可控矽的工作條件：
1. 可控矽承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，可控矽都處於關短狀態。
2. 可控矽承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下可控矽才導通。
3. 可控矽在導通情況下，隻要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，可控矽保持導通，即可控矽導通後，門極失去作用。
4. 可控矽在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近於零時，
可控矽關斷。
從可控矽的內部分析工作過程：
可控矽是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管。當可控矽承受正向陽極電壓時，為使可控矽導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。每個晶體管的集電療電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。
設PNP管和NPN管的集電療電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,可控矽的陽極電流等於兩管的集電療電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0。若門極電流為Ig,則可控矽陰極電流為Ik=Ia+Ig。從而可以得出可控矽陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式。矽PNP管和矽NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化。
當可控矽承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控矽的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關處於正向阻斷狀態。當可控矽在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由於足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電療電流Ic2流過PNP管的發射結，並提高瞭PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電療電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高瞭可控矽的陽極電流Ia.這時，流過可控矽的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。可控矽已處於正向導通狀態。式（1—1）中，在可控矽導通後，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,可控矽仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。可控矽在導通後，門極已失去作用。
在可控矽導通後，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由於a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，可控矽恢復阻斷狀態。
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