柵極,柵極晶體管,柵極間隙,器件類技術資料(168元/全套)貨到付款歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F320314
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[8131-0125-0001] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 本發明的課題是，謀求提高被使用于柵絕緣膜等的熱氧化膜的絕緣耐壓，提高器件的工作可靠性。半導體器件包括在單晶硅襯底1上的規定的區域形成的氧化硅膜2和在與之鄰接的區域對單晶硅襯底1的表面進行熱氧化而形成的作為熱氧化膜的柵絕緣膜3。在氧化硅膜2與柵絕緣膜3的邊界上，形成其表面被氧化了的多晶硅5(或非晶硅)。
[8131-0013-0002] 電極膜及其制造方法和強電介質存儲器及半導體裝置
[摘要] 一種電極膜的制造方法，是在基板上形成電極膜的電極膜制造方法，首先，在基板上將電極材料的初期結晶核形成為島狀，之后使初期結晶核生長，以形成電極材料的生長層。而且，形成初期結晶核時的基板溫度比形成生長層時的基板溫度高。
[8131-0015-0003] 半導體器件的制造方法
本發明的課題是提供一種使用與氧化硅膜的粘附性良好、而且介電常數低的絕緣膜的半導體器件制造方法。該方法具有：在半導體基底材料1上形成以有機硅氧烷為主成分、包含與該有機硅氧烷沒有化學鍵的有機成分的絕緣膜4的工序；以及通過對該絕緣膜4進行等離子體處理，除去有機成分，同時在絕緣膜4的表面上形成改性層5的工序。等離子體處理能夠使用從由氧、氫及氮構成的元素組中選擇的至少包含一種元素的氣體進行。另外，有機硅氧烷能夠采用在分子內具有烷基或者烯丙基的有機硅氧烷。
[8131-0129-0004] 射頻可變電容器的結構及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一種使用cmos工藝用以提高品質因數的射頻(rf)可變電容器的結構以及制造這種射頻可變電容器的方法。該rf可變電容器的電容可變范圍在第一最小值和第一最大值之間，其結構包括第一電容器，該第一電容器的電容可變范圍在大于第一最小值的第二最小值和大于第一最大值的第二最大值之間，還包括第二電容器，該第二電容器串聯連接到第一電容器上，并具有固定值的電容。
[8131-0019-0005] 半導體制造設備和半導體器件的制造方法
[摘要] 本發明提供一種減少半導體芯片斷裂、崩屑等不良，制造高品質半導體器件，并且抑制制造成品率低下的具有粘著性帶剝離機構的半導體制造設備和半導體器件的制造方法。具備剝離機構，該剝離機構被保持臺3支撐，用在粘著性帶24的剝離方向至少分為至少2個吸附區的多孔質材料吸附固定粘著性帶的所述半導體晶片一側，剝離粘貼在分成小片后的半導體晶片上的粘著性帶24。對半導體晶片的每個半導體芯片1的背面粘貼粘合劑層。通過所述多孔質材料吸附固定半導體晶片，控制2系統以上的真空配管系統，在剝離前后一邊轉換二等分以上的吸附組和真空系統一邊剝離粘著性帶，從臺上剝離一個個半導體芯片。能夠制成疊層半導體芯片的疊式mcp制品。
[8131-0071-0006] 光生伏打裝置
[摘要] 本發明提供一種光生伏打裝置，設置有晶體系半導體，在所述晶體系半導體的表面上形成、實質上真性的第一非晶質半導體層，以及在所述第一非晶質半導體層的表面上形成的第一導電型的第二非晶質半導體層，在所述第一非晶質半導體層中有氫濃度的峰，由于由此能夠增加第一非晶質半導體層中氫原子的量，所以通過該增加的氫原子與作為第一非晶質半導體層中的缺陷的硅原子的懸空鍵的結合，能夠使該懸空鍵惰性化，由此提供輸出特性提高的光生伏打裝置。
[8131-0189-0007] 陶瓷膜的制造方法及用于該方法的加壓型熱處理裝置
[摘要] 一種陶瓷膜的制造方法，包括：準備在基體上涂布了含有復合氧化物的原材料體的被處理體的工序；以及將被處理體保持在容器內，通過在加壓到2個大氣壓或1個大氣壓以上并且至少含有氧化性氣體的處理氣體中，在規定的壓力下進行熱處理，使原材料體結晶化的工序，處理氣體在被加熱到預定溫度后，供給上述容器。
[8131-0054-0008] 集成電路裝置、時鐘配置系統、時鐘配置方法及時鐘配置程序
