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[8128-0056-0001] 設計低功耗半導體集成電路的方法
[摘要] 在布局結果中檢測布線上的分支點(s101)。然后計算在分支點之后的布線上插入虛擬緩沖器的路由的延遲量(s102)與揮脅迦胄檳饣撼迤韉穆酚傻難映倭?s103)。根據延遲量，確定要在其處插入負載分配緩沖器的插入點(s104)。如果負載分配緩沖器要插入在該插入點，計算在該插入點之前的驅動單元的驅動能力以使滿足時序限制(s105)。然后在確定負載分配緩沖器可插入在該確定的插入點(s106)之后，在布局結果上執行放置負載分配緩沖器、改變驅動單元的驅動能力和改變布線信息的過程(s107)。
[8128-0124-0002] 緣經過研磨的氮化物半導體基片及其邊緣加工方法
[摘要] 本發明涉及緣經過研磨的氮化物半導體基片及其邊緣加工方法。用旋轉砂輪傾斜地研削邊緣部分(斜削)，但是成為使邊緣部分的面粗糙度惡化(ra10μm～6μm)、晶片發生破碎、破裂、裂縫等的原因。使圓形獨立gan晶片的邊緣部分的面粗糙度為ra10nm～ra5μm。最好為ra10nm～ra1μm。更好為ra10nm～ra0.1μm。一面用砂輪帶以弱的均勻的按壓力壓住晶片的側周，一面使晶片旋轉并改變砂輪帶進行加工。因為不斷地改變砂輪帶所以即便使用粒子細的砂輪帶也不會孔堵塞。通過用細粒子的砂輪帶能夠將晶片邊緣部分加工到卓越的平滑度。又，本方法不僅適用于gan而且也適用于其它的氮化物半導體基片。
[8128-0140-0003] 連接墊及其制造方法
本發明涉及一種連接墊及其制造方法，適用于一金屬導線結構，該連接墊結構通過下列方法制成：首先于上述金屬導線結構表面交替形成至少一第一鈍態護層及一第二鈍態護層；其次，以微影及蝕刻制程定義上述第二鈍態護層及上述第一鈍態護層，形成露出上述襯墊層表面的一連接墊開口部，其中上述連接墊開口部的側壁具有連續凹凸表面；最后，于上述連接墊開口部內形成一金屬連接墊以電性連接上述金屬導線結構，其中上述金屬連接墊嵌合于上述連接墊開口部側壁的連續凹凸表面。利用形成不同蝕刻速率(性質)的鈍態護層，以增加鈍態護層與連接墊間的接合力，防止連接墊的剝落。
[8128-0152-0004] 制造半導體器件的方法
[摘要] 本發明給出半導體器件的制造方法，它能夠快速剝離迭壓在膠帶上的極薄的芯片，而不會產生裂縫或碎片。振動器的頭部與迭壓了許多通過分離半導體晶片而得到的半導體芯片的膠帶的背表面接觸。通過施加頻率1khz到100khz、幅度1μm到50μm的縱向振動，芯片被從膠帶上剝離下來。在向膠帶施加縱向振動時，對膠帶施加水平方向的張力。
[8128-0115-0005] 單晶硅膜的制造方法
[摘要] 本發明提供一種制造單晶薄膜的結晶方法。該方法用激光照射(irradiation)并在有被激光照射的半導體薄膜的基板上由非晶或多晶薄膜在希望的位置以希望的尺寸進行。本發明的單晶硅膜制造方法包括：在透明或半透明基板上形成半導體層或金屬薄膜的階段；作為通過激光照射的結晶方法在規定尺寸的基板上形成單晶籽晶區域的階段；把所述單晶區域作為籽晶(seed)在希望的區域進行單結晶的階段。
[8128-0046-0006] 太陽電池少數載流子壽命分析儀
[摘要] 一種太陽電池少數載流子壽命分析儀，微波系統由微波源、隔離器、衰減器、魔t、短路活塞、微波晶體檢波器、變容二級管、面天線組成，數據采集及處理系統由數據采集器、計算機組成，采用四矩形微帶面天線實現微波信號向被測樣品的輸出和對發射微波的接收，專用的信號調理與放大電路對微波晶體檢波器輸出的信號進行隔直、差分、放大、屏蔽、濾波，再進入數據采集器，獲得光電導衰退曲線的數字量。本發明采用微波反射法耦合光電導信號，通過測量微波反射功率的變化來測量光電導的變化，從光電導衰退曲線計算被測硅片和太陽電池的少子壽命，實現了對太陽電池器件和材料進行在線微波反射無損非接觸測量。
[8128-0170-0007] 記憶模塊及具無柱塞信號線及分布電容性負荷之記憶裝置
[摘要] 在一個記憶裝置之記憶模塊(2)中，該記憶裝置系具有一個由復數個信號線(31、32)所組成的總線系統，每個信號線(31、32)分別必須已經不具任何柱塞的由一供應接觸裝置(23a)而被制造到一放電接觸裝置(23b)，其系緊鄰于該供應接觸裝置(23a)而配置，以便提升在該記憶裝置內的最大數據傳輸速度。在該供應接觸裝置(23a)與該放電接觸裝置(23b)之間，每個該信號線系連續地透過連接組件(221)而以一最小距離被安置，其中該連接組件(221)系與位在聯合于信號線(31、32)的記憶芯片(22)上的該信號線(31、32)相聯合。
