉末和比釕更容易形成氧化物的金屬粉末的混合粉末進行燒結而得到，其中，除氣體成分外的靶純度為99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比釕更容易形成氧化物的金屬，相對密度為99％以上，作為雜質的氧含量為1000ppm以下。本發明的課題在于提供一種釕合金濺射靶，所述濺射靶能夠減少釕合金濺射靶中存在的氧，減少濺射時電弧放電或顆粒的產生，提高燒結密度從而提高靶強度，并且為了防止在Si半導體中微量添加的B及P的組成變動而嚴格限制靶中的B及P雜質量，從而提高成膜的質量。
[25000-0015-0007] 一種磁控濺射Fe-Co合金靶的制造方法
[摘要] 本發明屬于冶金制備領域，特別涉及一種磁控濺射Fe-Co合金靶的制造方法。該方法以99.97％的電解鈷和99.95％的純鐵為原料，經真空熔煉、鑄錠、鍛造、軋制、矯直，然后機加工成成品。合金成分wt％范圍為：Fe 25-75％，Co 25-75％；在熔煉過程中澆注溫度在合金熔點以上50℃～150℃，鍛造溫度在800℃～1200℃，軋制溫度為850℃～1200℃，鍛造和軋制的變形量均大于80％，矯直溫度在700℃～1000℃。本發明與現有技術相比具有工藝簡單，成本低，成份分布均勻無偏析，晶粒細小均勻，成品的純度高，密度大、可控尺寸大，厚度薄的優點。
[25000-0077-0008] 高純度Ru合金靶及其制造方法以及濺射膜
[摘要] 本發明提供一種濺射靶、及其制造方法、以及對該Ru合金靶進行濺射得到的高純度Ru合金濺射膜，其中，所述濺射靶，在盡可能減少有害物質的同時，盡可能使晶粒微細化，從而使成膜時的膜厚分布均勻，并且不使與Si襯底的密合性變差，適于形成半導體存儲器的電容器用電極材料。一種高純度Ru合金靶，其中，Ru以外的鉑族元素的含量為15～200重量ppm，且余量為Ru及不可避免的雜質。一種高純度Ru合金靶的制造方法，其中，所述高純度Ru合金靶中，Ru以外的鉑族元素的含量為15～200重量ppm，且余量為Ru及不可避免的雜質，該方法的特征在于，將純度99.9％以上的Ru粉末與Ru以外的鉑族元素的粉末混合，然后進行加壓成形得到成形體，將該成形體進行電子束熔化得到錠，并且對該錠進行鍛造加工從而得到靶。
[25000-0054-0009] 高耐熱性鋁合金配線材料和靶材
[摘要] 本發明的目的在于提供適用于進行500℃以上的高溫熱處理的低溫加工的多晶硅薄膜晶體管的、高耐熱和低電阻率特性良好的鋁合金配線材料及靶材。所述鋁合金配線材料及靶材是含有鎳、鈷、碳的鋁合金配線材料及靶材，其特征在于，假設鎳含量的原子百分比為Xat％，鈷含量的原子百分比為Yat％，碳含量的原子百分比為Zat％，滿足0.5at％≤X≤3.0at％、4.0at％≤X+Y≤7.0at％、0.1at％≤Z≤0.5at％的關系，其余由鋁構成。
[25000-0092-0010] Sb-Te基合金燒結體濺射靶
[摘要] 本發明提供一種Sb-Te基合金燒結體濺射靶，以Sb和Te為主成分，其特征在于，具備微小的碳或硼的粒子包圍在Sb-Te基合金粒子周圍的組織，當設Sb-Te基合金粒子的平均直徑為X、碳或硼的粒徑為Y時，Y/X在1/10～1/10000的范圍內。本發明能夠實現Sb-Te基合金濺射靶組織的改善，抑制燒結靶產生裂紋，防止濺射時發生電弧放電。
[25000-0074-0011] 復合鈦鋁合金靶及其制備方法
[25000-0057-0012] 光學信息記錄介質的銀合金反射膜,所用的銀合金濺射靶,和光學信息記錄介質
[25000-0083-0013] Al-Ni-La-Si體系Al-基合金濺射靶及其制備方法
[25000-0008-0014] 鋅錫合金濺射靶
[25000-0070-0015] 磁介質中的軟磁襯層和基于軟磁合金的濺射靶
[25000-0067-0016] 垂直磁記錄介質軟磁性底層用鈷基合金靶材的制造方法
[25000-0043-0017] 增強的濺射靶合金組合物
[25000-0044-0018] 采用中頻反應磁控濺射銦錫合金靶制備ITO膜的方法及系統
[25000-0002-0019] 濺射靶用鎳基鎳銅鉻錳系電阻合金
[25000-0019-0020] 一種鈦鋁合金靶材的粉末冶金制備方法
[25000-0038-0021] 銀合金濺射靶及其制造方法
[25000-0090-0022] 一種合金拼接靶
[25000-0031-0023] 用于反射型平面顯示器的反射膜及濺鍍靶材的合金材料
[25000-0088-0024] 三元鋁合金薄膜和靶
[25000-0036-0025] 錳合金濺射靶及其制造方法
[25000-0071-0026] Sb-Te系合金燒結體濺射靶
[25000-0093-0027] 一種鈦鋁合金靶材快速熱壓燒結成型工藝
[25000-0069-0028] Co-Cr-Pt-B類合金濺射靶
[25000-0062-0029] 光學信息記錄介質用銀合金反射膜,為此的銀合金濺射靶和光學信息記錄介質
[25000-0050-0030] 銅合金薄膜、銅合金濺射靶和平板顯示器
[25000-0086-0031] 一種濺射鍍膜用高硅含量硅鋁合金靶材及其制備方法
