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| RoHS: |
| 配置: | 1 Channel |
| 輸入類型: | DC |
| 最大集電療/發射極電壓: | 30 V |
| 最大集電療/發射極飽和電壓: | 500 mV |
| 絕緣電壓: | 5300 Vrms |
| 最大正向二極管電壓: | 1.5 V |
| 最大功率耗散: | 250 mW |
| 最大工作溫度: | + 100 C |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 封裝 / 箱體: | PDIP W |
| 封裝: | Bulk |
| 最大輸入二極管電流: | 100 mA |
| 最大反向二極管電壓: | 6 V |
| 輸出設備: | Transistor With Base |
| Part # Aliases: | 4N25 |
詳細參數:http://www.fairchildsemi.com/ds/4N%2F4N25-M.pdf
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