用真空沉積的薄膜技術把鉑濺射在陶瓷基片上，膜厚在2μm以內，用玻璃燒結料把Ni(或Pd)引線固定，經激光調阻制成薄膜元件。
薄膜鉑電阻系列
型號 | 外形尺寸 W×L×Hmm | 標稱阻值 R0 | 工作電流 mA | 引線尺寸 W×L×Hmm | 工作溫度 ℃ | 誤差 | 外形圖 mm |
VEC-1632-Ni | 1.6×3.2×1.0 | 100Ω | 1 | 0.25×0.15×12 | -40~450 | 1/3DIN A B 2B | |
VEC-1632-Pd | 0.3×0.2×10 | -50~500 | |||||
VEC-2005-Ni | 2.0×5.0×1.0 | 2 | 0.25×0.15×12 | -40~450 | |||
VEC-2005-Pd | 0.3×0.2×10 | -50~500 | |||||
VEC-2005-Ni | 500Ω 1000Ω | 0.5 | 0.25×0.15×12 | -40~450 | |||
VEC-2005-Pd | 0.5 | 0.3×0.2×10 | -50~500 |
備註：1/3DIN ±0.1℃
A ±0.15℃
B ±0.3℃
2B ±0.6℃
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