[25000-0081-0032] 多孔疊層金屬或合金濺射靶材的制備方法
[25000-0026-0033] 光信息記錄用鋁合金反射膜及其形成用靶材、記錄介質
[25000-0001-0034] Ag合金膜以及Ag合金膜形成用噴濺靶材
[25000-0020-0035] 光盤及Cu合金記錄層用濺射靶
[25000-0029-0036] 平板顯示器用Ag基合金配線電極膜、Ag基合金濺射靶
[25000-0023-0037] 微粒發生少的含Mn銅合金濺射靶
[25000-0042-0038] AI-Ni-稀土類元素合金濺射靶
[25000-0075-0039] 作為用于垂直磁記錄的濺射靶的具有或不具有氧化物的Ni-X、Ni-Y和Ni-X-Y合金
[25000-0076-0040] 多組分合金濺射靶及其制備方法
[25000-0021-0041] 用作用于形成粒狀垂直磁記錄介質中夾層的沉積靶的錸基合金和使用所述合金的介質
[25000-0025-0042] 螺紋聯接式硬脆合金靶
[25000-0040-0043] 單靶磁控濺射Cu1-xCrx合金薄膜的方法
[25000-0084-0044] Ag基合金濺射靶及其制造方法
[25000-0047-0045] Ge-Cr合金濺射靶及其制造方法
[25000-0010-0046] 以氣噴粉末制作鋁合金濺鍍靶材的方法
[25000-0035-0047] 由一種硅基合金制造一種濺射靶的方法、濺射靶及其應用
[25000-0005-0048] 鋁或鋁合金濺射靶
[25000-0014-0049] Al-Ni-La體系Al-基合金濺射靶及其制備方法
[25000-0049-0050] 鉿合金靶及其制造方法
[25000-0061-0051] 光學信息記錄介質用銀合金反射膜,為此的銀合金濺射靶,以及光學信息記錄介質
[25000-0045-0052] 用于銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的銅鎵合金靶及其制備方法
[25000-0009-0053] 磁性合金和磁記錄介質及其制造方法與磁性膜形成用靶子和磁記錄裝置
[25000-0091-0054] Cu-Mn合金濺射靶及半導體布線
[25000-0003-0055] 磁光合金濺射靶
[25000-0089-0056] 回收Ru和Ru合金沉積靶的方法以及由回收的Ru和Ru基合金粉末制成的靶
[25000-0011-0057] 鋁系合金靶材的制造方法及用該方法得到的鋁系合金靶材
[25000-0072-0058] Sb-Te系合金燒結體靶及其制造方法
[25000-0058-0059] 濺射靶制造用焊接合金及使用其制造的濺射靶
[25000-0066-0060] 使用基于鉭合金的濺射靶的增強晶種層的淀積
[25000-0033-0061] Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用濺射靶
[25000-0080-0062] 光記錄介質用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成這些半透明反射膜和反射膜的Ag合金濺射靶
[25000-0051-0063] 銅合金濺射靶、其制造方法以及半導體元件布線
[25000-0082-0064] 超高純NiPt合金和包括該合金的濺射靶
[25000-0087-0065] 顆粒產生少的磁記錄膜形成用Co基燒結合金濺射靶的制造方法、及磁記錄膜形成用Co基燒結合金濺射靶
[25000-0007-0066] 鋁合金薄膜及靶材和使用它的薄膜形成方法
[25000-0073-0067] 燒結用Sb-Te系合金粉末及其制造方法和燒結該粉末得到的燒結體濺射靶
[25000-0030-0068] 制備Mo合金制靶材料的方法
[25000-0078-0069] 鉬合金和使用該鉬合金的X射線管旋轉陽極靶、X射線管及熔融坩鍋
[25000-0039-0070] Ag-Bi基合金濺射靶及其制備方法
[25000-0017-0071] 特別用于濺射靶、管狀陰極等的制造的基于銅-銦-鎵合金的鍍膜材料
[25000-0013-0072] Co—Fe—Zr系合金濺射靶材及其制造方法
[25000-0065-0073] 含多組分氧化物的增強的濺射靶合金組合物
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[25000-0006-0079] 對向異材磁控濺射靶制備合金薄膜工藝方法
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[25000-0055-0087] 高純度Ni-V合金、由該Ni-V合金形成的靶以及該Ni-V合金薄膜和高純度Ni-V合金的制造方法
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[25000-0094-0094] 高效鋁合金靶組件
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