韓國首爾光電SOC原裝正品 大功率6363貼片 光固化365-395nm紫光UVLED

2013年韓國首爾光電發佈最新更大功率CUN*AF1A-NEW

具體型號如下：

    型號        峰值 （nm）   光功率 （mW）   電流 （mA）  電壓（V）

1、CUN6AF1A           365nm                             570 mW                           500  mA                      4.2 V

2、CUN7AF1A           375nm                             710 mW                           500  mA                      4 V

3、CUN8AF1A           385nm                             800 mW                           500  mA                      3.8 V

4、CUN9AF1A           395nm                             900 mW                           500  mA                      3.6 V

5、 CUN0AF1A           405nm                            1000 mW                         500  mA                      3.4 V                            

溫馨提示，為瞭使我司產品發揮最佳性能及減少客戶使用產品過程中出現故障，請註意：

     1）紫外LED貯存條件：溫度10℃～26℃，濕度40%～65%，包裝袋密封保存；

     2）使用的整個過程所有與紫外LED直接接觸的人員都要做好防止和消除靜電措施，切勿直接用手觸摸紫外發光二極管；

     4）生產前檢查機臺設備接地線是否正常，作業臺面要求鋪好靜電膠佈，膠佈之間應互相連接並接地；

     5）焊接時，要註意焊接時間，焊接溫度，另外正負極性要分清；

     6）電流電壓等電氣參數不能超過額定參數值。

焊接大功率紫外LED時需要註意：

     1)焊接時間不能超過3S；

     2)焊接溫度要≤260度；

     3)回流焊接隻允許焊1次；

     4)焊接時，分清正負極性，註意避開透鏡，以防損壞透鏡；

     5)做好散熱措施，特別是大功率UVLED盡量保證足夠散熱器面積；

     6)為使紫外發光二極管壽命更長，建議使用較穩定的恒流驅動電流或IC，而不要采用恒壓驅動電源或IC。

封裝芯片註意事項：

  靜電會損傷晶粒，因此在制造過程需有靜電防護。下面的例子可以幫助芯片免於靜電擊傷：

     1）所有設備均需適當接地；

     2）作業人員在接觸芯片時均需配戴靜電環；

     3）在晶粒翻轉與其它制程中，需使用離子風扇來避免晶粒受到靜電擊傷；

     4）建議在封裝內加上保護組件，如齊納二極管。 

韓國首爾半導體最大代理商-深圳市德勝興科技有限公司

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