| 產地/廠商：heqi | 每件重量：1（Kg） | 類別：其他 |
4英寸區熔本征高阻拋光硅片 | |
生長方式 | 懸浮區熔法單晶（FZ） |
直徑和公差(mm) | 100.2±0.3mm |
型號/摻雜類型 | 無摻雜 |
晶向 | <100><111> |
電阻率(Ω·cm) | 1000-6000(Ω·cm)可按客戶要求訂制范圍 |
厚度和公差(μm) | 按照客戶要求訂制±10 |
平整度TIR(μm） | <3μm |
翹曲度TTV(μm) | <15μm |
彎曲度Bow(μm) | <15μm |
粗糙度Ra(nm) | <0.5nm |
顆粒(#perwafer) | <10(forsize>0.3μm) |
包裝方式 | 10片裝25片裝無塵真空包裝1盒起售 |
現有庫存厚度(μm) | 500μm 單片價格 |
根據客戶需要可提供發票 | |
主要用途：用于同步輻射樣品載體；用于磁控濺射生長樣品；用于X射線分析晶體等。 | |
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