[8128-0079-0008] 一種源漏下陷型超薄體soimos晶體管及其集成電路的制作方法
[摘要] 本發明提供了一種自對準的源漏下陷型超薄體soi mos晶體管結構。該mos器件有一個薄的溝道區和厚的源漏區。溝道區位于絕緣襯底的隱埋介質層的表面，源漏區位于溝道區兩端并下陷于隱埋介質層中。這樣，源漏區為低阻硅化物的生成提供足夠的材料。該器件結構的一主要特征是厚源漏區相互對稱并和柵電極自對準。這一自對準結構形成的工藝方法包括如下步驟：在柵電極兩側形成犧牲側墻；以該側墻和柵電極為掩膜各相同性地腐蝕隱埋介質層形成淺槽；以淺槽區內顯露的半導體層為籽晶外延生長或淀積半導體材料以填充淺槽。
[8128-0013-0009] 具有超薄磁性層的tmr材料
[摘要] 提供一種具有大致平滑且連續的超薄磁性層的tmr材料(10)。tmr材料帶有形成在第一磁性層(42)上的第一隧道勢壘層(46)和形成在第一隧道勢壘層(46)上的第二磁性層(44)。由于第二磁性層(44)至少在所述第一隧道勢壘層(46)的一部分上具有大致平滑且連續的層并且具有不超出大約20x的厚度，第二磁性層(44)提供大致平滑且連續的超薄磁性層。
[8128-0213-0010] 夾盤設備
[摘要] 本發明涉及一等離子體體反應器設備(1)，其改善了蝕刻均勻性并提高了刻蝕的產量。通過采用新型的氣體輸送機構(9a)和絕熱的晶片吸盤(42)實現了更好的蝕刻均勻性。真空絕熱的吸盤(42)還使得能量消耗低、及產量高。
[8128-0165-0011] 具有散熱片的散熱器和該散熱器的制造方法
[8128-0033-0012] 一種用于制造閃爍存儲器控制柵堆積結構形成工藝的改進方法
[8128-0210-0013] 清洗電子元件或其制造設備的元件的方法和裝置
[8128-0173-0014] 半導體存儲裝置
[8128-0011-0015] 內含溝道型肖特基整流器的溝道型dmos晶體管
[8128-0057-0016] 制造半導體器件的電容器的方法
[8128-0201-0017] 電子器件的清洗
[8128-0198-0018] 一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底及其制備方法
[8128-0144-0019] 測試分類機的溫度監控系統
[8128-0088-0020] 低k金屬前電介質半導體結構
[8128-0203-0021] 半導體器件的制造方法、集成電路、電光裝置和電子儀器
[8128-0148-0022] 半導體器件的制造方法
[8128-0202-0023] 在處理工具之間輸送小批量襯底載體的系統和方法
[8128-0043-0024] 半導體模塊及其制造方法
[8128-0183-0025] 固態成像裝置及其制造方法
[8128-0039-0026] 減少金屬線缺陷的改進工藝
[8128-0196-0027] 有機發光二極管面板的制作方法
[8128-0217-0028] 垂直mos晶體管的制造方法
[8128-0103-0029] 使用通過液體的光學聚集的太陽能轉換器
[8128-0058-0030] 應用于罩幕式只讀存儲器編碼布植的微影工藝
[8128-0045-0031] 測量金屬氧化半導體晶體管的柵極通道長度的方法
[8128-0020-0032] 電子部件
[8128-0096-0033] 到柵極的自對準接觸
[8128-0084-0034] 帶有具有冷卻功能的反射器的半導體發光器件
[8128-0178-0035] 可實現大的自對準接觸(sac)開口余量的槽晶體管(tr)柵及其形成方法
[8128-0054-0036] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8128-0154-0037] 集成電路設計整合方法及其應用的組件、交易方法與產品
[8128-0179-0038] 非易失性存儲器件及其制造方法
[8128-0161-0039] 半導體裝置、三維安裝型半導體裝置的制法、電路板、電子儀器
[8128-0214-0040] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8128-0008-0041] 拋光包括銅和鎢的半導體器件結構中使用的漿液與固定磨料型拋光墊以及拋光方法
[8128-0072-0042] 半導體存儲器件
[8128-0157-0043] 只讀存儲器的制造方法
[8128-0163-0044] 散熱片的制造方法