[摘要] 在時鐘配線的配置中，受理邏輯電路的電路信息，以電路信息為基礎，在半導體晶片上配置根驅動器，在局部區中，用h樹型結構形成初始時鐘配線，在公用區中，用星型結構形成初始時鐘配線。將從初始時鐘配線的任意第一節點分支的多條配線中的第一配線上最初出現的節點，指定為第二節點，將從第一節點分支的多條配線中的除了第一配線以外的配線上第二個出現的節點，指定為第三節點。僅將第三節點中的、存在于距向第二節點輸入的信號的輸入方向規定角度以內的方向上的第三節點，作為確定第三節點，卷積從第一節點至確定第三節點的配線和節點。
[8131-0184-0009] 形成多孔膜的組合物、多孔膜及其形成方法、層間絕緣膜和半導體器件
[摘要] 使用常規的半導體工藝，提供一種可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和優良的介電和力學性質。特別是，提供一種形成多孔膜的組合物，所述的組合物包括縮合產物和有機溶劑，其中在堿性催化劑存在下通過一種或多種由通式(1)：r1ksi(or2)4-k代表的硅烷化合物，和一種或多種由通式(2)：{xj(y)3-jsi-(l)m-}nmz4-n代表的交聯劑的水解和縮合得到縮合產物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述組合物的步驟以便形成膜，干燥膜和加熱干燥的膜從而硬化膜，也提供了其它的信息。
[8131-0068-0010] 硅過壓保護管
[摘要] 本發明公開一種具有pnpn四層二極結構的硅過壓保護管。它包括一塊硅芯片、一個陽極和陰極，硅芯片為p1-n1-p2-n2四層排列結構，陽極和陰極由硅芯片二面沉淀積的金屬薄膜構成，p1層連接陽極，n2層連接陰極，陰極與p2層有短路連接。具有耗散功率低、可靠性好等優點。
[8131-0143-0011] 10納米級間隔的電極的制備方法
[8131-0033-0012] 集成電路護層及其制造方法
[8131-0144-0013] 藍寶石基氮化物芯片的劃片方法
[8131-0191-0014] 半導體裝置的制造方法
[8131-0164-0015] 在半導體器件設置中提供自對準接點的方法
[8131-0024-0016] 電子部件的制造方法、電子部件、電子部件的安裝方法和電子裝置
[8131-0171-0017] 圖案光阻的微縮制程
[8131-0049-0018] 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
[8131-0199-0019] 邏輯集成電路中掃描鏈的故障定位方法
[8131-0026-0020] 半導體晶片、半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子機器
[8131-0095-0021] 將焊料柱按陣列排列和分配的設備
[8131-0080-0022] 應變半導體覆絕緣層型基底及其制造方法
[8131-0126-0023] 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管裝置及其制造方法
[8131-0200-0024] 大晶片的自動檢測系統
[8131-0043-0025] 晶片級封裝、多封裝疊層、及其制造方法
[8131-0076-0026] 陶瓷元件的制造方法及其制造系統
[8131-0083-0027] 半導體薄膜的制造方法
[8131-0119-0028] 用來改進圖象傳感器中的微透鏡形成的偽模式
[8131-0218-0029] 用于存儲器裝置的選擇性硅化方案
[8131-0196-0030] 電子裝置的制造方法及芯片載架
[8131-0103-0031] 制造合并邏輯器件的方法
[8131-0110-0032] 等離子平板顯示器驅動芯片用的高壓器件結構及其制備方法
[8131-0029-0033] 在具有半導體芯片的半導體模塊上測量時間的方法及裝置
[8131-0057-0034] 半導體裝置及其制造方法
[8131-0137-0035] 使用顯微機械加工的超聲換能器的鑲嵌式陣列
[8131-0169-0036] 紫外線照射方法和使用該方法的裝置
[8131-0127-0037] 具有輕度摻雜漏極區的薄膜晶體管結構及其制造方法
