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    基板單晶技術專題資料
    1012759-0011-0001)磷化銦基板、磷化銦單晶及其制造方法
    1012759-0006-0002)GaN單晶生長方法、GaN基板制備方法、GaN系元件制備方法以及GaN系元件
    厚膜)。(a)在藍寶石基板120上蒸鍍形成Cr、Cu等的金屬緩沖層210。(b)對于在藍寶石基板120上蒸鍍金屬緩沖層210得到的基板,在氨氣氣氛中進行氮化處理,形成金屬氮化物層212。(c)在氮化處理過的金屬緩沖層210、212上,生長GaN緩沖層222。(d)最后生長GaN單晶層220。該GaN單晶層220可以根據需要生長為各種厚度。通過上述工序制備的基板,通過選擇性化學蝕刻可制備自支撐基板,還可以作為用于制備GaN系發光二極管、激光二極管的GaN模板基板來使用。
    1012759-0009-0003)磁性石榴石單晶膜形成用基板、光學元件及其制造方法
    2)。該基板(2)具備:基底基板(10),其包含對于液相外延生長所用的助熔劑不穩定的石榴石類單晶;緩沖層(11a),其在基底基板(10)中結晶培育面(10a)上形成、且包含對于助熔劑穩定的石榴石類單晶薄膜;以及保護層(11b),其至少在與基底基板(10)中結晶培育面交叉的所述基底基板的側面(10b)形成、且對于助熔劑穩定。使用該基板,能夠制備高質量的磁性石榴石單晶膜。該磁性石榴石單晶膜能夠作為光隔離器、光環形器、光磁傳感器等所用的法拉第元件等光學元件使用。
    1012759-0008-0004)氮化鎵單晶基板及其制造方法
    1012759-0015-0005)氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
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    1012759-0005-0007)往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
    1012759-0017-0008)結晶性被控制的氧化鎂單晶及其制造方法以及使用該單晶的基板
    1012759-0010-0009)磁性石榴石單晶膜形成用基板及其制造方法、光學元件及其制造方法
    1012759-0007-0010)單晶硅及SOI基板、半導體裝置及其制造方法、顯示裝置
    1012759-0001-0011)單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
    1012759-0002-0012)單晶氮化鎵基板,單晶氮化鎵長晶方法及單晶氮化鎵基板制造方法
    1012759-0012-0013)單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
    1012759-0014-0014)往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
    1012759-0013-0015)氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
    1012759-0004-0016)在單晶基板上形成第三族氮化物外延層方法、制品及設備
    1012759-0003-0017)氮化釓單晶體結晶成長法、氮化釓單晶體基板及其制造方法
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