[8128-0206-0045] 低溫多晶硅薄膜的制造方法
[8128-0029-0046] 色心藍寶石襯底的制備方法
[8128-0007-0047] 選擇性腐蝕氧化物的方法
[8128-0127-0048] 干式蝕刻裝置及干式蝕刻方法
[8128-0193-0049] 具有發光變換元件的發光半導體器件
[8128-0061-0050] 表面安裝型高頻模塊
[8128-0136-0051] 印刷掩模及使用該掩模的電子零件的制造方法
[8128-0005-0052] 制造半導體元件的方法及其半導體元件
[8128-0195-0053] 帶有光敏器件的有機發光二極管顯示器
[8128-0147-0054] 于間距縮小工藝中整合存儲單元數組區與周邊電路區的方法
[8128-0070-0055] 包括每個有浮動柵和控制柵極的mos晶體管的半導體存儲器
[8128-0105-0056] 多色發光燈和光源
[8128-0107-0057] 具有薄膜式襯底的熱電模塊
[8128-0100-0058] 微影對準設計及cmp加工波紋表面覆蓋量測記號
[8128-0120-0059] 一種形成暨測試一相移掩膜的方法
[8128-0062-0060] 導熱管與導熱基座的結合方法
[8128-0126-0061] 化學機械拋光方法以及與其相關的洗滌/沖洗方法
[8128-0156-0062] 半導體器件
[8128-0069-0063] 非揮發性存儲元件的結構
[8128-0119-0064] 整合對準標記與溝槽組件的制程
[8128-0116-0065] 基片處理設備
[8128-0186-0066] 金屬氧化物半導體場效應晶體管
[8128-0204-0067] 制造裝置及制造方法
[8128-0216-0068] 自動對準接觸插塞的制造方法
[8128-0175-0069] 快閃存儲單元、快閃存儲單元的制造方法及其操作方法
[8128-0065-0070] 半導體器件
[8128-0125-0071] 可以識別表里的矩形氮化物半導體基片
[8128-0093-0072] 形成低表層電阻的超淺結的方法
[8128-0030-0073] 低溫多晶硅薄膜的制造方法及低溫多晶硅薄膜晶體管
[8128-0169-0074] 半導體器件及其制造方法
[8128-0181-0075] 固體攝像裝置
[8128-0049-0076] 等離子體處理裝置、聚焦環和基座
[8128-0166-0077] 半導體封裝及其引線框架
[8128-0188-0078] 疊層型光生伏打元件
[8128-0028-0079] 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
[8128-0074-0080] 將電路集成在絕緣層的系統及將系統集成在絕緣層的方法
[8128-0153-0081] 分割半導體晶片的方法
[8128-0002-0082] 發光或受光用半導體模塊及其制造方法
[8128-0159-0083] 利用反向自對準過程制造雙ono式sonos存儲器的方法
[8128-0101-0084] 半導體裝置
[8128-0006-0085] 真空處理裝置
[8128-0092-0086] 薄片制造設備、薄片制造方法和太陽能電池
[8128-0089-0087] 高壓高溫電容結構及其制造方法
[8128-0211-0088] 保護層的剝離裝置及剝離方法
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[8128-0158-0094] 半導體器件及其制造方法
[8128-0212-0095] 制造半導體器件的等離子體刻蝕方法和設備
[8128-0182-0096] 固態成像裝置
[8128-0040-0097] 低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
[8128-0031-0098] 射束照射裝置、射束照射方法及半導體裝置的制作方法
[8128-0117-0099] 薄膜圖形形成方法及器件制造方法、光電裝置及電子設備
[8128-0095-0100] 半導體晶片中凸點的形成方法及其形成設備
[8128-0200-0101] 襯底元片及軟襯底
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[8128-0142-0103] 一種防靜電破壞的ic晶片電性測試設備及防靜電破壞的方法
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