[8131-0040-0038] 具有散熱片的半導體封裝件
[8131-0018-0039] 一種具有納米結的氮化碳/碳納米管場效應晶體管的制備方法
[8131-0022-0040] 連接構件的制造方法
[8131-0012-0041] 閃存浮動柵極的制造方法
[8131-0039-0042] 高散熱型塑料封裝及其制造方法
[8131-0192-0043] 圖形繪制裝置和方法以及在該裝置中使用的測試裝置
[8131-0002-0044] 雙柵極晶體管及其制造方法
[8131-0037-0045] 半導體制程
[8131-0106-0046] 半導體集成電路
[8131-0214-0047] 接觸孔形成方法、薄膜半導體裝置的制法、電子器件及其制法
[8131-0210-0048] 制造淺溝槽隔離結構（sti）的方法
[8131-0065-0049] 具有基體接觸的薄膜晶體管組件
[8131-0020-0050] 具有空腔的電子器件及其制造方法
[8131-0035-0051] 設有電容器的半導體裝置的制造方法
[8131-0212-0052] 接觸窗的制造方法及其結構
[8131-0102-0053] 具有晶格不相稱區的變形溝道晶體管結構及其制造方法
[8131-0003-0054] 雙極性晶體管及其制造方法
[8131-0136-0055] 一種用化合物半導體制造光發射裝置的方法
[8131-0128-0056] 多晶硅薄膜、其制法以及用該膜制造的薄膜晶體管
[8131-0055-0057] 半導體器件及其制造方法
[8131-0216-0058] 雙面容器電容器的制造方法
[8131-0181-0059] 電鍍方法
[8131-0148-0060] 用于評價半導體基片品質的方法
[8131-0108-0061] 多層叉合金屬電容結構
[8131-0162-0062] 一種zno基發光二極管及其制備方法
[8131-0205-0063] 相對于支撐臺定位基片的方法與設備
[8131-0135-0064] 導電尖晶石型結構mgin2o4
[8131-0134-0065] 發光二極管陣列
[8131-0084-0066] 一種氮和銦共摻雜制備空穴型氧化鋅薄膜的方法
[8131-0085-0067] 一種閘極介電層與改善其電性的方法及金氧半電晶體
[8131-0190-0068] 激光輻照方法、設備以及用于制造半導體器件的方法
[8131-0010-0069] 光掩模、光斑測定機構和測定方法及曝光方法
[8131-0069-0070] 使用在電子器件中的多孔膜
[8131-0179-0071] 半導體器件及其制造方法
[8131-0051-0072] 半導體裝置及其制造方法、電子設備、電子儀器
[8131-0175-0073] 化合物半導體層和發光元件的制造方法及汽相生長設備
[8131-0064-0074] 薄膜晶體管及其制造方法及顯示裝置
[8131-0140-0075] 一種基于金錫共晶的硅/硅鍵合方法
[8131-0183-0076] 配備有旋轉刀具的加工設備
[8131-0139-0077] 采用側墻技術制備有納米硅通道的埋氧的方法
[8131-0122-0078] 一種場效應晶體管
[8131-0099-0079] 配線結構的形成方法
[8131-0174-0080] 包括采用熱管制造的冷卻裝置的烘干系統
[8131-0161-0081] 可提高發光作用區域的發光元件
[8131-0045-0082] 布線部件及其制造方法
[8131-0188-0083] 生成氧化膜的連續干式/濕式/干式氧化法
[8131-0021-0084] 實現用于分配粘性材料的多種泵速的方法
[8131-0048-0085] 雙載子互補式金屬氧化物半導體的靜電放電防護電路及方法
[8131-0031-0086] 應力引入間隔層
[8131-0081-0087] 電子束聚焦設備及使用該設備的電子束投影微影系統
[8131-0151-0088] 雙邊投影與單邊投影相結合的非線性電路模型降階方法
[8131-0153-0089] 一種基于子波逼近和多階壓擴的模擬電路自動建模方法
[8131-0027-0090] 半導體晶片、半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子機器
