| 品牌 | 國產 | 型號 | 3DD261D |
| 應用範圍 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
| 極性 | NPN型 | 擊穿電壓VCBO | 600（V） |
| 集電極最大允許電流ICM | 3.5（A） | 集電極最大耗散功率PCM | 50（W） |
| 封裝形式 | 直插型 | 封裝材料 | 金屬封裝 |
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| 品牌 | 國產 | 型號 | 3DD261D |
| 應用範圍 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
| 極性 | NPN型 | 擊穿電壓VCBO | 600（V） |
| 集電極最大允許電流ICM | 3.5（A） | 集電極最大耗散功率PCM | 50（W） |
| 封裝形式 | 直插型 | 封裝材料 | 金屬封裝 |
