輸入類型: DC
最大集電療/發射極電壓: 80 V
最大集電療/發射極飽和電壓: 0.4 V
絕緣電壓: 3750 Vrms
電流傳遞比: 600 %
最大正向二極管電壓: 1.3 V
最大輸入二極管電流: 20 mA
最大集電療電流: 10 mA
最大功率耗散: 200 mW
最大工作溫度: + 110 C
最小工作溫度: - 55 C
封裝 / 箱體: SMD-4
封裝: Reel
正向電流: 16 mA
最大下降時間: 3 us
最大反向二極管電壓: 5 V
最大上升時間: 2 us
每芯片的通道數量: 1 Channel
輸出設備: NPN Phototransistor
輸出類型: DC
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