[8131-0034-0091] 鐵電隨機存取存儲器的制作方法
[8131-0075-0092] 保持器的制造方法、致動器的制造方法以及滑動部件的制造方法
[8131-0167-0093] 半導體襯底及其制造方法、半導體器件及其制造方法
[8131-0093-0094] 半導體器件的制造方法
[8131-0211-0095] 防止保險絲的側壁損壞的半導體器件的后段工藝方法
[8131-0066-0096] 薄膜半導體、半導體器件以及薄膜晶體管的制造方法
[8131-0025-0097] 半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子機器
[8131-0058-0098] 固體攝像裝置及其驅動方法
[8131-0131-0099] 祼晶式發光二極管
[8131-0163-0100] mgin2o4/mgal
[8131-0118-0101] 成像設備
[8131-0041-0102] 具有散熱片的半導體封裝件
[8131-0011-0103] 半導體裝置及其制造方法
[8131-0016-0104] 氧化硅薄膜的制造方法
[8131-0007-0105] 基板待機裝置及具有該裝置的基板處理裝置
[8131-0044-0106] 引線框架以及使用引線框架的電子零件
[8131-0186-0107] 強電介質膜的形成方法
[8131-0158-0108] 芯片封裝結構及芯片與襯底間的電連接結構
[8131-0187-0109] 形成半導體鑲嵌結構的蝕刻制程
[8131-0101-0110] 鑲嵌處理方法、鑲嵌處理裝置和鑲嵌構造
[8131-0207-0111] 移動便攜式靜電基片夾
[8131-0149-0112] 測試具有許多半導體器件的晶片的探針卡及其制作方法
[8131-0213-0113] 有機夾層介電材料中的銅通路的剪切應力的減小
[8131-0009-0114] 具有圖案式表面的iii族元素氮化物層
[8131-0032-0115] 形成鑲嵌結構的方法
[8131-0204-0116] 移載裝置、搬送裝置及移載方法
[8131-0098-0117] 堅固貫孔結構及方法
[8131-0215-0118] 互補型金屬氧化物半導體圖像傳感器的制造方法
[8131-0123-0119] 雙柵高壓n型金屬氧化物半導體管
[8131-0072-0120] 白光發光二極管元件
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[8131-0206-0122] 用于懸掛襯底載體的高架傳送凸緣和支撐件
[8131-0089-0123] 通過紫外光輻射改善致密和多孔有機硅酸鹽材料的機械性能
[8131-0052-0124] 半導體集成電路
[8131-0217-0125] 瓶型渠溝的形成方法
[8131-0073-0126] 發光二極管燈
[8131-0109-0127] 具有結構簡單的溫度檢測電路的半導體集成電路
[8131-0038-0128] 電路裝置及其制造方法
[8131-0042-0129] 噴射導熱的方法與裝置
[8131-0185-0130] 高介電常數氧化物膜的制造法、含該膜的電容器及制造法
[8131-0141-0131] 薄膜器件的制造方法
[8131-0047-0132] 半導體結構及其制造方法
[8131-0124-0133] 雙柵高壓p型金屬氧化物半導體管
[8131-0172-0134] x射線掩模的制造方法和半導體器件的制造方法
[8131-0023-0135] 半導體器件的制造方法、半導體器件及電子設備
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[8131-0067-0139] 鰭狀半導體二極管結構
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[8131-0105-0142] 集成電路焊線墊片的結構及其形成方法
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[8131-0078-0158] p型材料及用于電子器件的混合物
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